Полупроводники в современной физике. Иоффе А. 1954

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Задачи по физике для специальности АУ, 3 семестр. Собственная концентрация носителей; равновесная концентрация электронов и дырок; ширина запрещенной зоны; коэффициент диффузии электронов; удельное сопротивление образца легированного акцепторной примесью; отношение собственной удельной проводимости к минимальной; время жизни неосновных носителей заряда в полупроводнике;скорость поверхностной рекомбинации.

Москва, Издательство "Мир", 1973 год - 413 стр. Книга посвящена исследованию монополярной и двойной инжекции носителей заряда. Рассматриваемые явления имеет большое значение для понимания механизма прохождения тока через изоляторы и полупроводники, служат эффективным средством исследования электрических свойств твердых тел, и кроме того, имеют много важных технических применений, в частности в диэлектрической электронике и оптоэлектронике. Книг...

Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.

Полупроводниковые соединения AIVBIV, Методы выращивания монокристаллов SiC, Применение SiC, Полупроводниковые соединения AIIIBV, Получение соединений AIIIBV, Применение полупроводников AIIIBV, Полупроводниковые соединения AIIBV, Стеклообразные и аморфные полупроводники, Получение гидрогенизированного кремния и его применение.

Самара: ПГУТИ, 2011. – 11 с. Однородные полупроводники и однородные полупроводниковые слои находят весьма узкое применение и используются только в виде различного рода резисторов. Основные элементы интегральных микросхем и большая часть дискретных полупроводниковых приборов представляют собой неоднородные структуры. Большая часть полупроводниковых приборов работает на основе явлений, происходящих в области контакта твердых тел. На практике испол...

Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...

Диэлектрики, полупроводники, металлы. Дж. Слэтер — М.: Мир, 1969, с. 648. Предлагаемая вниманию читателей книга, посвященная основам физики твердого тела, входит в серию книг автора «Квантовая теория молекул и твердых тел». (Ранее, в 1963 г., был издан перевод первой книги этой серии «Электронная структура молекул». ) Автор книги, крупный американский физик-теоретик, специалист в области физики твердого тела, квантовой химии, электроники, известе...

Элементы зонной теории твёрдого тела. Модель атома и св-ва электрона Квантовые числа. Понятие об энергетических уровнях и зонах. Кристаллическая решетка. Свойства полупроводников. Собственный полупроводник. Определение равновесной концентрации зарядов в собственном полупроводнике. Функция распределения Ферми-Дирака. Вероятность распределения электронов по энерг. уровням. Уровни Ферми. Эффективные массы электрона и дырки. Примесные полупроводники....

М. Энергия 1977г. 608 стр Книга К. Шимони "Физическая электроника" представляет собой систематическое изложение современной физической электроники, охватывающей как основные теоретические представления, используемые в этой области физики, и описание важнейших эспериментально устновленных фактов, на которых это изложение основывается, так и приложение важнейших физических идей, выдвинутых в этой области физической науки, для объяснения принципов д...