Квантовые эффекты в полевых транзисторах

Реферат с презентацией.
СГУ им.Чернышевского, 2014. Дисциплина: Приборы на квантовых эффектах.
24 стр, 7 источников использованной литературы.
В данной работе были рассмотрены некоторые квантовые эффекты, связанные с работой полевых транзисторов различных видов. В качестве вводной части в пунктах 1-2 изложены основные понятия, относящиеся к принципу работы и характеристикам полевых транзисторов с управляющим pn-переходом и МОП-транзисторов. Подробно разобран квантовый эффект Холла, даны сведения о разработках туннельных транзисторов. Также рассмотрены основные модели, используемые для объяснения принципов работы полевых транзисторов - модели с распределенными параметрами, физические модели и модели Фишера. Оглавление:
ВВЕДЕНИЕ
Общие сведения о полевых транзисторах с управляющим pn-переходом
Структура полевого транзистора с управляющим рп-переходом
Принцип действия полевого транзистора с управляющим рп- переходом
Общие сведения о МОП-транзисторах
Структура МОП-транзисторов
МОП-транзисторы в режимах обогащения и обеднения
Принцип действия МОП-транзистора
МДП-транзистор
Туннельный эффект в полевых транзисторах
Квантовый эффект Холла в полевых транзисторах
Обычный эффект Холла
Двумерный электронный газ
Свойства двумерного электронного газа
Роль магнитного поля
Уровни Ландау
Уровни Ландау в двумерном электронном газе
Кратность вырождения уровней Ландау и фактор заполнения
Квантовый эффект Холла
Локализация электронов
Модели полевых транзисторов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ