Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной
программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для
специальных средних технических учебных заведений.
В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание
строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие
в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в
полупроводниковых кристаллах.
Приведены физические процессы, происходящие при очистке и
выращивании монокристаллов полупроводниковых материалов.
Книга предназначена для учащихся техникумов, вместе с тем она будет
полезна студентам высших технических учебных заведений и
специалистам, работающим в области производства полупроводниковых
материалов и приборов.
Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников
Смотрите также
Асессоров В.В., Быкадорова Г.В., Ткачев А.Ю. Моделирование полевых полупроводниковых приборов в САПР ISE TCAD
Учебное пособие для вузов. Воронеж, 2007, 27 с. Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Основы теории МДП транзисторов. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD. Для специальности: 010803 (014100) - Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а...
Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение Контакта Металл-Полупроводник в Электронике
М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...
Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов
М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 1998. - 94 с. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом. Рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, гер...
Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов
Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...
Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы
Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.
Методическое указание по полупроводникам и диодам
Полупроводниковые диоды. Основы физики полупроводников. Удельная электропроводность. Влияние температуры. Влияние примеси. Влияние света, ионизирующих излучений, энергетических воздействий. Зонная теория твердого тела. Статистическая функция Ферми-Дирака. Электронно-дырочные пары. Рекомбинация. Собственные полупроводники. Примесные полупроводники. Дрейфовый ток. Подвижность носителей заряда. Диффузионный ток. Коэффициент диффузии. Электронно-дыро...
Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов
М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.
Родерик Э.Х. Контакты Металл-Полупроводник
М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки. Для студентов ра...
Хамакава Й. Аморфные полупроводники и приборы на их основе
М: Металлургия, 1986 г., пер. с англ. под ред. С. С. Горелика Рассмотрены структура и классификация аморфных полупроводников, электронное строение, структурные дефекты и примеси, оптические и электрические свойства, оптически стимулированные явления в халькогенидных стеклах. Приведены данные о выращивании и свойствах аморфных гидридов кремния. Показаны области применения аморфных полупроводников.
Червяков Г.Г., Прохоров С.Г., Шиндор О.В. Электронные приборы
Казань: Казан. гос. техн. ун-т, 2009. - 270 с. Учебное пособие по факультативной дисциплине "Электронные приборы" предназначено для подготовки дипломированного специалиста по специальности 200101 "Приборостроение". Приведены основы физики полупроводников как базы для реализации элементов полупроводниковой твердотельной электроники и микроэлектроники. Рассмотрены физические процессы, протекающие в полупроводниковых приборах, используемых в соврем...