Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников

формат djvu
размер 4.41 МБ
добавлен 14 февраля 2011 г.

Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений.
В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах.
Приведены физические процессы, происходящие при очистке и выращивании монокристаллов полупроводниковых материалов.
Книга предназначена для учащихся техникумов, вместе с тем она будет полезна студентам высших технических учебных заведений и специалистам, работающим в области производства полупроводниковых материалов и приборов.

Смотрите также

Асессоров В.В., Быкадорова Г.В., Ткачев А.Ю. Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD

формат pdf
размер 647.49 КБ
добавлен 14 декабря 2010 г.

Учебное пособие для вузов. Воронеж, 2007, 27 с. Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Основы теории МДП транзисторов. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD. Для специальности: 010803 (014100) - Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а...

Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение Контакта Металл-Полупроводник в Электронике

формат djvu
размер 3.17 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов

формат pdf
размер 1.02 МБ
добавлен 15 марта 2011 г.

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 1998. - 94 с. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом. Рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, гер...

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 3.81 МБ
добавлен 01 июля 2011 г.

Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

формат pdf
размер 8.57 МБ
добавлен 05 марта 2010 г.

Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

Методическое указание по полупроводникам и диодам

формат pdf
размер 468.02 КБ
добавлен 31 декабря 2006 г.

Полупроводниковые диоды. Основы физики полупроводников. Удельная электропроводность. Влияние температуры. Влияние примеси. Влияние света, ионизирующих излучений, энергетических воздействий. Зонная теория твердого тела. Статистическая функция Ферми-Дирака. Электронно-дырочные пары. Рекомбинация. Собственные полупроводники. Примесные полупроводники. Дрейфовый ток. Подвижность носителей заряда. Диффузионный ток. Коэффициент диффузии. Электронно-дыро...

Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.36 МБ
добавлен 15 августа 2011 г.

М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.

Родерик Э.Х. Контакты Металл-Полупроводник

формат djvu
размер 2.42 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки. Для студентов ра...

Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе

формат djvu
размер 4.45 МБ
добавлен 17 января 2010 г.

М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.

Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В. Электронные приборы

формат pdf
размер 2.42 МБ
добавлен 06 августа 2011 г.

Казань: Казан. гос. техн. ун-т, 2009. - 270 с. Учебное пособие по факультативной дисциплине "Электронные приборы" предназначено для подготовки дипломированного специалиста по специальности 200101 "Приборостроение". Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в соврем...