Ченг Л., Плог К. Молекулярно-Лучевая Эпитаксия и Гетероструктуры

формат djvu
размер 5.35 МБ
добавлен 12 июня 2010 г.

М., Мир, 1989 г. 600 стр., перевод с англ. под ред. Алферова Ж. И. и Шмарцева Ю. В. В коллективной монографии ведущих американских и западноевропейских ученых дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкопленочных структур - одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешеток (в том числе квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В книге рассмотрены основные принципы МЛЭ, конкретные способы создания различных гетероструктур методом МЛЭ, электронные свойства гетероструктур, результаты по реализации приборов с гетеропереходами (гетеролазеров, фотоприемников и сверхбыстродействующих полевых транзисторов).

Для специалистов в области физики полупроводников и полупроводниковой электроники.

Похожие разделы

Смотрите также

Галкин Н.Г. Физические основы наноэлектроники

формат doc
размер 9.14 МБ
добавлен 03 июля 2011 г.

Лекции. - Владивосток, ДВФУ, 2007. - 182 с. 1 Физика объемных полупроводников Кристаллическая структура и зонная энергетическая структура основных полупроводников Теория донорных (акцепторных) уровней и статистика равновесных носителей. Электрические, оптические и тепловые свойства Максимальная дрейфовая скорость в полупроводниках: стационарная дрейфовая скорость, всплеск дрейфовой скорости 2 Полупроводниковые P-N переходы и гетеропереходы...

Козырева Л.В. Ресурсосберегающие нанотехнологии на предприятиях технического сервиса

формат doc
размер 13.72 МБ
добавлен 08 августа 2011 г.

Монография. - Тверь, ТГТУ, 2010. - 188 с. Исследуются основные направления развития нанотехнологии в области создания наноматериалов методом химического газофазного осаждения металлоорганических соединений и углеводородов. Представлены результаты изучения термодинамики процессов получения наноструктур, молекулярно-кинетической модели формирования наноразмерных пленок, обоснование выбора исходных реагентов, технологических режимов, оборудования д...

Кузнецов Г.Д., Кушхов А.Р., Билалов Б.А. Элионная технология в микро - и наноиндустрии

формат djvu
размер 4.54 МБ
добавлен 22 июня 2011 г.

Курс лекций. - Москва, МИСиС, 2008. - 156 с. В учебном пособии рассматриваются закономерности изменения параметров тонкопленочных гетерокомпозиций материалов электронной техники при воздействии электронных, ионных потоков и низкотемпературной плазмы для микро- и наноразмерных устройств с улучшенными характеристиками. Цель данного пособия - формирование современных представлений и достижений в области микро- и наноиндустрии. Учитывая, что в рассм...

Кузнецов Г.Д., Симакин С.Б., Демченкова Д.Н. Микро - и нанотехнологии пленочных гетерокомпозиций

формат djvu
размер 5.58 МБ
добавлен 18 июня 2011 г.

Курс лекций. - Москва, МИСиС, 2008. - 191 с. В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра - Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменн...

Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Красильник З.Ф. Метод молекулярно - пучковой эпитаксии и его применение для формирования SiGe наноструктур

Практикум

формат pdf
размер 907.15 КБ
добавлен 07 августа 2011 г.

Практикум. - Нижний Новгород, ННГУ, 2010. - 37 с. Целью практикума является ознакомление на примере гетеропары германий – кремний с физическими и технологическими основами метода молекулярно-пучковой эпитаксии полупроводниковых наноструктур. Работа предназначена для студентов старших курсов физических специальностей, специализирующихся на изучении физики полупроводников.

Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В. Рост Ge(Si) самоформирующихся наноотростков на подложках Si(001) методом молекулярно пучковой эпитаксии

формат pdf
размер 420.54 КБ
добавлен 07 августа 2011 г.

Электронное методическое пособие. - Нижний Новгород, ННГУ, 2010. - 17 с. В настоящее время на основе полупроводниковых гетероструктур создаются разного рода низкоразмерные системы (квантовые ямы, нити и точки), в которых наряду с изменением физических свойств объектов возникают новые физические эффекты, связанные с пространственным ограничением движения носителей заряда. На основе гетероструктур были созданы и теперь уже являются коммерчески дос...

Малышев К.В. и др. Методы формирования наноструктур при производстве наноприборов. Часть 1: Молекулярно-лучевая эпитаксия нанослоев, нанонитей и наночастиц

формат pdf
размер 1.19 МБ
добавлен 29 ноября 2010 г.

Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2007. - 49 с. Рассматриваются процессы изготовления наноструктур различных размерностей. В первой части рассмотрены методы выращивания 2D- наноструктур (нанослоев), 1D-наноструктур (нанонитей) и 0D- наноструктур (наночастиц) с помощью молекулярно лучевой эпитаксии (МЛЭ). Для студентов специальности «Проектирование и технология радиоэлектронных средств».

Молекулярно-пучковая эпитаксия

формат pdf, doc
размер 8.48 МБ
добавлен 23 мая 2007 г.

Статьи по получению квантовых точек методом МПЭ.

Мухоротов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок

формат pdf
размер 1.87 МБ
добавлен 12 августа 2011 г.

Учебное пособие. - Ростов на Дону, ЮФУ, 2007. - 84 с. Целью данного пособия является демонстрация особенностей проявления сегнетоэлектрического состояния в наноразмерных сегнетоэлектриках. Книга рассчитана в первую очередь на магистров, работающих над данной проблемой.

Ответы на вопросы к зачету по нанотехнологиям

Шпаргалка

формат doc
размер 207.5 КБ
добавлен 26 декабря 2011 г.

В файле приведены краткие ответы к зачету по нанотехнологиям Вопросы к зачету по предмету «Наноматериалы и нанотехнологии» Какие объекты являются предметом исследования науки, называемой «Нанотехнологией» Приведите одно из наиболее употребляемых определений нанообъекта Что такое волна де Бройля? Почему считается, что волна де Бройля определяет геометрические параметры нанообъектов? Что такое критический размер нанообъекта? Почему количество повер...