М.: Мир, 1982. — 260 с.
Книга содержит ряд докладов, прочитанных специалистами США и других
стран на Второй международной конференции по НТЛ полупроводников и
посвященных новой перспективной технологии введения легирующих
примесей в полупроводники - трансмутационному легированию при
облучении в реакторе. Рассмотрены физические основы
трансмутационного легирования (ТЛ), вопросы радиационной
безопасности, техника облучения, образование дефектов и их отжиг,
электрофизические и структурные свойства трансмутационно
легированного кремния и улучшение характеристик приборов. Для
специалистов в области радиационной физики твердого тела,
полупроводниковой технологии, реакторной физики и техники.
Процесс нейтронного трансмутационного легирования (НТЛ) - новая
реакторная технология.
Обнаружение и идентификация примесей, активируемых при нейтронном облучении кремния, выращенного методом Чохральского.
НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности.
Определение потока и спектра нейтронов для расчета энергетических спектров ядер отдачи и повреждений в материалах, облученных быстрыми нейтронами на низкотемпературной установке реактора Ср-5.
Нейтронное легирование на исследовательских реакторах в Харуэлле.
Расширенная программа нейтронного трансмутационного легирования кремния на испытательном реакторе фирмы "Дженерал Электрик".
Автоматическая облучательная установка для нейтронного легирования кремниевых слитков больших размеров.
Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе Университета шт. Миссури (ИРУМ).
Эффекты атомных смещений при НТЛ.
Исследование электрических характеристик ТЛ-кремния.
Влияние изохронного отжига на удельное сопротивление трансмутационно легированных образцов кремния, выращенного методом зонной плавки или методом Чохральского.
Уровни дефектов, определяющие свойства ТЛ-кремния после отжига.
Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученном нейтронами.
Применение ТЛ-кремния для изготовления приборов большой мощности.
Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокочувствительных ИК-приемников.
Флуктуации удельного сопротивления в сильно компенсированном ТЛ-кремнии.
Обнаружение и идентификация примесей, активируемых при нейтронном облучении кремния, выращенного методом Чохральского.
НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности.
Определение потока и спектра нейтронов для расчета энергетических спектров ядер отдачи и повреждений в материалах, облученных быстрыми нейтронами на низкотемпературной установке реактора Ср-5.
Нейтронное легирование на исследовательских реакторах в Харуэлле.
Расширенная программа нейтронного трансмутационного легирования кремния на испытательном реакторе фирмы "Дженерал Электрик".
Автоматическая облучательная установка для нейтронного легирования кремниевых слитков больших размеров.
Методы получения НТЛ-кремния при облучении с высокой точностью на исследовательском реакторе Университета шт. Миссури (ИРУМ).
Эффекты атомных смещений при НТЛ.
Исследование электрических характеристик ТЛ-кремния.
Влияние изохронного отжига на удельное сопротивление трансмутационно легированных образцов кремния, выращенного методом зонной плавки или методом Чохральского.
Уровни дефектов, определяющие свойства ТЛ-кремния после отжига.
Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученном нейтронами.
Применение ТЛ-кремния для изготовления приборов большой мощности.
Значение нейтронного трансмутационного легирования кремния в разработке материала для высокочувствительных ИК-приемников.
Флуктуации удельного сопротивления в сильно компенсированном ТЛ-кремнии.