Статья
  • формат tif
  • размер 1.06 МБ
  • добавлен 12 декабря 2011 г.
Татохин Е.А., Буданов А.В. и др. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями заряда между уровнями и обеими разрешенными зонами
Отрывок из журнала технической физики, Воронеж, Вестник ВГУ, серия: Физика. Математика, 2008, №2 с. 60 – 70

Анотация.
Предложена модель кинетика перезарядки глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводника, учитывающая процессы обмена носителями заряда между глубокими уровнями и обеими разрешенными зонами, которая адекватно описывает неэкспоненциальный характер релаксации емкости. Разработан метод определения спектра глубоких электронных состояний, обладающий большей точностью и разрешающей способностью по сравнению с традиционными методами, использующими приближение времени релаксации.
Похожие разделы
Смотрите также

Власков В.А. Специальные разделы в физике

  • формат rtf
  • размер 222.96 КБ
  • добавлен 15 октября 2009 г.
Основы зонной теории твердых тел. Квантовая статистика. Квантовая теория теплоемкости. Проводимость металлов и полупроводников. Контактные и термоэлектрические явления. Диффузия и дрейф носителей заряда в полупроводниках.

Воробьев Л.Е. и др. Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах

  • формат pdf
  • размер 3.02 МБ
  • добавлен 20 января 2011 г.
Учеб. пособие / Под ред. Л. Е. Воробьева. - СПб.: Наука, 2000. - 160 с., ил. 73 (Серия учебных пособий "Новые разделы физики полупроводников"). В пособии рассмотрены основные характеристики горячих носителей заряда в полупроводниках в сильных электрических полях: функция распределения по импульсам, средняя энергия, дрейфовая скорость, время релаксации импульса и энергии, скорость потери энергии электроном при взаимодействии с решеткой и другие. П...

Дымников В.Д., Константинов О.В. Уровни энергий в квантовой яме с прямоугольными стенками сложной формы

Статья
  • формат pdf
  • размер 713.14 КБ
  • добавлен 04 апреля 2011 г.
Статья из журнала ФТП, 1995, том 29, вып. 1 Получено трансцендентное аналитическое уравнение для опреления спектра уровней в прямоугольной квантовой яме, имеющей дополнительный провал в середине ее широкой части. Показано, что за счет этого провала появляется возможность увеличения энергетического зазора между двумя нижними уровнями. Это позволяет понять, почему в двухбарьерных структурах со сложным профилем достигается на экперименте большая кон...

Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела

  • формат pdf
  • размер 12.95 МБ
  • добавлен 12 сентября 2010 г.
М.: Изд-во МГУ, физ. фак-т, 1999. 284 с. Рассмотрены электронные, атомные, молекулярные процессы и взаимосвязь между ними в поверхностных фазах, явления в областях пространственного заряда, природа поверхностных электронных состояний, размерные эффекты. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических специальностей. Ряд разделов заинтересует химиков, биофизиков, биохимиков и других специалистов, работающих над проблемами...

Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.В. Основы физики поверхности твердого тела

  • формат djvu
  • размер 2.86 МБ
  • добавлен 13 сентября 2009 г.
М.: Изд-во МГУ, физ. фак-т, 1999. 284 с. Рассмотрены электронные, атомные, молекулярные процессы и взаимосвязь между ними в поверхностных фазах, явления в областях пространственного заряда, природа поверхностных электронных состояний, размерные эффекты. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных работников физических специальностей. Ряд разделов заинтересует химиков, биофизиков, биохимиков и других специалистов, работающих над проблемами...

Ланно М., Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория

  • формат djvu
  • размер 5.98 МБ
  • добавлен 16 января 2012 г.
Монография, М.: Мир, 1984. – 264 с. Цель данной книги – познакомить читателя с теорией точечных дефектов в полупроводниках. В книге рассматривается геометрия дефектов, теория мелких дефектов, теория глубоких уровней, колебательные свойства, связанные с дефектами, термодинамика дефектов и их миграция. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также студентов и аспирантов соответствующих специальностей.

Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких уровней при обмене носителями тока с обеими разрешенными зонами

Статья
  • формат tif
  • размер 451.22 КБ
  • добавлен 12 декабря 2011 г.
Отрывок из журнала физика и техника полупроводников, Санкт-Петербург, Физика и техника полупроводников, 1997, том 31, №4 с. 437 – 440 Анотация. Рассмотрены некоторые особенности спектров DLTS глубоких уровней, которые эффективно обмениваются носителями тока с обеими разрешенными зонами. Показано, что максимумы пиков смещаются незначительно по шкале температур, но обработка спектров традиционными методами приводит к ошибкам в определении параметр...

Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности

  • формат djvu
  • размер 9.03 МБ
  • добавлен 19 января 2011 г.
М, Наука, 2006, 490с. Основы двумерной кристаллографии Экспериментальные условия Методы анализа поверхности I. Дифракция Методы анализа поверхности II. Электронная спектроскопия Методы анализа поверхности III. Зондирование ионами Методы анализа поверхности IV. микроскопия Атомная структура чистых поверхностей Атомная структура поверхностей с адсорбатами Структурные дефекты поверхностей Электронные свойства поверхностей Элементарные процессы на по...

Оура К., Лифшиц В.Г., Саранин А.А., Зотов А.В., Катаяма М. Введение в физику поверхности

  • формат pdf
  • размер 17.19 МБ
  • добавлен 16 февраля 2009 г.
Основы двумерной кристаллографии. Экспериментальные условия. Методы анализа поверхности: дифракция, электронная спектроскопия, зондирование ионами, микроскопия. Атомная структура чистых поверхностей. Атомная структура поверхностей с адсорбатами. Структурные дефекты поверхностей. Электронные свойства поверхностей. Элементарные процессы на поверхности: адсорбция и десорбция, диффузия. Рост тонких плёнок. Атомные манипуляции и формирование нанострук...

Шалимова К.В. Физика полупроводников

  • формат pdf
  • размер 6.82 МБ
  • добавлен 18 августа 2010 г.
М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с., ил. Рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектр...