2-е издание, переработанное и дополненное.
— М.: Радио и связь, 1990 — 264 с.: ил.
ISBN 5-256-00565-0. Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. В отличие от первого издания (1980 г.) расширены главы по гетеропереходам, сверхпроводящим контактам. Добавлены материалы по действию радиации на полупроводниковые приборы. Рассмотрены эффекты, возникающие при приближении к субмикронным размерам активных элементов.
Для инженерно-технических работников, занимающихся применением и разработкой элементов микроэлектроники.
— М.: Радио и связь, 1990 — 264 с.: ил.
ISBN 5-256-00565-0. Рассмотрены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, приборов с отрицательным сопротивлением с зарядовой связью, с инжекционным питанием, полупроводниковых датчиков, приборов на основе эффекта сверхпроводимости. Даны выводы основных теоретических соотношений, определяющих их параметры. В отличие от первого издания (1980 г.) расширены главы по гетеропереходам, сверхпроводящим контактам. Добавлены материалы по действию радиации на полупроводниковые приборы. Рассмотрены эффекты, возникающие при приближении к субмикронным размерам активных элементов.
Для инженерно-технических работников, занимающихся применением и разработкой элементов микроэлектроники.