• формат pdf
  • размер 10.79 МБ
  • добавлен 29 апреля 2011 г.
Iniewski Krzysztof Radiation Effects in Semiconductors (Радиационные эффекты в полупроводниках)
CRC : 2010, ISBN: 1439826943, 431 pages
Space applications, nuclear physics, military operations, medical imaging, and especially electronics (mode silicon processing) are obvious fields in which radiation damage can have serious consequences, i.e. , degradation of MOS devices and circuits. Zeroing in on vital aspects of this broad and complex topic, Radiation Effects in Semiconductors addresses the ever-growing need for a clear understanding of radiation effects on semiconductor devices and circuits to combat potential damage it can cause.
Features a chapter authored by renowned radiation authority Lawrence T. Clark on Radiation Hardened by Design SRAM Strategies for TID and SEE Mitigation
This book analyzes the radiation problem, focusing on the most important aspects required for comprehending the degrading effects observed in semiconductor devices, circuits, and systems when they are irradiated. It explores how radiation interacts with solid materials, providing a detailed analysis of three ways this occurs: Photoelectric effect, Compton effect, and creation of electron-positron pairs. The author explains that the probability of these three effects occurring depends on the energy of the incident photon and the atomic number of the target. The book also discusses the effects that photons can have on matter—in terms of ionization effects and nuclear displacement
Aimed at post-graduate researchers, semiconductor engineers, and nuclear and space engineers with some electronics background, this carefully constructed reference explains how ionizing radiation is creating damage in semiconducting devices and circuits and systems—and how that damage can be avoided in areas such as military/space missions, nuclear applications, plasma damage, and X-ray-based techniques. It features top-notch inteational experts in industry and academia who address emerging detector technologies, circuit design techniques, new materials, and innovative system approaches. This book is a must-read for anyone serious about understanding radiation effects in the electronics industry.
Смотрите также

Абакумов Б.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках

  • формат djvu
  • размер 3.06 МБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...

Воробьев Л.Е. Горячие электроны в полупроводниках и наноструктурах

  • формат pdf
  • размер 5.7 МБ
  • добавлен 09 сентября 2010 г.
Санкт-Петербург, Издательство СПбГТУ, 1999г. Рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях, функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и др. Проведены расчеты этих характеристик. Приведено сопоставление с экспериментом. Пособие ориентировано на образова...

Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов

  • формат djvu
  • размер 4.58 МБ
  • добавлен 15 октября 2010 г.
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...

Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках

  • формат tif
  • размер 32.83 МБ
  • добавлен 20 марта 2011 г.
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn

Зюганов А.Н., Свечников С.В. Инжекционно-Контактные Явления в Полупроводниках

  • формат djvu
  • размер 4.28 МБ
  • добавлен 17 сентября 2011 г.
Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с уче...

Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы

  • формат djvu
  • размер 3.12 МБ
  • добавлен 27 марта 2010 г.
Минск: Наука и техника, 1986 г. , 254 с. В монографии обобщены результаты исследований советских и зарубежных ученых, полученные при изучении воздействия проникающей радиации на интегральные микросхемы и их элементы. Рассматриваются радиационные нарушения в интегральных микросхемах на основе биполярных и униполярных транзисторов, при этом учитываются как радиационные изменения свойств полупроводниковых материалов, так и процессы в отдельных...

Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках

  • формат pdf
  • размер 5.92 МБ
  • добавлен 03 июля 2010 г.
Издательство: М.: Мир. Год: 1974. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли л...

Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках

  • формат pdf
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 11 марта 2011 г.
Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...

Grundmann M. The Physics of Semiconductors

  • формат pdf
  • размер 36.61 МБ
  • добавлен 18 марта 2011 г.
Springer, 2010. 900 p. ISBN: 3642138837 The Physics of Semiconductors provides material for a comprehensive upper-level-undergraduate and graduate course on the subject, guiding readers to the point where they can choose a special topic and begin supervised research. The textbook provides a balance between essential aspects of solid-state and semiconductor physics, on the one hand, and the principles of various semiconductor devices and their a...

Sapoval B., Hermann C. Physics of Semiconductors

  • формат pdf
  • размер 64.16 МБ
  • добавлен 29 октября 2011 г.
Springer, 1995, 318 pages Based on courses given at the Ecole Polytechnique in France, this book covers not only the fundamental physics of semiconductors, but also discusses the operation of electronic and optical devices based on semiconductors. It is aimed at students with a good background in mathematics and physics, and is equally suited for graduate-level courses in condensed-matter physics as for self-study by engineers interested in a...