Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов. -
М.: МИЭТ, 2011, 56 с.
Рассмотрены особенности формирования пористого анодного оксида
алюминия, а также особенности формирования полупроводниковых
соединений катодным осаждением в матрицу пористого анодного оксида
алюминия. Приведен пример расчета и построения диаграммы Пурбэ.
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, соответствующей тематическому направлению деятельности ННС Наноэлектроника.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлениям 210100 Электроника и наноэлектроника и 150100 Материаловедение и технология материалов.
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника и наноэлектроника, соответствующей тематическому направлению деятельности ННС Наноэлектроника.
Предназначено для студентов, обучающихся по направлениям 210100 Электроника и наноэлектроника и 150100 Материаловедение и технология материалов.