Гусев В.А. Твердотельная электроника

Нет изображения
  • разное
  • chm
  • 38.11 МБ
  • добавлен 17.09.2011
М.: СевНТУ, 2004. - 635 с. - ISBN 966-7473-70-8.
В учебном пособии рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и базовых логических цифровых интегральных схемах; конструктивно-технологические основы проектирования и изготовления элементов и устройств твердотельной электроники, включая технологию монолитных, гибридных интегральных схем и поверхностного монтажа; основные области применения активных приборов и интегральных схем.

Для студентов и аспирантов высших учебных заведений по направлению «Электроника» (дисциплины СРФ, ТТЭ, ФППП, "введение в электронику"), а также может быть полезно широкому кругу специалистов в области твердотельной электроники.

Содержание.
Принятые обозначения.
Введение.
Приборы твердотельной электроники – элементная база микроэлектроники.
Основные этапы развития твердотельной электроники.
Классификация элементов твердотельной электроники по физическим процессам и явлениям.
Основные цели и содержание микроэлектроники.
Технологические основы твердотельной электроники и микроэлектроники.
Базовые операции технологического процесса изготовления твердотельных приборов и интегральных схем (ИС).
Технологические основы производства гибридных интегральных схем (ГИС).
Основы технологии поверхностного монтажа.
Элементы физики полупроводников.
Классификация материалов твердотельной электроники.
Элементы зонной теории твердого тела.
Генерация и рекомбинация носителей заряда.
Равновесная концентрация носителей заряда в полупроводнике.
Собственный и примесный полупроводники.
Время жизни неравновесных носителей заряда.
Токи в полупроводниках.
Эффекты сильных электрических полей.
Оптические и фотоэлектрические свойства.
Элементы физики поверхности полупроводников.
Фундаментальные уравнения физики полупроводников.
Контакт металл – полупроводник.
Термоэлектронная эмиссия, термодинамическая работа выхода.
Система металл – вакуум – полупроводник, контактная разность потенциалов.
Запорный (барьер Шоттки) и антизапорный контакты металл-полупроводник (МП).
Предельные случаи контакта МП.
Распределение объемного заряда, концентрации носителей, поля и потенциала в барьере Шоттки.
Барьер Шоттки в неравновесных условиях.
Вольтамперная характеристика барьера Шоттки.
Реальный контакт металл – полупроводник.
Ёмкость запорного контакта металл – полупроводник.
Эквивалентная схема барьера Шоттки на переменном сигнале.
Оммический контакт.
Применение барьера Шоттки в электронике.
Р-n переход (2 файла).
Методы получения р-n переходов.
Образование р-n перехода, контактная разность потенциалов.
Распределение заряда, концентрации носителей, поля и потенциала в р-n переходе.
Р-n переход в неравновесных условиях.
Диодная теория выпрямления по Шокли.
Р-і-n переход.
Токи рекомбинации – генерации в р-n переходе.
Р-n переход с ограниченной базой.
Р-n переход на больших уровнях инжекции.
Суммарный ток р-n перехода.
Реактивные свойства р-n перехода.
Пробой р-n перехода.
Гетеропереходы.
Полупроводниковые диоды.
Выпрямительные диоды.
Импульсные диоды.
Диоды с накоплением заряда.
Параметрические диоды и варикапы.
Стабилитроны.
Сверхвысокочастотные диоды.
Туннельные диоды.
Диоды Ганна.
Лавинно – пролётные диоды.
Инжекционно – пролётные диоды.
Биполярный транзистор (3 файла).
Принцип действия биполярного транзистора.
Схемы включения транзистора как усилительного элемента.
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
Зависимость коэффициента передачи тока от режимов работы.
Статические характеристики биполярного транзистора.
Стационарные режимы работы транзистора.
Дрейфовый транзистор и другие разновидности биполярных транзисторов.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Транзистор как элемент схемы.
Работа транзистора в импульсных схемах.
Область безопасной работы транзистора и пути её расширения.
Приборы на основе р-n-р-n структур.
Назначение приборов на основе р-n-р-n структур.
Принцип действия тиристоров.
Вольтамперная характеристика тиристора.
Статические параметры тиристора.
Динамические параметры тиристора.
Способы включения тиристора.
Способы выключения тиристора.
Запираемый тиристор.
Симисторы.
Эффекты dI/dt и dU/dt в тиристорах.
Влияние температуры на параметры тиристора.
Полевые транзисторы (3 файла).
Классификация и область применения.
Канальный транзистор с управляющим р-n переходом.
Канальный транзистор с управляющим барьером Шоттки.
Гетероструктурный канальный транзистор с барьером Шоттки.
Полевые транзисторы с изолированным затвором.
Мощные полевые транзисторы.
Базовые элементы цифровых логических интегральных схем.
Основные логические элементы булевой алгебры.
Основные характеристики и параметры логических элементов.
Базовые элементы биполярных цифровых логических ИС.
Базовые элементы цифровых логических ИС на полевых транзисторах.
Библиографический список.rn

Смотрите также


Лабораторная работа №1

Лабораторная работа №1

  • лабараторные
  • doc
  • 114.64 КБ
  • добавлен 15.01.2007
ПП1. Лабораторная работа по курсу "Твердотельная электроника" для студентов специальности "Промышленная электроника". Вывод не лучший, но сдать можно :)
Лысенко А.П. Биполярные транзисторы

Лысенко А.П. Биполярные транзисторы

  • разное
  • pdf
  • 872.28 КБ
  • добавлен 15.10.2009
Рассматриваются процессы в различных областях транзисторной
структуры, определяющие теория статический коэффициент передачи тока
базы транзистора и его зависимость от режима и температуры.
Для студентов и аспирантов, обучающихся по специальности 200100
«Микроэлектроника и твердотельная электроника» (Московский го...
Шкаев А.Г. Твердотельная электроника: конспект лекций

Шкаев А.Г. Твердотельная электроника: конспект лекций

  • разное
  • doc
  • 5.87 МБ
  • добавлен 08.06.2010
Шкаев, А. Г. Твердотельная электроника: конспект лекций / А. Г. Шкаев. – Омск: Изд-во ОмГТУ, 2009.


Зонная структура полупроводников
Термины и определения
Статистика электронов и дырок в полупроводниках, положение уровня Ферми
Концентрация электронов и дырок в собственном полупроводнике
...
Воронков Э.Н. Твердотельная электроника

Воронков Э.Н. Твердотельная электроника

  • разное
  • doc
  • 1.39 МБ
  • добавлен 06.02.2011
М.: МЭИ, 2002. - 181 с.
Оглавление.
Основные понятия физики полупроводниковых материалов.
Диоды.
Биполярные транзисторы.
Полевые транзисторы.
Краткий справочник - Твердотельная электроника

Краткий справочник - Твердотельная электроника

  • справочники
  • doc
  • 61.6 КБ
  • добавлен 05.12.2009
Р-n переход.
Электрические модели р-n переход.
Ёмкости р-n переход.
ВАХ реальных диодов.
Стабилитрон.
Применение диодов и стабилитронов.
Биполярные VT.
Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие

Легостаев Н.С., Троян П.Е, Четвергов К.В. Твердотельная электроника. Учебное пособие

  • разное
  • pdf
  • 3.84 МБ
  • добавлен 12.11.2011
Томск: ТУСУР, 2007. - 566 с.
Рассматриваются физические основы и математическое описание процессов, определяющих принцип действия твердотельных приборов, явления переноса в твердых телах, контактные явления в полупроводниках и структурах металл-полупроводник, металл-диэлектрик–полупроводник, изотипные и анизотипные гетеропе...
Гуртов В.А. Твердотельная электроника

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

  • разное
  • pdf
  • 3.06 МБ
  • добавлен 20.03.2009
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики ди...
Москатов Е.А. Твердотельная электроника

Москатов Е.А. Твердотельная электроника

  • разное
  • pdf
  • 1.85 МБ
  • добавлен 17.12.2009
Специальная редакция для журнала «РАДИО».
Москатов Е. А. Электронная техника. Специальная редакция для журнала
Радио. – Таганрог, 2004. – 121 стр.
Рецензент к. т. н. Гайно Евгений Владимирович.
Автор выражает благодарность уважаемому Владимиру Чуднову за ценные за-
мечания при подготовке рукописи.
Автор в...
Гуртов В.А. Твердотельная электроника

Гуртов В.А. Твердотельная электроника

  • разное
  • pdf
  • 8.38 МБ
  • добавлен 10.11.2011
Учебное пособие / 2-е изд., доп. - М.: Техносфера, 2005. - 408с.
В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на...
Гуртов В.А.Твердотельная электроника

Гуртов В.А.Твердотельная электроника

  • разное
  • pdf
  • 15.56 МБ
  • добавлен 07.07.2011
М.: Техносфера, 2008. - 512 с. - ISBN: 978-5-94836-187-1 (3-е изд., доп.)

В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространствен...