Учебное пособие. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1987. — 222 с.
В учебном пособии рассмотрены основные закономерности поглощения
электромагнитного излучения в полупроводниках. Даётся детальное
описание различных видов поглощения (собственное, экситонное,
примесное, свободными носителями заряда и атомами кристаллической
решётки) и иллюстрируются возможности оптических методов для
определения фундаментальных параметров полупроводников.
Значительное внимание уделяется вопросам поглощения ионизирующих
излучений, излучательным процессам в полупроводниках и физическим
явлениям в светоизлучающих приборах.
Основное внимание в данном учебном пособии уделяется взаимодействию с полупроводниками излучения оптического диапазона. В то же время проведено рассмотрение процессов поглощения ионизирующей радиации полупроводниками, используемых на практике в лазерах с накачкой электронным пучком и т.п.
Пособие написано на основе курсов лекций, прочитанных авторами в течение 1975 — 1985 гг. в Томском университете.
Для студентов радиофизических и физических факультетов, специализирующихся по физике полупроводников, оптической и квантовой электронике. Введение Оптические постоянные вещества
Оптические постоянные, их связь между собой и с диэлектрическими постоянными вещества
Методы экспериментального определения оптических постоянных
Классическая и квантовая теории дисперсии оптических постоянных
Литература
Поглощение света в полупроводниках. Собственное поглощение
Виды поглощения. Правила отбора, прямые и непрямые, разрешённые и запрещённые оптические переходы
Собственное поглощение в полупроводниках. Форма края поглощения при прямых оптических переходах
Форма края поглощения при непрямых переходах
Определение ширины запрещённой зоны полупроводника из оптических измерений
Влияние температуры и давления на положение края основного оптического поглощения
Смещение края основного оптического поглощения в сильном магнитном поле. Магнитоосциллирующее поглощение
Влияние сильного электрического поля на собственное поглощение. Эффект Келдыша—Франца
Литература Экситонное и примесное поглощение
Энергетический спектр и волновые функции связанных и несвязанных экситонных состояний
Поглощение, обусловленное образованием экситонов, его влияние на величину и форму края собственного поглощения
Изменение энергетического спектра электронов кристалла при введении примеси
Поглощение при возбуждении и ионизации мелких примесных центров
Поглощение, обусловленное взаимодействием света с ионизованными акцепторами (донорами)
Влияние примесей на собственное поглощение. Собственное поглощение в сильно легированных полупроводниках
Литература Поглощение света свободными носителями заряда
Неселективное поглощение света свободными носителями заряда
Плазменное отражение света. Определение эффективной массы или концентрации свободных носителей заряда из кривой плазменного резонанса
Определение электрофизических параметров из спектров плазменного резонанса
Селективное поглощение света свободными носителями заряда
Магнитооптика свободных носителей
Литература Поглощение света атомами кристаллической решётки
Фоновый спектр кристаллов
Однофононное поглощение (однофононный резонанс)
Плазмон — фононный резонанс
Многофононное поглощение света
Литература
Поглощение ионизирующих излучений
Типы ионизирующих излучений
Взаимодействие ионизирующих излучений с полупроводниками
Источники ионизирующих излучений
Радиационные дефекты в полупроводниках
Радиационная технология полупроводников
Литература Излучательные переходы в полупроводниках
Методы возбуждения люминесценции. Мономолекулярная, метастабильная и рекомбинационная люминесценции
Излучательная рекомбинация свободных электронов и дырок
Примесная излучательная рекомбинация
Безызлучательная рекомбинация
Литература
Светоизлучающие приборы
Светоизлучающие диоды
Физические процессы в полупроводниковых лазерах
Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах
Деградация полупроводниковых лазеров и светодиодов
Литература
Основное внимание в данном учебном пособии уделяется взаимодействию с полупроводниками излучения оптического диапазона. В то же время проведено рассмотрение процессов поглощения ионизирующей радиации полупроводниками, используемых на практике в лазерах с накачкой электронным пучком и т.п.
Пособие написано на основе курсов лекций, прочитанных авторами в течение 1975 — 1985 гг. в Томском университете.
Для студентов радиофизических и физических факультетов, специализирующихся по физике полупроводников, оптической и квантовой электронике. Введение Оптические постоянные вещества
Оптические постоянные, их связь между собой и с диэлектрическими постоянными вещества
Методы экспериментального определения оптических постоянных
Классическая и квантовая теории дисперсии оптических постоянных
Литература
Поглощение света в полупроводниках. Собственное поглощение
Виды поглощения. Правила отбора, прямые и непрямые, разрешённые и запрещённые оптические переходы
Собственное поглощение в полупроводниках. Форма края поглощения при прямых оптических переходах
Форма края поглощения при непрямых переходах
Определение ширины запрещённой зоны полупроводника из оптических измерений
Влияние температуры и давления на положение края основного оптического поглощения
Смещение края основного оптического поглощения в сильном магнитном поле. Магнитоосциллирующее поглощение
Влияние сильного электрического поля на собственное поглощение. Эффект Келдыша—Франца
Литература Экситонное и примесное поглощение
Энергетический спектр и волновые функции связанных и несвязанных экситонных состояний
Поглощение, обусловленное образованием экситонов, его влияние на величину и форму края собственного поглощения
Изменение энергетического спектра электронов кристалла при введении примеси
Поглощение при возбуждении и ионизации мелких примесных центров
Поглощение, обусловленное взаимодействием света с ионизованными акцепторами (донорами)
Влияние примесей на собственное поглощение. Собственное поглощение в сильно легированных полупроводниках
Литература Поглощение света свободными носителями заряда
Неселективное поглощение света свободными носителями заряда
Плазменное отражение света. Определение эффективной массы или концентрации свободных носителей заряда из кривой плазменного резонанса
Определение электрофизических параметров из спектров плазменного резонанса
Селективное поглощение света свободными носителями заряда
Магнитооптика свободных носителей
Литература Поглощение света атомами кристаллической решётки
Фоновый спектр кристаллов
Однофононное поглощение (однофононный резонанс)
Плазмон — фононный резонанс
Многофононное поглощение света
Литература
Поглощение ионизирующих излучений
Типы ионизирующих излучений
Взаимодействие ионизирующих излучений с полупроводниками
Источники ионизирующих излучений
Радиационные дефекты в полупроводниках
Радиационная технология полупроводников
Литература Излучательные переходы в полупроводниках
Методы возбуждения люминесценции. Мономолекулярная, метастабильная и рекомбинационная люминесценции
Излучательная рекомбинация свободных электронов и дырок
Примесная излучательная рекомбинация
Безызлучательная рекомбинация
Литература
Светоизлучающие приборы
Светоизлучающие диоды
Физические процессы в полупроводниковых лазерах
Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах
Деградация полупроводниковых лазеров и светодиодов
Литература