Похожие разделы

Алехин А.П. Физико-химические основы микро - и наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 4.91 МБ
  • добавлен 19 октября 2014 г.
Учеб. пособие. — М.: Можайский полиграфический комбинат оформление, 2011. — 184 с. — ISBN 978-5-8493-0202-7 Данное учебное пособие посвящено физическим, химическим и технологическим основам микро- и наноэлектроники. Подробно рассмотрены современные технологические процессы, используемые при создании электронных устройств: литография, травление, ионная имплантация, нанесение пленок диэлектриков, металлизация. Для каждого из процессов приводится фи...

Амиров И.И. Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро-наномеханических устройств

Дисертация
  • формат pdf
  • размер 2,70 МБ
  • добавлен 06 ноября 2016 г.
Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 05.27.01. – Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах. — Ярославский филиал Учреждения Российской академии наук Физико-технологического института РАН. — Москва, 2010. — 43 с. Целью работы являлось разработка физических основ плазменного микро- и наноструктурирования поверхности на основе исс...

Аплеснин С.С. Основы спинтроники

  • формат pdf
  • размер 19,90 МБ
  • добавлен 1 апреля 2015 г.
2-е изд. — СПб.: Лань, 2010. — 288 c. — ISBN 978-5-8114-1060-6. Приведены основные сведения об электрических и магнитных свойствах твердых тел. Рассмотрены физические основы работы твердотельных устройств. Изложены физические процессы управления поведением электронов в твердых телах. Пособие предназначено для студентов старших курсов и аспирантов, а также для всех интересующихся новейшими материалами и электронными технологиями. Оглавление Типы...

Балашов А.Г., Крупкина Т.Ю., Лосев В.В., Старосельский В.И. Наноэлектронные устройства и их модели

  • формат pdf
  • размер 2.21 МБ
  • добавлен 05 сентября 2012 г.
Учебное пособие. - Москва, МИЭТ, 2010. - 98 с. Основные параметры МДП транзистора Структуры наноразмерных МДПТ Масштабирование МДП-транзисторов Влияние параметров транзисторов на характеристики ИМС Основные параметры идеализированного транзистора Ограничение скорости носителей в канале Модуляция длины канала Коэффициент усиления Подвижность носителей в канале Подпороговый ток Эффекты малых размеров Модель МДПТ в SPICE Учет техноло...

Бобринецкий И.И. Формирование и исследование электрофизических свойств планарных структур на основе углеродных нанотрубок

Дисертация
  • формат pdf
  • размер 3.63 МБ
  • добавлен 17 августа 2011 г.
Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук. - Москва, МИЭТ, 2004. - 149 с. Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах Оглавление Введение 1 Состояние вопроса по созданию планарных квантовых проводников на основе углеродных нанотрубок и квазиодномерных структур 1.1 Основные направления в нанотехнологии планарных одномерных провод...

Борисенко В.Е. и др. Наноэлектроника. Часть 3. Перенос носителей заряда в низкоразмерных структурах

  • формат pdf
  • размер 1.3 МБ
  • добавлен 08 ноября 2010 г.
Минск, БГУИР, 2004. - 88 с. Учебное пособие. В третей части учебного пособия рассмотрены основные направления в создании устройств с одноэлектронным переносом носителей заряда, их основные типы и принципы работы.

Борисенко В.Е., Воробьева А.И. Наноэлектроника. Часть 1. Физические основы наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 1.02 МБ
  • добавлен 08 января 2011 г.
Минск, БГУИР, 2003. - 41 с. Учебное пособие. В первой части рассмотрена физическая природа и основные закономерности проявления фундаментальных явлений (квантовые ограничения, баллистический транспорт и квантовая интерференция, туннелирование).

Борисенко В.Е., Воробьева А.И. Наноэлектроника. Часть 2. Нанотехнология

  • формат pdf
  • размер 1.89 МБ
  • добавлен 08 ноября 2010 г.
Минск, БГУИР, 2003. - 76 с. Учебное пособие. Учебное пособие составлено на основе курса лекций "Нанотехнология", читаемого студентам специальности "Микроэлектроника" дневной формы обучени. Во второй части рассмотрены основные известные и нетрадиционные методы изготовления наноразмерных структур и функциональных слоев на их основе.

Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Данилюк А.Л., Уткина Е.А. Наноэлектроника: теория и практика

  • формат pdf
  • размер 14,32 МБ
  • добавлен 1 апреля 2015 г.
3-е изд. (эл.) — М.: Бином. Лаборатория знаний, 2013. — 366 с. — (Учебник для высшей школы). — ISBN 978-5-9963-2104-9 Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники. Наряду...

Борисенко В.Е., Воробьева А.И., Данилюк А.Л., Уткина Е.А. Серия Нанотехнологии. Наноэлектроника: теория и практика

  • формат djvu
  • размер 4,12 МБ
  • добавлен 1 апреля 2015 г.
Учебник для высшей школы. — 3-е издание. — М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. — 366 с. Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники. Наряду с обновленным и расширенным...

Брусенцов Ю.А., Минаев А.М., Филатов И.С. Материалы твёрдотельной микро - и наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 1,41 МБ
  • добавлен 28 октября 2013 г.
Учебное пособие. — Тамбов, Изд-во ФГБОУ ВПО «ТГТУ», 2012. — 80 с. Учебное пособие посвящено материалам, применяемым в микро- и наноэлектронике. Рассмотрены типы химической связи, структура и свойства полупроводниковых соединений типа AIIIBV и A2VB3VI. Представлены типы основных магнитных оксидных материалов, применяемых в микро- и наноэлектронике, основы теории перехода материалов в жидкокристаллическое состояние, используемое для создания цифров...

Вдовичев С.Н. Современные методы высоковакуумного напыления и плазменной обработки тонкопленочных металлических структур

  • формат pdf
  • размер 1,07 МБ
  • добавлен 21 октября 2012 г.
Электронное учебно-методическое пособие. – Нижний Новгород, ННГУ, 2012. – 60 с. В учебно-методическом пособии рассматриваются современные базовые методы нанотехнологий металлической наноэлектроники - напыление в вакууме и вакуумная плазмохимическая обработка тонкопленочных структур. Излагаются основы вакуумной техники, необходимые для работы на современных напылительных установках. Приведены схемы компоновки вакуумных систем и изложены принципы п...

Вейко В.П. Лазерные микро - и нанотехнологии в микроэлектронике

  • формат pdf
  • размер 13.66 МБ
  • добавлен 31 декабря 2011 г.
Опорный конспект лекций. - Санкт-Петербург, НИУ ИТМО, 2011. – 141 с. Опорный конспект лекций для бакалавров и магистров направлений 200500 "Лазерная техника и лазерные технологии", 200200 "Оптотехника", 223200 "Техническая физика", 200700 "Фотоника и оптоинформатика", 200100 "Приборостроение", а также для студентов специальностей 200201 "Лазерная техника и лазерные технологии", 210401 "Физика и техника оптической связи". Курс также может быть пол...

Воронцова К.В., Каримов И.Г., Левицкий В.С., Матюшкин Л.Б., Накаряков А.С. Тушение электролюминесценции полидифениленфталида квантовыми точками PbS

  • формат pdf
  • размер 813,08 КБ
  • добавлен 07 апреля 2013 г.
Нанотехнологии: наука и производство. 2012. №6, с.63-67. Изучена электролюминесценция пленок полидифениленфталида на переменном токе при введении в матрицу полимера квантовых точек PbS Ключевые слова: электролюминесценция, квантовая точка, полидифениленфталид, диод, генератор напряжения Введение Методы и объект исследования Результаты измерений

Вьюрков В.В., Гридчин В.А., Драгунов В.П. Наноэлектроника. Часть 1. Введение в наноэлектронику

  • формат djvu
  • размер 11,20 МБ
  • добавлен 1 апреля 2015 г.
Москва, МГТУ им. Н.Э.Баумана, 2009. - 712 с. В первой части книги излагаются основные вопросы физики твердотельных систем пониженной размерности, последовательно рассматриваются особенности энергетического спектра частиц, транспортных и оптических свойств и процессы переноса частиц в различных квантово-размерных структурах. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников соответствующего профиля, а также для студентов техническ...

Гаврилов С.А., Белов А.Н. Низкотемпературные процессы в технологии наноэлектроники и наносистем

  • формат pdf
  • размер 10,23 МБ
  • добавлен 19 ноября 2012 г.
Учебно-методическое пособие для самостоятельной работы студентов. - М.: МИЭТ, 2011, 56 с. Рассмотрены особенности формирования пористого анодного оксида алюминия, а также особенности формирования полупроводниковых соединений катодным осаждением в матрицу пористого анодного оксида алюминия. Приведен пример расчета и построения диаграммы Пурбэ. Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 Электроника...

Гаврилов С.А., Белов А.Н., Железнякова А.В. Низкотемпературные процессы в технологии наноэлектроники и наносистем

  • формат pdf
  • размер 5,51 МБ
  • добавлен 11 апреля 2013 г.
Конспект лекций по дисциплине. — М.: МИЭТ, 2011. — 172 с. — ISBN 978-5-7256-0652-2 Рассмотрены электрохимические и химические процессы модифицирования поверхности и нанесения покрытий в технологии создания наноструктур. Особое внимание уделено процессам анодного окисления и растворения и катодного осаждения материалов, формирования пористых наноструктур. Отдельная лекция посвящена химическому методу формирования полупроводниковых соединений из во...

Галкин Н.Г. Физические основы наноэлектроники

  • формат doc
  • размер 9.14 МБ
  • добавлен 03 июля 2011 г.
Лекции. - Владивосток, ДВФУ, 2007. - 182 с. 1 Физика объемных полупроводников Кристаллическая структура и зонная энергетическая структура основных полупроводников Теория донорных (акцепторных) уровней и статистика равновесных носителей. Электрические, оптические и тепловые свойства Максимальная дрейфовая скорость в полупроводниках: стационарная дрейфовая скорость, всплеск дрейфовой скорости 2 Полупроводниковые P-N переходы и гетеропереходы...

Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний - материал наноэлектроники

  • формат pdf
  • размер 18.46 МБ
  • добавлен 20 июля 2011 г.
Москва: Техносфера, 2007, 352с. Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерныхкремниевых структур.

Герасименко Н.Н., Пархоменко Ю.Н. Кремний - Материал Наноэлектроники

  • формат djvu
  • размер 6.46 МБ
  • добавлен 07 июля 2010 г.
М., Техносфера, 2007 г. , 360 стр. Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур (ГФЭ, МЛЭ, ХОГФ...