Выпускная работа бакалавра - Транспортные свойства туннельных джозефсоновских структур Nb/AIOx/Nb

degree

формат pdf
размер 2.67 МБ
добавлен 12 апреля 2011 г.

Выпускная работа бакалавра - Транспортные свойства туннельных джозефсоновских структур Nb/AIOx/Nb

МФТИ, Черноголовка, 2009. 22с.
Работа состоит из разделов:
Введение и постановка задачи.
Литературный обзор.
Технология изготовления экспериментальных образцов.
Экспериментальная установка.
Экспериментальные результаты.
Выводы.
Литература.

Смотрите также

Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур

формат djvu
размер 2.77 МБ
добавлен 28 марта 2011 г.

/ В. В. Батавин, Ю. А. Концевой, Ю. В. Федорович - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с., ил. (Измерения в электронике). Рассмотрены физические основы методов измерений электрофизических и структурных параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев, а также освещены вопросы их практической реализации. Анализируются причины возникновения погрешностей, даются рекомендации по ограничению и устранению источников ошибок измерений. Приводят...

Горбачев А.И., Кукарин С.В. Полупроводниковые СВЧ диоды

формат djvu
размер 854.87 КБ
добавлен 09 апреля 2011 г.

М. «Советское радио», 1968. - 64 с. В брошюре дается краткое описание принципа работы и устройства различных полупроводниковых СВЧ диодов, выполняющих функции детектирования, преобразования частоты, генерирования усиления колебаний и переключения СВЧ трактов. Содержится определение основных параметров и важнейших характеристик детекторных, смесительных, у. множительных параметрических, переключательных, генераторных и туннельных диодов приводят...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree

формат doc
размер 2.46 МБ
добавлен 20 сентября 2010 г.

Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Лабораторная работа - Описание конструкции элементов полупроводниковых ИМС с эскизами поперечных сечений

Лабораторная

формат doc
размер 65.19 КБ
добавлен 14 мая 2011 г.

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, дисциплина: конструкторско технологическое обеспечение производства ЭВМ цели: 1. Изучить свойства и конструкцию исходных пластин (заготовок) для изготовления полупроводниковых ИМС. 2. Изучить конструкцию семи типов полупроводниковых ИМС по заданному варианту. 3. Изучить конструкцию и зарисовать эскизы топологии трех активных и одного пассивного элементов полупроводниковых ИМС по заданному варианту...

Лабораторная работа - Технологический процесс изготовления КМДП транзисторов

Лабораторная

формат doc
размер 225.99 КБ
добавлен 14 мая 2011 г.

ВлГУ 2011, специальность: вычислительная техника, 4 курс Цели: Изучить последовательность операций изготовления интегральных микросхем на МДП транзисторах. Изучить технологические операции изготовления МДП ИМС. Ознакомиться с технологией КМДП ИМС на различных стадиях технологического процесса. Ознакомиться с материалами, применяемыми при изготовлении МДП ИМС. Произвести оптические измерения конструктивных параметров МДП структур.

Усов В.С., Мартынов Б.А., Новиков Ю.Н.-Транзисторные усилители, ключи, импульсные устройства.Учебное пособие и методические указания

Практикум

формат pdf
размер 949.71 КБ
добавлен 13 марта 2011 г.

Усилительные свойства биполярных и полевых транзисторов, транзисторные усилители Лабораторный практикум СПбГПУ, физико-технический и радио-физический факультеты 39стр

Фалькевич Э.С. и др. Технология полупроводникового кремния

формат djvu
размер 4.95 МБ
добавлен 02 декабря 2009 г.

М.: Металлургия, 1992, - 408 с. Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его...

Хрулёв А.К., Черепанов В.П. Диоды и их зарубежные аналоги. Справочник в 3-х томах. Том 2

формат djvu
размер 6.02 МБ
добавлен 15 августа 2009 г.

Во втором томе справочного издания приводятся электрические и эксплуатационные характеристики стабилитронов, ограничителей напряжения, импульсных диодов, варикапов, туннельных и обращённых диодов. Даются классификация и система обозначений, основные стандарты для описанных в справочнике приборов. Для конкретных типов приборов приводятся сведения об основном назначении, габаритных и присоединительных размерах и маркировке. В приложении даются зару...

Kasper Paul. Silicon Quantum Integrated Circuits. Silicon-Germanium Heterostructure Devices. 2005

формат pdf
размер 6.16 МБ
добавлен 21 декабря 2009 г.

Книга немецких специалистов на английском языке, посвящённая созданию и использованию Si/Ge гетероструктур в современной полупроводниковой электронике. Рассмотрены вопросы связанные с технологией получения Si/Ge структур (МЛЭ, ХОГФ), квантовая теория полупроводников, применения Si/Ge в гетеробиполярных транзисторах (HBT), гетерополевых транзисторах (HFET), оптоэлектронных приборах и в интегральных логических схемах (КМОП, БКМОП).

Tarui Y. VLSI Technology (Fundamentals and Aplications)

формат djvu
размер 7.6 МБ
добавлен 07 марта 2011 г.

Springer 1986 (Tokyo 1981) pp.450. VLSI – Very Lage Scale Integration – Технология больших интегральных схем. . VLSI Technology summarizes the main results of the research performed by the Japanese VLSI Technical Research Association. The studies concentrated on silicon as the major basis of modern semiconductor devices. The results presented are on microfabrication technology, the electron-beam concept, the required software, the pattern transfe...