Магістерська робота: ТНПУ ім. В. Гнатюка, Тернопіль, 2013, 56 с. У
роботі теоретично та експериментально досліджувались спектри
модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT–GaAs,
LT–(Ga,Mn)As. Теоретично досліджено функції, які описують спектри
модуляційного фотовідбивання; експериментально отримано спектри
модуляційного фотовідбивання для епітаксійних плівок LT–GaAs,
LT–Ga0,992Mn0,008As, LT–Ga0,99Mn0,01As, LT–Ga0,98Mn0,02As та
LT–Ga0,94Mn0,06As; засобами пакету MatLab апроксимовано
експериментальні спектри відповідними теоретичними залежностями;
проаналізовано отримані результати.
Теоретична новизна роботи полягає у тому, що у ній отримано
формули, які надають змогу спростити аналіз експериментальних
спектрів модуляційного фотовідбивання. За допомогою отриманих
формул, можна у певних випадках доволі точно визначати початкові
параметри апроксимації таких спектрів. З іншого боку, новизною
роботи стало експериментальне встановлення того, що енергія
переходу ЕSO (енергія переходу з підзони спін-орбітально
відщеплених дірок у зону провідності) становить приблизно 1,77 еВ
та практично не залежить від вмісту марганцю в епітаксійних плівках
LT–(Ga,Mn)As за його невеликого (до 6%) вмісту у них. Висловлено
гіпотезу, яка може пояснювати такий експериментально встановлений
факт.
Аналіз спектрів модуляційного фотовідбивання епітаксійних плівок LT-GaAs, LT-(Ga, Mn)As
