Основы теории p-n перехода

Учебное пособие для вузов. Воронеж, 2007, 27 с. Учебное пособие подготовлено на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники физического факультета Воронежского государственного университета. Основы теории МДП транзисторов. Моделирование n-МОП транзистора в ISE TCAD. Для специальности: 010803 (014100) - Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Может быть полезно студентам и аспирантам смежных специальностей полупроводникового профиля, а...

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Изд. 2-е, перераб. и доп. М.: Радио и связь, 1984. - 80 с., (Мрб) Наиболее важные вопросы теории и применения полевых транзисторов. Также приведены параметры и статические характеристики некоторых ПТ.

М., Сов. радио, 305 стр., 1981 г. Изложены физические основы работы контакта металл — полупроводник, р—п перехода. Рассматривается физическая модель р—п перехода и контакта металл — полупроводник. Подробно анализируются вольт-амперные характеристики контакта металл — полупроводник и р—п перехода с учетом всех основных эффектов, характерных для этих контактов. Рассматриваются эквивалентная схема и пробойные явления. Особое внимание уделяется омиче...

3 лаб. работы: "Изучение статических характеристик тиристора", "Изучение специальных диодов", "Изучение свойств р-п перехода". в данных работах описано основное выполнение работ, имеются графики. ГГуим. Ф. Скорины,2 курс, физическая электроника.

Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Соппа И. В. Лекции по Цифровой электронике Дальневосточный государственный университет. Институт физики и информационных технологий. Факультет информационных технологий. Сборник лекций содержит следующие разделы: Основы теории построения логических схем: Булевы функции; карты Карно. Основы построения логических схем: Импульсные сигналы; РТЛ, ДТЛ, ТТЛ, КМОП-логика. Основные узлы цифровых устройств: RS, T, D и JK-триггеры; дешифраторы; сумматоры;...

Автор неизвестен. Содержание: Принципы работы мощных полупроводниковых приборов Основы процесса переключения Принципы функционирования силовых полупроводниковых приборов Силовые электронные ключи Основы Области применения и ограничения в применении IGBT и MOSFET силовых модулей Силовые IGBT и MOSFET -Различие структур и функциональных принципов -Статический режим -Режим жесткого переключения MOSFET и IGBT -Улучшения в технологии MOSFET и IGBT...

Шпаргалка составленная по дисциплине "Электронные сверхвысокочастотные и кывантовые приборы". Содержит теорию полупроводников и краткие сведения по полупроводниковым приборам. Содержание Электроника. Электронные приборы. Физические явления в электронных приборах. Классификация электронных приборов. Электропроводность твердых тел. Классификация твердых тел по проводимости. Влияние температуры, наличия примеси, освещенности на электропроводность п/...

Учебное пособие для вузов. 2-е изд., исправленное. Чебоксары: Изд-во Чуваш, ун-та, 2001. 378 с. Рассматриваются структура, энергетические зоны и электропроводность полупроводников, технологические процессы выращивания монокристаллов кремния, теория p-n-перехода и методы его изготовления, основные типы полупроводниковых приборов, элементы полупроводниковых и гибридных интегральных схем, усилительные каскады, интегральные логические элементы. Огл...