М.: Наука, 1975. – 140 с.
Сборник статей посвящен физико-химическим аспектам легирования
полупроводников, рассматриваются вопросы: равновесие между фазами и
взаимодействие компонентов в системах полупроводник - легирующие
компоненты, коэффициенты распределения легирующих примесей между
фазами, растворимость легирующих компонентов в полупроводниках и
примесные уровни, термообработка легированных полупроводников,
взаимодействие легирующих компонентов с дислокациями и вакансиями,
диффузия в полупроводниках. Помимо германия и кремния исследованы
соединения типа AIIIBV,
АIIВVI,
АIIВIVCV и другие. Для широкого
круга исследователей и практиков, работающих в области физики,
химии, и технологии полупроводников.
Предисловие.
Примесные уровни, растворимость и диффузия легирующих компонентов в полупроводниках
Ю.А. Клюев, В.И. Непша, Г.Н. Безруков. Примесные центры в алмазе с неглубокими энергетическими уровнями.
В.С. Григорьева, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, А.А. Яковенко. О легировании полупроводникового соединения ZnGeP2.
М.И. Гусева, Н.В. Зотова, А.В. Коваль, Д.Н. Наследов. Поведение германия в арсениде индия, введенного методом ионного легирования.
Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум, А.Ф. Хохлов. Исследование энергетических уровней примесных атомов в кремнии при ионном легировании.
В.С. Земсков, И.Н. Белокурова, Л.Д. Добычина. Положение энергетических уровней золота в германии и в сплавах германия с кремнием.
С.А. Азимов, М.С. Юнусов, Ф.К. Каримов, Г. Хатамкулов, З. Насыров. Исследование диффузии, растворимости и электрических свойств родия в кремнии.
В.А. Усков. В.П. Сорвипа. Диффузия и растворимость железа в арсениде галлия, легированном цинком.
Д.П. Белоцкий, М.К. Махова, М.С. Дундич. Растворимость Sn, Рb, Bi в монокристаллическом CdSb.
Л.Ф. Аленина, А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник. Примесные состояния галлия и таллия в теллуриде свинца.
В.М. Эккерман, Я.Е. Гегузин, Л.П. Гальчинецкий, В.М. Кошкин. Самодиффузия и диффузия кадмия в кристалле In2Те3.
В.В. Исаев-Иванов, Н.М. Колчанова, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин, В.К. Ярмаркин. О возможных состояниях примеси железа в арсениде галлия.
Г.М. Кузнецов, О.В. Пелевин. В.В. Оленин, А.Д. Барсуков. Исследование состояния атомов селена и теллура в арсениде галлия.
Н.X. Абрикосов, А.В. Лаптев, М.С. Миргаловская, М.Р. Раухман. Исследование компенсированных кристаллов InSb p-типа с эффектом грани при низких температурах.
Л.Н. Ильченко, М.С. Миргаловская, Э.М. Комова, М.Р. Раухман, И.А. Стрельникова, Н.Г. Сорокина. Край полосы поглощения легированных кристаллов антимонидов индия и галлия.
Взаимодействие легирующих компонентов и равновесие между фазами при легировании
A.Д. Белая, В.С. Земсков, Т.Е. Свечникова. Взаимодействие между химическими элементами при росте кристаллов легированного антимонида индия.
Л.А. Борисова, Б.А. Колесов, З.Л. Аккерман, В.А. Афанасьева. О легировании арсенида галлия кремнием из расплава.
B.М. Глазов, В.А. Нагиев. Исследования легирования фосфида индия.
А.Я. Потемкин, Е.В. Мельников. Исследование совместной растворимости меди и сурьмы в германии.
А.А. Арифов, Д. Рахимбаев, Д.У. Исламов. Влияние фосфора на растворимость элементов II группы в кремнии.
Э.Т. Абдукаримов, А.Г. Орлов, В.Н. Романенко, А.Ф. Сидоров. Изучение физико-химических процессов, происходящих при кристаллизации легированного теллурида висмута.
Ю.Г. Сидоров, Л.Ф. Васильева, Ю.В. Аграфенин, И. Миотковский. Особенности поведения олова и серы при легировании слоев арсенида галлия в газотранспортном методе.
У.М. Кулиш. Влияние ориентации подложек па свойства пленок GaAs, InхGa1-хAs и AlхGa1-хAs, полученных жидкостной эпитаксией.
П.М. Шурыгин, В.В. Иванов, А.Л. Марбах. Легирование арсенида индия при плавке под слоем флюса.
М.С. Саидов. К молекулярно-статистической теории совместного распределения примесей в полупроводниках.
Н.X. Абрикосов, Л.Д. Иванова. Исследование легированных монокристаллов высшего силицида марганца.
О.Э. Панчук, В.И. Грыцив, Л.П. Щербак, П.И. Фейчук. Д.П. Белоцкий. Особенности распределения серебра, индия и олова в теллуриде кадмия.
М.С. Миргаловская, Э.М. Комова, Л.Н. Ильченко, О.Г. Карпинский. Электрические и оптические свойства твердых растворов антимонида галлия с индием.
Термообработка и дефекты кристаллической структуры в легированных полупроводниках
Л.М. Сорокин, Г.Н. Мосина. Особенности распада твердого раствора кислорода в кремнии.
Т.Л. Тимашева, Л.М. Сорокин. Природа дефектов, возникающих при распаде твердого раствора сурьмы в кремнии.
Л.М. Моргулис, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Влияние термообработки на структуру монокристаллов GaAs, легированного Те.
В.И. Фистуль, П.М. Гринштейн. Исследование кинетики термически обратимых процессов.
В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, Л.М. Моргулис, Г.А. Немцова, Е.В. Соловьева. Влияние отклонения состава расплава от стехиометрии при выращивании на физические свойства арсенида галлия, легированного германием.
Т.Б. Нирк, Ю.А. Варвас. Взаимодействие собственных дефектов с электрически активными примесями в монокристаллах CdSe.
В.М. Зелевинская, Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. Роль вакансий в формировании легированных слоев арсенида галлия после ионного внедрения.
Л.С. Милевский, И.Л. Смольский. Влияние атомов меди на подвижность дислокационных полупетель при пластической деформации германия.
В.Б. Освенский, С.С. Шифрин, М.Г. Мильвидский, Р.Л. Корчажкина. Влияние легирующих примесей па образование и динамическое поведение дислокаций в монокристаллах полупроводников при высоких температурах.
З.И. Чики, И.Л. Шульпина, И.Н. Белокурова. Структурное совершенство кристаллов системы германий-кремний.
Примесные уровни, растворимость и диффузия легирующих компонентов в полупроводниках
Ю.А. Клюев, В.И. Непша, Г.Н. Безруков. Примесные центры в алмазе с неглубокими энергетическими уровнями.
В.С. Григорьева, В.Д. Прочухан, Ю.В. Рудь, А.А. Яковенко. О легировании полупроводникового соединения ZnGeP2.
М.И. Гусева, Н.В. Зотова, А.В. Коваль, Д.Н. Наследов. Поведение германия в арсениде индия, введенного методом ионного легирования.
Е.И. Зорин, П.В. Павлов, Д.И. Тетельбаум, А.Ф. Хохлов. Исследование энергетических уровней примесных атомов в кремнии при ионном легировании.
В.С. Земсков, И.Н. Белокурова, Л.Д. Добычина. Положение энергетических уровней золота в германии и в сплавах германия с кремнием.
С.А. Азимов, М.С. Юнусов, Ф.К. Каримов, Г. Хатамкулов, З. Насыров. Исследование диффузии, растворимости и электрических свойств родия в кремнии.
В.А. Усков. В.П. Сорвипа. Диффузия и растворимость железа в арсениде галлия, легированном цинком.
Д.П. Белоцкий, М.К. Махова, М.С. Дундич. Растворимость Sn, Рb, Bi в монокристаллическом CdSb.
Л.Ф. Аленина, А.Н. Вейс, В.И. Кайданов, Р.Б. Мельник. Примесные состояния галлия и таллия в теллуриде свинца.
В.М. Эккерман, Я.Е. Гегузин, Л.П. Гальчинецкий, В.М. Кошкин. Самодиффузия и диффузия кадмия в кристалле In2Те3.
В.В. Исаев-Иванов, Н.М. Колчанова, В.Ф. Мастеров, Д.Н. Наследов, Г.Н. Талалакин, В.К. Ярмаркин. О возможных состояниях примеси железа в арсениде галлия.
Г.М. Кузнецов, О.В. Пелевин. В.В. Оленин, А.Д. Барсуков. Исследование состояния атомов селена и теллура в арсениде галлия.
Н.X. Абрикосов, А.В. Лаптев, М.С. Миргаловская, М.Р. Раухман. Исследование компенсированных кристаллов InSb p-типа с эффектом грани при низких температурах.
Л.Н. Ильченко, М.С. Миргаловская, Э.М. Комова, М.Р. Раухман, И.А. Стрельникова, Н.Г. Сорокина. Край полосы поглощения легированных кристаллов антимонидов индия и галлия.
Взаимодействие легирующих компонентов и равновесие между фазами при легировании
A.Д. Белая, В.С. Земсков, Т.Е. Свечникова. Взаимодействие между химическими элементами при росте кристаллов легированного антимонида индия.
Л.А. Борисова, Б.А. Колесов, З.Л. Аккерман, В.А. Афанасьева. О легировании арсенида галлия кремнием из расплава.
B.М. Глазов, В.А. Нагиев. Исследования легирования фосфида индия.
А.Я. Потемкин, Е.В. Мельников. Исследование совместной растворимости меди и сурьмы в германии.
А.А. Арифов, Д. Рахимбаев, Д.У. Исламов. Влияние фосфора на растворимость элементов II группы в кремнии.
Э.Т. Абдукаримов, А.Г. Орлов, В.Н. Романенко, А.Ф. Сидоров. Изучение физико-химических процессов, происходящих при кристаллизации легированного теллурида висмута.
Ю.Г. Сидоров, Л.Ф. Васильева, Ю.В. Аграфенин, И. Миотковский. Особенности поведения олова и серы при легировании слоев арсенида галлия в газотранспортном методе.
У.М. Кулиш. Влияние ориентации подложек па свойства пленок GaAs, InхGa1-хAs и AlхGa1-хAs, полученных жидкостной эпитаксией.
П.М. Шурыгин, В.В. Иванов, А.Л. Марбах. Легирование арсенида индия при плавке под слоем флюса.
М.С. Саидов. К молекулярно-статистической теории совместного распределения примесей в полупроводниках.
Н.X. Абрикосов, Л.Д. Иванова. Исследование легированных монокристаллов высшего силицида марганца.
О.Э. Панчук, В.И. Грыцив, Л.П. Щербак, П.И. Фейчук. Д.П. Белоцкий. Особенности распределения серебра, индия и олова в теллуриде кадмия.
М.С. Миргаловская, Э.М. Комова, Л.Н. Ильченко, О.Г. Карпинский. Электрические и оптические свойства твердых растворов антимонида галлия с индием.
Термообработка и дефекты кристаллической структуры в легированных полупроводниках
Л.М. Сорокин, Г.Н. Мосина. Особенности распада твердого раствора кислорода в кремнии.
Т.Л. Тимашева, Л.М. Сорокин. Природа дефектов, возникающих при распаде твердого раствора сурьмы в кремнии.
Л.М. Моргулис, М.Г. Мильвидский, В.Б. Освенский. Влияние термообработки на структуру монокристаллов GaAs, легированного Те.
В.И. Фистуль, П.М. Гринштейн. Исследование кинетики термически обратимых процессов.
В.В. Каратаев, М.Г. Мильвидский, Л.М. Моргулис, Г.А. Немцова, Е.В. Соловьева. Влияние отклонения состава расплава от стехиометрии при выращивании на физические свойства арсенида галлия, легированного германием.
Т.Б. Нирк, Ю.А. Варвас. Взаимодействие собственных дефектов с электрически активными примесями в монокристаллах CdSe.
В.М. Зелевинская, Г.А. Качурин, Н.Б. Придачин, Л.С. Смирнов. Роль вакансий в формировании легированных слоев арсенида галлия после ионного внедрения.
Л.С. Милевский, И.Л. Смольский. Влияние атомов меди на подвижность дислокационных полупетель при пластической деформации германия.
В.Б. Освенский, С.С. Шифрин, М.Г. Мильвидский, Р.Л. Корчажкина. Влияние легирующих примесей па образование и динамическое поведение дислокаций в монокристаллах полупроводников при высоких температурах.
З.И. Чики, И.Л. Шульпина, И.Н. Белокурова. Структурное совершенство кристаллов системы германий-кремний.