Московский Государственный Технический Университет им. Н. Э.
Баумана, Кафедра материаловедения, Проверил Кунакин В. И., г.
Калуга, 1996 год.
Содержание курсовой работы:
Введение.
Электрофизические свойства объемного арсенида индия:
Зонная структура арсенида индия.
Оптические свойства арсенида индия.
Подвижность в арсениде индия.
Методы глубокой очистки индия и мышьяка:
Методы глубокой очистки индия.
Методы получения мышьяка и его соединений высокой степени чистоты.
Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы:
Система In-AsCl3-H2 .
Система In-HCl-AsH3-H2.
Система InAs-SiCl4-H2.
Пиролиз МОС.
Жидкофазная эпитаксия арсенида индия.
Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия.
Заключение.
Список использованной литературы.
Содержание курсовой работы:
Введение.
Электрофизические свойства объемного арсенида индия:
Зонная структура арсенида индия.
Оптические свойства арсенида индия.
Подвижность в арсениде индия.
Методы глубокой очистки индия и мышьяка:
Методы глубокой очистки индия.
Методы получения мышьяка и его соединений высокой степени чистоты.
Эпитаксиальное наращивание арсенида индия из газовой фазы:
Система In-AsCl3-H2 .
Система In-HCl-AsH3-H2.
Система InAs-SiCl4-H2.
Пиролиз МОС.
Жидкофазная эпитаксия арсенида индия.
Молекулярно лучевая эпитаксия арсенида индия.
Заключение.
Список использованной литературы.