М.: Информэлектро, 1988. — С. 1– 44. — (Серия 05. Силовая
преобразовательная техника. Вып. 18).
Освещается состояние разработок и производства силовых
полупроводниковых модулей за рубежом. Рассматриваются
технологические особенности изготовления модулей в зависимости от
величины максимально допустимого тока и применяемых
полупроводниковых структур. Приводятся характеристики и параметры
диодных и диодно-тиристорных модулей, тиристорных модулей с
обратной проводимостью, модулей на асимметричных тиристорах, на
запираемых тиристорах, на быстровосстанавливающихся диодах, а также
транзисторных модулей различных зарубежных фирм. Обзор предназначен
для разработчиков, изготовителей и потребителей силовых модулей.
В.Б. Зильберштейн. С.В. Машнин, В.А. Потапчук, В.Б. Потапчук, А.И.
Фалин.
Содержание:
Введение.
Основные термины и буквенные обозначения.
Общие сведения о силовых полупроводниковых модулях.
Основные параметры керамических подложек.
Силовые модули, выпускаемые ведущими зарубежными фирмами, и их основные характеристики.
Выводы.
Список литературы.
Введение.
Основные термины и буквенные обозначения.
Общие сведения о силовых полупроводниковых модулях.
Основные параметры керамических подложек.
Силовые модули, выпускаемые ведущими зарубежными фирмами, и их основные характеристики.
Выводы.
Список литературы.