Родерик Э.Х. Контакты Металл-Полупроводник

формат djvu
размер 2.42 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М.: Радио и связь, 210 стр., 1982 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник. Рассматривается физическая модель контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник. Рассматриваются эквивалентная схема и параметры контактов. Особое внимание уделяется омическим контактам металл— полупроводник, диодам Шоттки и транзисторам с затвором Шоттки.
Для студентов радиофизических, физических и электронных специальностей вузов, занимающихся вопросами физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Книга может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам.

Смотрите также

Валиев К.А., Пашинцев Ю.И., Петров Г.В. Применение Контакта Металл-Полупроводник в Электронике

формат djvu
размер 3.17 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

Гаврилов Р.А., Скворцов М.А. Технология производства полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 3.81 МБ
добавлен 01 июля 2011 г.

Л.: «Энергия», 1968. - 240 с. В книге рассматриваются основные технологические процессы, используемые в производстве полупроводниковых приборов и полупроводниковых интегральных схем. Наибольшее внимание уделено процессам вплавления-рекристаллизации и диффузии, в результате проведения которых образуется электронно-дырочный переход. Планарной технологии, которая в последнее время стала широко применяться как для изготовления различных типов кремние...

Гаман В.И. Физика полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.31 МБ
добавлен 28 мая 2009 г.

Томск, 1989. - 336 с. Один из лучших известных учебников по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности; биполярные и полевые транзисторы; приборы с ВАХ S-типа.

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree

формат doc
размер 2.46 МБ
добавлен 20 сентября 2010 г.

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Курносов А.И. Материалы

формат djvu
размер 859.78 КБ
добавлен 29 августа 2011 г.

Серия "Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники". В 10 кн.: Учебник для ПТУ. Кн .2. - М.: Высшая школа, 1989. -96 с.: ил. В книге описаны электрофизические свойства и строение материалов, используемых при производстве полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Рассмотрены полупроводниковые материалы, материалы, применяемые при их механической и химической обработке, фотолитографии, диффузии, защите и герметизац...

Лавриненко В.Ю. Справочник по полупроводниковым приборам

Справочник

формат djvu
размер 3.35 МБ
добавлен 30 ноября 2011 г.

Киев, 1966, 308 с. Справочник содержит данные об основных типах термисторов, фотосопротивлений, селеновых и купроксных выпрямителей, германиевых и кремниевых диодов, плоскостных транзисторов с указанием области их применения. В справочнике дана новая классификация диодов и транзисторов и сведения по новым типам полупроводниковых приборов. Предназначен для инженеров, техников и радиолюбителей, работающих в области использования полупроводниковых п...

Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник

формат djvu
размер 3.83 МБ
добавлен 03 июля 2010 г.

К.: Наукова думка, 1978. - 316 с. Оглавление Биполярные генерационные процессы в структурах МДП Результаты экспериментального исследования биполярных генерационных процессов в кремниевых структурах МДП Взаимосвязь генерационных и рекомбинационных параметров структур МДП Перенос заряда и полевая генерация в диэлектриках Полевая генерация в полупроводниковой подложке Туннельная спектроскопия Туннельные генерационные явления в структурах МДП с толст...

Мамедов Р.К. Контакты Металл-Полупроводник с Электрическим Полем Пятен

формат pdf
размер 2.48 МБ
добавлен 17 сентября 2011 г.

Баку, БГУ, 2003, 231 стр. Рассмотрены электрофизические процессы в реальных контактах металл – полупроводник, в приконтакной полупроводниковой области которых возникает дополнительное электрическое поле контактной разности потенциалов (поле пятен) как между микроучастками с различными высотами потенциальных барьеров на контактной поверхности, так и между контактной поверхностью и примыкающими к ней свободными поверхностями металла и полупроводник...

Першенков В.С., Попов В.Д., Шальнов А.В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем

формат djvu
размер 25.21 МБ
добавлен 30 ноября 2010 г.

М.: Энергоатомиздат, 1988, 256 с. Проанализировано влияние поверхностных радиационных эффектов в структуре диэлектрик-полупроводник на свойства элементов интегральных микросхем со структурой металл-диэлектрик-полупроводник и элементов биполярных интегральных микросхем. Рассмотрены физические модели, которые можно использовать при проектировании и создании интегральных микросхем, предназначенных для работы в условиях воздействия ионизирующего излу...

Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Vol.2. Process Integration

формат pdf
размер 44.19 МБ
добавлен 30 января 2011 г.

Sunset Beach, CA: Lattice Press, 1990. - 785 p. (на англ яз. ). Книга известного американского специалиста проф. Стэнли Волфа является вторым томом широко известной серии из 4-х книг, охватывающей практически все аспекты технологии СБИС. Несмотря на то, что этот том написан в 1990 г., во многом книга не потеряла своей ценности и в настоящее время, в частности, из-за полноты охвата темы, а также ясного и точного стиля изложения. Книга посвящена во...