М.: МИЭТ, 2011. — 172 с. — ISBN 978-5-7256-0656-0
Рассмотрены применение плазменных процессов в производстве изделий
микро- и наноэлектроники, технологические проблемы их использования
при изготовлении ИС, тенденции развития плазменной технологии.
Представлены современные системы высокоплотной плазмы. Приведены
основные понятия процесса плазменного травления и его
технологические параметры. Описаны процессы плазменного травления
различных функциональных слоев и их особенности. Проведена
классификация активируемых плазмой методов получения тонких пленок.
Дано описание технологии ионно-плазменного легирования на примерах
ионно-плазменной имплантации бора, мышьяка и фосфора
Проведено сравнение методов ионно-плазменной и ионно-пучковой имплантаций
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника», соответствующей тематическому направлению деятельности ННС «Наноэлектроника». Предназначено для студентов, обучающихся по дисциплине «Плазменные технологии в наноэлектронике» Введение
Плазменные процессы в наноэлектронике
Применение плазменных процессов в производстве современных ИС
Технологические проблемы использования плазменных процессов в производстве ИС
Тенденции развития плазменной технологии
Современные плазменные системы, используемые в производстве СБИС
СВЧ-источники плазмы на основе электронно-циклотронного резонанса
Геликонный источник ВЧ-плазмы
Источники с индуктивным возбуждением плазмы
Кластерное оборудование
Плазменное травление в производстве изделий наноэлектроники
Основные понятия процесса плазменного травления
Технологические параметры плазменного травления
Плазменное травление различных функциональных слоев и их особенности
Плазменное травление антиотражающих покрытий при формировании фоторезистивной маски
Плазменное травление диэлектриков
Плазменное травление проводника затвора
Формирование мелкощелевой изоляции
Плазменное травление проводников межсоединений
Активируемые плазмой методы получения тонких пленок
Характеристики структуры до и после операции осаждения функционального слоя
Технологические характеристики процессов осаждения функциональных слоев ИМС
Классификация процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС
Стимулированное плазмой осаждение пленок различных диэлектрических материалов, тугоплавких
металлов и их силицидов, используемых при формировании наноструктур
Стимулированное плазмой осаждение пленок диоксида кремния и нелегированных силикатных стекол
Стимулированное плазмой осаждение пленок нитрида кремния и оксинитрида кремния
Стимулированное плазмой осаждение пленок диэлектриков с низкой диэлектрической по
стоянной
Стимулированное плазмой осаждение пленок титана, его силицидов и нитридов
Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы пленок вольфрама и молибдена
Процессы ПА ХОГФ с дискретной подачей реагентов
Плазмоактивируемые процессы атомно слоевого осаждения пленок диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной
Плазмоактивируемые процессы атомно-слоевого осаждения пленок тантала и его
нитридов
Современные системы ФОГФ и их особенности
Технология ионно-плазменного легирования
Ионно-плазменная имплантация бора
Ионно-плазменная имплантация мышьяка и фосфора
Сравнение методов ионно-плазменной и ионно-пучковой имплантации
Литература
Проведено сравнение методов ионно-плазменной и ионно-пучковой имплантаций
Разработано для основной образовательной программы подготовки магистров по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника», соответствующей тематическому направлению деятельности ННС «Наноэлектроника». Предназначено для студентов, обучающихся по дисциплине «Плазменные технологии в наноэлектронике» Введение
Плазменные процессы в наноэлектронике
Применение плазменных процессов в производстве современных ИС
Технологические проблемы использования плазменных процессов в производстве ИС
Тенденции развития плазменной технологии
Современные плазменные системы, используемые в производстве СБИС
СВЧ-источники плазмы на основе электронно-циклотронного резонанса
Геликонный источник ВЧ-плазмы
Источники с индуктивным возбуждением плазмы
Кластерное оборудование
Плазменное травление в производстве изделий наноэлектроники
Основные понятия процесса плазменного травления
Технологические параметры плазменного травления
Плазменное травление различных функциональных слоев и их особенности
Плазменное травление антиотражающих покрытий при формировании фоторезистивной маски
Плазменное травление диэлектриков
Плазменное травление проводника затвора
Формирование мелкощелевой изоляции
Плазменное травление проводников межсоединений
Активируемые плазмой методы получения тонких пленок
Характеристики структуры до и после операции осаждения функционального слоя
Технологические характеристики процессов осаждения функциональных слоев ИМС
Классификация процессов ХОГФ функциональных слоев ИМС
Стимулированное плазмой осаждение пленок различных диэлектрических материалов, тугоплавких
металлов и их силицидов, используемых при формировании наноструктур
Стимулированное плазмой осаждение пленок диоксида кремния и нелегированных силикатных стекол
Стимулированное плазмой осаждение пленок нитрида кремния и оксинитрида кремния
Стимулированное плазмой осаждение пленок диэлектриков с низкой диэлектрической по
стоянной
Стимулированное плазмой осаждение пленок титана, его силицидов и нитридов
Стимулированное плазмой осаждение из газовой фазы пленок вольфрама и молибдена
Процессы ПА ХОГФ с дискретной подачей реагентов
Плазмоактивируемые процессы атомно слоевого осаждения пленок диэлектриков с высокой диэлектрической постоянной
Плазмоактивируемые процессы атомно-слоевого осаждения пленок тантала и его
нитридов
Современные системы ФОГФ и их особенности
Технология ионно-плазменного легирования
Ионно-плазменная имплантация бора
Ионно-плазменная имплантация мышьяка и фосфора
Сравнение методов ионно-плазменной и ионно-пучковой имплантации
Литература