Киев, Наукова Думка, 256 стр., 1981 г. Изложена физика
инжекционно-контактные явлений в полупроводниках, а также
физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п
перехода и гетероперехода. Рассматривается физическая модель
гетероперехода, из которой получаются модели р—п перехода и
контакта металл — полупроводник.
Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления.
Для студентов радиофизических, физических и электронных специальностей вузов, занимающихся вопросами физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам.
Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник, р—п перехода и гетероперехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления.
Для студентов радиофизических, физических и электронных специальностей вузов, занимающихся вопросами физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Пособие может быть полезно аспирантам, научным и инженерно-техническим работникам.