Введение; Расчет стоимости основных материалов; Расчет стоимости
вспомогательных материалов; Расчет трудоемкости изготовления
изделия; Расчет фонда заработной платы работающих участка; Расчет
себестоимости изготовления изделия; Заключение; Литература; МГПК,
специальность Микроэлектроника.
Курсовой проект - Расчет себестоимости изготовления триггера Шмидта
Курсовая работа
- формат doc
- размер 90.06 КБ
- добавлен 12 октября 2008 г.
Смотрите также
Выпускная работа бакалавра - Транспортные свойства туннельных джозефсоновских структур Nb/AIOx/Nb
degree- формат pdf
- размер 2.67 МБ
- добавлен 12 апреля 2011 г.
МФТИ, Черноголовка, 2009. 22с. Работа состоит из разделов: Введение и постановка задачи. Литературный обзор. Технология изготовления экспериментальных образцов. Экспериментальная установка. Экспериментальные результаты. Выводы. Литература.
Курсовая работа - Расчет полупроводниковых диодов
Курсовая работа- формат doc
- размер 425.63 КБ
- добавлен 27 июня 2010 г.
Расчет полупроводниковых диодов. Введение. Полупроводниковые диоды. Анализ конструкций и технологии Изготовления. Полупроводниковые диодыи. Анализ конструкций. Технология изготовления. Электрофизические параметры электро-дырочных переходов. Расчет электрофизических параметров полупроводникового диода. Исходные данные. Расчет. Заключение. Список литературы.
Курсовая робота - Светодиоды
Курсовая работа- формат doc
- размер 4.96 МБ
- добавлен 11 декабря 2010 г.
В курсовой работе проведен обзор современных светодиодов, изложены такие вопросы: основные термины и определения, классификация, условные графические обозначения, физический принцип действия, параметры и характеристики, эквивалентные схемы, типичные схемы включения, конструкции. В расчетной части выполнен расчет трансформатора питания электронной апаратуры аналогичного промышленной серии ТПП 238 в соответствии с заданием рассчитана мощность втори...
Курсовой проект - Разработка конструкции триггера Шмитта
Курсовая работа- формат doc
- размер 430.85 КБ
- добавлен 22 сентября 2008 г.
Введение; Анализ задания на проектирование; Анализ схемы принципиальной электрической; Выбор структуры подложки; Расчет параметров элементов; Выбор навесных компонентов; Разработка коммутационной схемы; Разработка эскиза топологии; Оценка качества разработанной ИМС; Описание технологического процесса изготовления ГИС; Защита ИМС от внешних воздействий; Заключение; Литература; Нормативная документация МГПК, специальность Микроэлектроника.
Курсовой проект - Разработка технологического процесса изготовления толстоплёночной ГИС
Курсовая работа- формат doc
- размер 1.16 МБ
- добавлен 22 сентября 2008 г.
Введение; Анализ структуры; Анализ маршрутных технологических процессов производства типовых ИМС; Разработка структурной схемы технологического процесса; Анализ методов производства; Анализ оборудования для производства структуры; Анализ методов контроля и условий производства; Разработка технологической документации на маршрут структуры; Разработка технологического процесса на операционный процесс; Охрана труда и окружающей среды; Заключение; Ли...
Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов
Лабораторная- формат doc
- размер 225.99 КБ
- добавлен 14 мая 2011 г.
ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.
Могэб К., Фрейзер д., Фичтнер У., Паррильо Л., Маркус Р., Стейдел К., Бертрем У. Технология СБИС (книга 2)
- формат djvu
- размер 5.5 МБ
- добавлен 02 октября 2009 г.
В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986 г. , 453 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС (биполярная технология...
Пирс К., Адамс А., Кац Л., Цай Дж., Сейдел Т., Макгиллис Д. Технология СБИС (книга 1)
- формат djvu
- размер 4.45 МБ
- добавлен 02 октября 2009 г.
В 2-х кн. Кн. 1. Пер. с англ. /Под ред. С. Зи - М.: Мир, 1986г. , 404 стр. В книге ведущих американских специалистов освещены вопросы изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, дифузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикр...
Тейлор П. Расчет и проектирование тиристоров
- формат djvu
- размер 1.79 МБ
- добавлен 01 марта 2010 г.
Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат, 1990. - 208 с.: иллюстрации Обобщены результаты в области дискретных силовых полупроводниковых приборов. Вопросы проектирования увязаны с существующими и перспективными процессами изготовления мощных тиристоров. Рассмотрена работа новых типов приборов: запираемых тиристоров, гибридов полевого транзистора с тиристором, МОП-транзисторов с встроенной областью пространственного заряда. Для широкого круга специалистов...
Трутко А.Ф. Методы расчета транзисторов
- формат pdf
- размер 4.92 МБ
- добавлен 17 мая 2010 г.
М.: Энергия, 1971. - Изд. 2-е, перераб. и доп. Оглавление. Глава первая. Основные физические параметры полупроводников и соотношения полупроводниковой электроники. Глава вторая. Расчет р-п переходов. Глава третья. Эквивалентные схемы и характеристические параметры транзисторов. Глава четвертая. Расчет бездрейфовых транзисторов. Глава пятая. Расчет дрейфовых транзисторов. Глава шестая. Конструкции корпусов транзисторов. Глава седьмая. Примеры расч...