Пособие. — Минск: БГУ, 2014. — 156 с.
Рассмотрены вопросы, связанные с воздействием радиации на
полупроводниковые материалы, а также физические принципы и явления,
лежащие в основе современных ионно—радиационных технологий.
Для студентов учреждения высшего образования, обучающихся по специальности «Физика (по направлениям)». Процессы образования первичных радиационных дефектов в полупроводниках.
Управление составом дефектных центров.
Влияние скоплений дефектов на электрофизические параметры полупроводников.
Возможности технологического использования радиационных дефектов.
Основные особенности ионного внедрения.
Изменения структуры и состава полупроводников, активированных облучением.
Отжиг ионно—имплантированных слоев.
Получение тонких пленок с помощью ионных и молекулярных пучков.
Получение структур методами термического испарения и ионно—плазменного распыления.
Физические основы ядерного легирования полупроводников.
Для студентов учреждения высшего образования, обучающихся по специальности «Физика (по направлениям)». Процессы образования первичных радиационных дефектов в полупроводниках.
Управление составом дефектных центров.
Влияние скоплений дефектов на электрофизические параметры полупроводников.
Возможности технологического использования радиационных дефектов.
Основные особенности ионного внедрения.
Изменения структуры и состава полупроводников, активированных облучением.
Отжиг ионно—имплантированных слоев.
Получение тонких пленок с помощью ионных и молекулярных пучков.
Получение структур методами термического испарения и ионно—плазменного распыления.
Физические основы ядерного легирования полупроводников.