Статья
  • формат tif
  • размер 451.22 КБ
  • добавлен 12 декабря 2011 г.
Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами
Отрывок из журнала физика и техника полупроводников, Санкт-Петербург, Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №4 с. 437 – 440

Анотация.
Рассмотрены некоторые особенности спектров DLTS глубоких уровней, которые эффективно обмениваются носителями тока с обеими разрешенными зонами. Показано, что максимумы пиков смещаются незначительно по шкале температур, но обработка спектров традиционными методами приводит к ошибкам в определении параметров глубоких уровней (энергии ионизации, сечения захвата). Предложено несколько способов более точного определения указанных параметров и приведен численный пример такой обработки спектров DLTS.
Смотрите также

Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл (титанат бария)

  • формат djvu
  • размер 4.31 МБ
  • добавлен 11 мая 2011 г.
Москва: Наука, 1974. Книга посвящена современному состоянию физики нелинейных кристаллов (сегнетоэлектриков), в которых электрическая поляризация не пропорциональна приложенному полю даже в слабых полях. Изложение идет на примере характерного представителя таких кристаллов - титаната бария. Рассматриваются микроскопические причины нелинейности (обзор теоретических представлений). Основной объем книги посвящен описанию свойств, обусловленных особе...

Дымников В.Д., Константинов О.В. Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы

Статья
  • формат pdf
  • размер 713.14 КБ
  • добавлен 04 апреля 2011 г.
Статья из журнала ФТП, 1995, том 29, вып. 1 Получено трансцендентное аналитическое уравнение для опреления спектра уровней в прямоугольной квантовой яме, имеющей дополнительный провал в середине ее широкой части. Показано, что за счет этого провала появляется возможность увеличения энергетического зазора между двумя нижними уровнями. Это позволяет понять, почему в двухбарьерных структурах со сложным профилем достигается на экперименте большая кон...

Дэвисон С., Левин Дж. Поверхностные (таммовские) состояния

  • формат djvu
  • размер 1.92 МБ
  • добавлен 26 февраля 2011 г.
Издательство "Мир", Москва, 1973. УДК 530.145+539.2 Еще в 1932 г. выдающийся советский ученый И. Е. Тамм указал на возможность существования электронных поверхностных уровней (получивших позднее название "таммовских уровней"), которые играют важную роль в физике твердого тела. Однако до сих пор квантовая теория кристалла, ограниченного поверхностью (в отличие от теории бесконечного кристалла), развита недостаточно. Несмотря на наличие многочислен...

Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория

  • формат djvu
  • размер 5.98 МБ
  • добавлен 16 января 2012 г.
Монография, М.: Мир, 1984. – 264 с. Цель данной книги – познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Огурцов А.Н. Модификация криокристаллов электронными возбуждениями

  • формат pdf
  • размер 6.33 МБ
  • добавлен 15 января 2011 г.
Монография. – Харьков: НТУ «ХПИ», 2009. – 368 с. – На рус. яз. В монографии обобщены экспериментальные работы автора, посвященные исследованию подпороговых радиационных неупругих процессов и механизмов модификации кристаллической структуры, стимулированных релаксацией электронных возбуждений в криокристаллах. Предназначено для научных сотрудников, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики твердого тела, радиационной физики и хим...

Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности

  • формат djvu
  • размер 9.03 МБ
  • добавлен 19 января 2011 г.
М, Наука, 2006, 490с. Основы двумерной кристаллографии Экспериментальные условия Методы анализа поверхности I. Дифракция Методы анализа поверхности II. Электронная спектроскопия Методы анализа поверхности III. Зондирование ионами Методы анализа поверхности IV. микроскопия Атомная структура чистых поверхностей Атомная структура поверхностей с адсорбатами Структурные дефекты поверхностей Электронные свойства поверхностей Элементарные процессы на по...

Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности

  • формат pdf
  • размер 17.19 МБ
  • добавлен 16 февраля 2009 г.
Основы двумерной кристаллографии. Экспериментальные условия. Методы анализа поверхности: дифракция, электронная спектроскопия, зондирование ионами, микроскопия. Атомная структура чистых поверхностей. Атомная структура поверхностей с адсорбатами. Структурные дефекты поверхностей. Электронные свойства поверхностей. Элементарные процессы на поверхности: адсорбция и десорбция, диффузия. Рост тонких плёнок. Атомные манипуляции и формирование нанострук...

Татохин Е.А., Буданов А.В. и др. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями заряда между уровнями и обеими разрешенными зонами

Статья
  • формат tif
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 12 декабря 2011 г.
Отрывок из журнала технической физики, Воронеж, Вестник ВГУ, серия: Физика. Математика, 2008, №2 с. 60 – 70 Анотация. Предложена модель кинетика перезарядки глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводника, учитывающая процессы обмена носителями заряда между глубокими уровнями и обеими разрешенными зонами, которая адекватно описывает неэкспоненциальный характер релаксации емкости. Разработан метод определения спектра глубоких электронных состо...

Фирсов Ю.А. Поляроны

  • формат djvu
  • размер 8.1 МБ
  • добавлен 24 февраля 2011 г.
М.: Главная редакция физико-математической литературы издательства «Наука», 1975 г. , 423 с., УДК 539.1 Данная книга посвящена теории поляронов. В ней с единой точки зрения излагаются основные теоретические методы, используемые для описания взаимодействия электронов с колебаниями решетки при сильной, промежуточной н слабой связи и при произвольной ширине «исходной» (не перенормированной за счет электрон фононного взаимодействия) разрешенной энерг...

Юнович А.Э. Оптические явления в полупроводниках. Часть 2

  • формат djvu
  • размер 22.54 МБ
  • добавлен 11 января 2012 г.
М., Изд. МГУ, часть 2 (88 с.), 1991 Учебное пособие представляет собой вторую часть спецкурса, который посвящен взаимодействию электромагнитного излучения с полупроводниками. Рассмотрены поглощение и отражение свободными носителями тока, однофононный резонанс, двухфононное поглощение, рассеяние на оптических и акустических фононах. Рассмотрено взаимодействие света с примесями, поглощение и излучение на водородоподобных центрах, поглощение и излуч...