Радиоэлектроника
Статья
  • формат doc
  • размер 868,67 КБ
  • добавлен 09 мая 2016 г.
Лекции по физическим основам электроники
Чувашский Государственный Университет им. И.Н. Ульянова, Чебоксары, 2004, 56 стр.
Содержание:
Введение.
Основы теории электропроводности полупроводников.

Общие сведения о полупроводниках.
Токи в полупроводниках.
Контактные явления.
Разновидности p-n переходов.
Полупроводниковые диоды.
Классификация.
Выпрямительные диоды.
Стабилитроны и стабисторы.
Универсальные и импульсные диоды.
Варикапы.
Биполярные транзисторы.
Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.
Статические характеристики биполярных транзисторов.
Дифференциальные параметры биполярного транзистора.
Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора.
Частотные свойства биполярного транзистора.
Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.
Работа транзистора в усилительном режиме.
Особенности работы транзистора в импульсном режиме.
Полевые транзисторы.
Полевой транзистор с p-n переходом.
Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-транзистор).