Горшков А.П., Карпович И.А., Истомин Л.А. (сост.) Фотопроводимость в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs

Лекции. - Владивосток, ДВФУ, 2007. - 182 с. 1 Физика объемных полупроводников Кристаллическая структура и зонная энергетическая структура основных полупроводников Теория донорных (акцепторных) уровней и статистика равновесных носителей. Электрические, оптические и тепловые свойства Максимальная дрейфовая скорость в полупроводниках: стационарная дрейфовая скорость, всплеск дрейфовой скорости 2 Полупроводниковые P-N переходы и гетеропереходы...

Нижний Новгород, ННГУ, 2011. – 81 c. Описаны основные свойства поляризованных электромагнитных волн, методы генерации и источники циркулярно-поляризованного излучения. Рассмотрены основные виды спиновых светодиодов, испускающих циркулярно-поляризованное излучение, геометрия и Конструкция диодов, материалы, наиболее часто используемые для изготовления. Описаны основные подходы и методики измерений циркулярной поляризации электролюминесценции на пр...

СПб. , 2006 г. (350 стр. ). В книге подробно рассмотрены такие актуальные вопросы как технологии тонких пленок и наногетероструктур; основы теории формирования новой фазы на поверхности твердого тела; термодинамика и кинетика монослойной пленки; зарождение и рост островков на поверхности твердого тела; формирование сплошной пленки; одномерные и нульмерные квантовые наноструктуры (рост квантовых точек и нановискеров); кинетика роста тонких пленок;...

Учебно-методический материал по программе повышения квалификации «Физико-химические основы нанотехнологий». - Нижний Новгород, ННГУ, 2007. - 87 с. В пособии описаны особенности энергетического спектра, статистики, межзонного оптического поглощения, фотоэлектрических явлений в гетеронаноструктурах с квантовыми ямами и точками типа InGaAs/GaAs и фотоэлектрические методы диагностики их оптоэлектронных характеристик, дефектности, геометрических и др...

Курс лекций. - Москва, МИСиС, 2008. - 191 с. В курсе лекций рассматриваются принципы построения, организации и функционирования наноразмерных гетерокомпозиций, физико-химические основы метода Ленгмюра - Блоджетт, ионно-плазменного получения пленок аморфного гидрогенизированного кремния, проблемы деградации параметров пленочных структур. Анализируются эффекты размерного квантования в полупроводниковых наноструктурах, закономерности ионно-плазменн...

Москва: Техносфера, 2010. – 435 стр. В книге изложены результаты проведения фундаментальных и поисковых научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) полупроводниковой электроники (RTD, HEMT, PHEMT, MeFET на AlGaAs/GaAs, InGaAs/GaAs, InGaAs/InP, AlGaN/GaN), включая разработку гетероструктурных СВЧ монолитных интегральных схем для бортовых радаров, широкополосных систем беспроводной связи, оптоволоконных линий с...

Черноголовка, ИПТМ РАН, 18-19 ноября 2008. - 70 с. Нанотехнология, сканирующая микроскопия, приборы Сканирующая туннельная микроскопия с атомным разрешением на реконструированных поверхностях меди и кремния Генерация разностной частоты в двухчастотном полупроводниковом лазере GaAs/InGaAs/InGaP Источники одиночных фотонов диапазона 1.55 мкм на основе квантовых точек на подложке GaAs для применения в квантовой криптографии Исследование самоорганиз...

М., Мир, 1989 г. 600 стр., перевод с англ. под ред. Алферова Ж. И. и Шмарцева Ю. В. В коллективной монографии ведущих американских и западноевропейских ученых дано изложение физических и технологических аспектов проблемы создания полупроводниковых тонкопленочных структур - одиночных гетеропереходов, структур с квантовыми ямами и сверхрешеток (в том числе квантовых) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). В книге рассмотрены основные принципы...

Elsevier. 2007. 843 p. Self-organized quantum dot multilayer structures InAs quantum dots on AlxGa1-xAs surfaces and in an AlxGa1-xAs matrix Optical properties of In(Ga)As/GaAs quantum dots for optoelectronic devices Cavity quantum electrodynamics with semiconductor quantum dots InAs quantum dot formation studied at the atomic scale by cross-sectional scanning tunneling microscopy Growth and characterization of structural and optical properties o...

InTech. 2010. 454 p. The need for practical regulation of developing commercial nanotechnology Improving Performance and Reliability of MOS Devices using Deuterium Implantation Heating Effects in Nanoscale Devices Low-Dimensional Group III-V Compound Semiconductor Structures Analytic Approach to the Operation of RTD Ternary Inverters Based on MML Development of Superlattice Infrared Photodetectors Bottom-up Approaches for Nanoelectronics Templat...