/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович
- М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в
электронике).
Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и
структурных параметров полупроводниковых материалов и
эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической
реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей,
даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок
измерений. Приводятся сведения о контрольно-измерительных средствах
лабораторного и промышленного применения и их характеристиках.
Для инженерно-технических работников, занимающихся контролем
качества и исследованием физических свойств полупроводниковых
материалов и структур.
Несмотря на солидный возраст издания, книга не потеряла своей
актуальности и в настоящее время в связи с практически полным
отсутствием современной отечественной литературы аналогичного
уровня. В особенности она может быть полезна преподавателям и
студентам при изучении дисциплин, связанных с полупроводниковым
материаловедением.
Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур
Похожие разделы
Смотрите также
Ван дер Зил. Шум: Источники, измерения, описание
Ван дер Зил А. Шум. Источники, измерения, описание. (пер. с англ. ) - Москва Сов. радио, 1973 - 228 стр. В книге приводятся теоретические и экспериментальные сведения об источниках шума в в полупроводниковых приборах. Содержание: Введение. Математические методы. Описание шумов. Измерение шума. Тепловой шум и шум генерации-рекомбинации. Дробовой шум, шум токораспределения и фликкер-шум. Шум в конкретных устройствах. Смесители. Приложение.
Воробьев Ю.В. и др. Методы исследования полупроводников
/ Ю. В. Воробьев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха. К.: Выща шк. Головное изд-во, 1988. - 232 с. , 125 ил. - Библиогр. : 35 назв. ISBN 5-11-000230-4 В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника). И...
Воробьев Ю.В., Добровольский В.Н. и др. Методы исследования полупроводников
Киев, "Выща школа", 1988 - 232 стр. , 125 илл. В учебном пособии рассмотрены методы определения основных параметров полупроводниковых материалов (удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда, термических, термоэлектрических и рекомбинационных параметров, а также параметров, характеризующих поверхность полупроводника).
Глинченко А.С. Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий
- Москва: ДМК Пресс, 2008. - 352 с. В книге рассмотрены задачи, методы и особенности автоматизированного лабораторного практикума с удаленным доступом (АЛП УД) по исследованию полупроводниковых приборов, приведено описание реализующей его системы АЛП УД «Электроника», в том числе входящего в ее состав аппаратно-программного комплекса (АПК) «Электроника», разработанного на основе технологии корпорации National Instruments в региональном инновацион...
Исследование полупроводниковых выпрямительных диодов
измерение вольтамперных характеристик (ВАХ) кремниевого диода КД103 и диода Шоттки 1N5817, сравнительная оценка полученных характеристик и определение параметров диодов
Курносов А.И. Материалы
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...
Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов
Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.
Никифорова-Денисова С.Н., Любушкин Е.Н. Термические процессы
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 5. - М.: Высшая школа, 1989. - 96 с.: ил. В книге описаны технологические процессы формирования диэлектрических и поликристаллических кремниевых пленок на поверхности полупроводниковых пластин, а также эпитаксиального наращивания. Приведены режимы обработки, характеристики используемого оборудования, последовательность и особенности выполнения...
Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов
Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей
Семёнов Ю.Г. Контроль качества
Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн. 10. - М.: Высшая школа, 1990. - 111 с.: ил. В книге описаны методы и технические средства контроля и измерений параметров полупроводниковых приборов и ИМС, а также различные виды их испытаний. Приведены основы статистической обработки результатов измерений и испытаний. Рассмотрены типовые измерительные схемы и компоновка высокопроизводительных...