• формат djvu
  • размер 13,33 МБ
  • добавлен 15 августа 2013 г.
Земсков В.С. (ред.). Легированные полупроводниковые материалы
Сборник. — М.: Наука, 1985. — 264 с.
Сборник "Легированные полупроводниковые материалы" содержит работы, выполненные в Институте металлургии им. А.А. Байкова АН СССР, в институтах Академии наук и АН союзных республик, а также в институтах ряда министерств и высших учебных заведений.
Работы посвящены изучению физико-химических основ легирования полупроводниковых материалов и, в частности, рассмотрению следующих вопросов: примесные атомы и уровни, создаваемые ими; диаграммы состояния полупроводник-легирующая добавка; коэффициенты распределения; диффузия легирующих компонентов; макро- и микросегрегация легирующих компонентов; взаимодействие атомов легирующих компонентов с несовершенствами решетки в полупроводниках; строение и распад твердых растворов полупроводник-легирующая добавка.
Основными объектами исследования являлись Ge, Si, полупроводниковые соединения АIIIВV, АIVВVI, АIVВIV, а также твердые растворы на их основе. Исследования выполнены на монокристаллах и эпитаксиальных пленках полупроводниковых материалов.
Сборник представляет интерес для широкого круга специалистов, занимающихся исследованием полупроводниковых материалов, их получением и применением в приборах, работающих в области физики, химии и технологии полупроводников.
Предисловие
Примесные атомы и уровни, создаваемые ими
Воевода Г.П., Дубовой В.К., Литовченко П.Г., Бартновский О.А., Розенфельд А.Б. Глубокие уровни в термообработанном нейтронно-легированном кремнии
Фистуль В.И, Яковенко А.Г., Гвелесиани А.А., Шелонин Е.А., Дмитриева Г.С., Хорт А.М. Исследование комплексообразования в системе германий-медь-донор
Романычев ДА., Заболотникова Г.А., Солнышкова В.И. Исследование примесных состояний серы, селена и теллура в германии
М.Я. Дашевский, Н.Г. Неронова Ю.В. Потапов. Электрические свойства монокристаллов антимонида индия, выращенных из нестехиометрических расплавов
Алтайский Ю.М., Горин С.Н., Плетюшкин А.А., Родионов В.Н. Фотопроводимость и примесные центры в кубическом карбиде кремния
В.Н. Родионов, Л.М Иванова, А.А. Плетюшкин. Влияние примеси бора на фотоэлектрические свойства поликристаллического карбида кремния кубической модификации
А.А. Абдурахимов, А. Мамедов, В.Д. Прочухан, Ю.В Рудь, Сергинов М. Фотоэлектрические свойства легированных монокристаллов CdSiAs2
А.Н. Вейс, Н.А. Ерасова, В.И. Кайданов. Особенности электрофизических и оптических свойств n- и р-Рb1-xGеTе с большим содержанием индия
Никитенко В.А., Терещенко А.И., Кузьмина И.П., Лазаревская О.А., Комарова Е.Е. Спектроскопия дефектов монокристаллов ZnO, легированных донорной и акцепторной примесью
Диаграммы состояния полупроводник - легирующая добавка. Коэффициенты распределения, растворимость легирующих компонентов
Губенко А.Я. Особые точки на линиях ликвидуса и солидуса простых диаграмм состояния и их связь со структурным состоянием расплава
Мохон Е.Н., Веренчикова Р.Г., Водаков Ю.А., Гончаров Е.Е., Ломакина Г.А., Одинг В.Г., Рамм М.Г., Роенков А.Д., Рябова Г.Г. Исследование особенностей легирования монокристаллического SiС при росте сублимационным сандвич-методом
Захаренков Л.Ф., Зыков А.М., Макаренко В.Г., Саморуков Б.Е.Легирование фосфида индия d и f-элементами
Глазов В.М., Передерий Л.И. Получение монокристаллов фосфидов индия и галлия, легированных германием
Васильев М.Г.. Вигдорович В.Н., Селин А.А., Ханин В.А. Фазовые равновесия в системах Sn-In-P, Sn-Ga-In-As и Sn-Ga-In-As-P
Новоселова А.В., Зломанов В.П., Гаськов А.М., Рябова Л.И., Лисина Н.Г.Легирование Рb1-xSnxTe (х=0,00 и 0,20) галлием и кадмием
Эпик А.И., Раукас М.М., Керм К.В. Фазовые равновесия и растворимость серебра в селениде кадмия
Абрикосов Н.Х., Банкина В.Ф., Ефимова Б.А., Кротова Е.Ф. Исследование легирования Cu2-xSe цинком
Диффузия легирующих компонентов
Прохоров В.И., Соколов В.И., Л.М. Сорокин. Реагенная диффузия фосфора в кремний
Усков В.А., Родионов А.И., Власенко Г.Т., Федотов А.Б. Диффузия редкоземельных элементов в кремнии
Гаврилюк Ю.Л., Акилов В.Б., Лифшиц В.Г. Влияние поверхностных фазовых состояний на диффузию золота в кремнии
Хлудков С.С., Чалдышева Н.В., Мищенко О.Б. Влияние типа и концентрации носителей заряда в исходном GaAs на скорость диффузии примеси железа
Горшков А.В., Заитов Ф.А., Шаляпина Г.М., Шангин С.Б. Диффузия, растворимость и механизмы миграции серебра, индия, сурьмы в Cd0,2Hg0,6Te
Макро- и микросегрегация легирующих компонентов
Мильвидский М.Г., Карпов Ю.А., Туровский Б.М., Воронков B.В., Ковалева Т.А. Монокристаллический кремний, легированный некоторыми редкими и переходными элементами
Бахчиева С.Р., Кекуа М.Г., Петров А В., Цыпкина Н.С. Кинетические коэффициенты доэвтектических сплавов системы германий алюминий
Хлебников В.Г., Баташев В.И. Особенности поведения фосфора в процессе выращивания кристаллов кремния с пьедестала
Гарнык В.С., Горин C.Н., Тимонина Н.В. Влияние облучения быстрыми электронами на изменение слоистой неоднородности в бездислокационных монокристаллах кремния
Виданов A.П., Дашевский М.Я., Ольховикова Т.И., Осипов Ю.В., Слободинова Е.Н., Хашимов Ф.Р. Макро- и микросегрегация селена в монокристаллах антимонида индия
Вигдорович Е.Н., Коташевский В.А. Особенности поведения некоторых донорных примесей в эпитаксиальных слоях арсенида-фосфида галлия
Комова Э.М., Ермакова Н.Г., Мощалков В.В., Демишев С.В. Влияние легирования на степень совершенства монокристаллов GaSb(Se)
Кулиш У.М. Зависимость свойств эпитаксиальных слоев Ga-In-As-P от концентрации легирующих примесей и ориентации подложки
Земсков В.С., Лютцау B.Г., Белая А.Д., Костюкова Е.П., Кожемякин Г.Н., Кичкина О.А. Исследование совершенства структуры и термоэлектрических свойств монокристаллов твердых растворов висмут-сурьма-теллур
Бармин И.В., Земсков В.С., Крутоверцев И.Т., Коновалова Н.П., Лаптев А.В., Раухман М.Р. Особенности сегрегации примеси в кристаллах InSb при направленной кристаллизации в зависимости от условий выращивания
Земсков В.С., Раухман М.Р., Лаптев А.В., Бармин И.В., Сенченков А.С., Смирнова И.Г., Пчелинцев С.М. Распределение теллура в кристаллах антимонида индия, полученных в условиях невесомости
Шулъпина И.Л., Сорокин Л.М., Трегубова А.С., Мосина Г.Н., Земсков В.С., Раухман М.Р., Козицына Е.А. Особенности структуры легированных кристаллов антимонида индия с p-n-переходами, выращенных в условиях невесомости
Регель Л.Л., Нгуен Тхань Нги. Сегрегация Bi2Se3 при выращивании твердых растворов Bi2(Te, Se)3 в условиях невесомости
Земсков В.С., Белокурова И.Н., Василина Б.С., Маврин О.И., Титков А.Н., Шулъпина И.Л. Исследование распределения добавок кремния в кристаллах германия, полученных из газовой фазы в условиях невесомости
Взаимодействие атомов легирующих компонентов друг с другом и с несовершенствами кристаллической решетки
Дегтярев В.Ф., Скуднова Е.В., Усманова М.М., Янковская Т.А. Кинетика радиационно-го дефектообразования в германии р-типа, легированном медью
Дегтярев В.Ф., Прокофьева В.К., Скуднова Е В. Взаимодействие меди с кислородом при электронном облучении германия
Высоцкая B.В., Горин С.Н., Меньшикова В.С., Сидоров Ю.А. Влияние термических процессов на образование дефектов в кремнии
Горин C.Н., Калюжная С.И., Сидоров Ю.А., Ткачева Т.М., Шеина М.Н., Эйдензон А.М. Влияние степени легирования на образование и распределение микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра
Карпов Ю.А., Мильвидский М.Г., Петров В.В., Просолович В.С. Влияние эрбия на процессы образования и отжига радиационных дефектов в кремнии р-типа
Белокурова И.Н., Рогуцкий И.С., Шаховцов В.И., Шаховцова С.И. Радиационные акцепторы в твердых растворах Ge-Si
Ерофеев Р.С. Механизм проявления электрической активности изовалентных атомов в полупроводниковых сплавах
Абрикосов Н.Х., Авилов Е.С., Карпинский О.Г., Шелимова Л.Е. Влияние легирования на фазовые переходы в теллуриде германия
Абрикосов Н.Х., Авилов Е.С., Карпинский О.Г., Радкевич О.В., Шелимова Л.Е. Физико-химические свойства теллурида германия, легированного селеном
Георгобиани А.Н., Дементьев Б.П., Коваль Б.А., Котляревский М.Б., Леванович Б.Н., Янкелевич Е.Б., Якубович Н.И. Примесная дырочная проводимость в ионно-легированных монокристаллах ZnSe, отожженных импульсными электронными пучками
Строение и распад твердых растворов полупроводник легирующая добавка
Баграев Н.Т. Исследование распада твердых растворов примесей в кремнии методом оптической поляризации ядерных моментов
Власенко Л.С. Возбужденные триплетные состояния дефектов и оптическая поляризация ядер в кремнии
Гроза А.А., Заславский Ю.И., Литовченко П.Г., Николаева Л.Г., Старчик М.И., Шматко Г.Г. Факторы, влияющие на дефектообразование при распаде пересыщенного твердого раствора кислорода в кремнии
Баранский П.И., Бабич В.М., Доценко Ю.П., Ковальчук В.Б. Некоторые особенности электрофизических свойств n-Si, содержащего кислородные термодоноры разного рода
Мастеров В.Ф., Михрин С.Б., Саморуков Б.Е. Поведение марганца в широкозонных соединениях AIIIBV
Земсков В.С., Стрельникова И.А., Колокольцев В.Н., Арсентьев И.М. Особенности электрофизических свойств антимонида галлия и твердых растворов антимонидов галлия и индия, легированных амфотерной примесью оловом
Кеворков М.Н., Попков А.Н., Рытова Н.С., Успенский В.С. Поведение кремния в антимониде индия
Гогишвили О.Ш., Гварамия З.Г., Кононов Г.Г., Кононыхин В.С., Лавриненко И.П. Распад твердых растворов на основе теллурида германия
Абрикосов Н.Х., Иванова Л.Д., Поликарпова Н.В., Галечян М.Г. Исследование легирования свинцом монокристаллов твердого раствора Bi0,5Sb1,5Te3-Bi2Se3
Богатов Н.М., Хабаров Э.Н. Взаимодействие примесных комплексов в полупроводниках со сфалеритоподобной структурой
Прокофьева Л.В., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Зарубо С.В. Легирование полупроводников при изоэлектронном замещении