Радиоэлектроника
  • формат pdf
  • размер 8.16 МБ
  • добавлен 04 января 2010 г.
Мощные полупроводниковые приборы
Автор неизвестен.

Содержание:

Принципы работы мощных полупроводниковых приборов
Основы процесса переключения
Принципы функционирования силовых полупроводниковых приборов
Силовые электронные ключи


Основы
Области применения и ограничения в применении IGBT и MOSFET силовых модулей
Силовые IGBT и MOSFET

-Различие структур и функциональных принципов
-Статический режим
-Режим жесткого переключения MOSFET и IGBT
-Улучшения в технологии MOSFET и IGBT
Обратные и снабберные диоды
-Конструкция мощных быстрых диодов
-Параметры мощных быстрых диодов
-Современные диоды с улучшенным режимом восстановления
-Последовательное и параллельное соединение мощных быстрых диодов
Силовые модули: специальные возможности многокристальных структур
-Конструкция силовых модулей
-Возможности силовых модулей
-Сборка и технология подключения: типы корпусов
-Система обозначений SEMIKRON для SEMITRANS силовыхмодулей
Примеры новых технологий корпусов
-SKiiPPACK
-MiniSKiiP
-SEMITOP
-Новая низкоиндуктивная конструкция IGBT модуля для больших токов инапряжений
Встроенные датчики, функции защиты, драйвера и логика

Справочные данные по MOSFET, IGBT, MiniSKiiP и SKiiPPACK модуля
Общие сведения
-Буквенные обозначения, термины, стандарты
-Максимальные значения и характеристики
Силовые модули MOSFET
-Предельные значения
-Характеристики
-Диаграммы
IGBT-модули
-Предельные значения
-Характеристики
-Диаграммы
Специальные параметры для MiniSKiiP
Специальные параметры для SKiiPPACK
Температурная зависимость статических и динамических характеристик силовых модулей
Надежность


Рекомендации к применению
Задание параметров и выбор MOSFET, IGBT и SKiiPPACK модулей
-Прямое запирающее напряжение
-Ток в прямом направлении
-Частота коммутации
Температурные параметры
-Баланс потерь мощности
-Расчет температуры перехода
Охлаждение силовых модулей
-Устройства охлаждения, охладители и методы охлаждения
-Температурная модель охлаждающего устройства
-Естественное воздушное охлаждение (свободная конвекция)
-Принудительное воздушное охлаждение
-Водяное охлаждение
-Данные на стандартные радиаторы для SKiiPPACK
Конструкция силовой части
-Паразитные индуктивности и емкости
-Электромагнитные помехи / обратные связи по сети
-Готовые к установке силовые устройства
Драйвер
-Характеристики напряжения и тока затвора
-Влияние параметров драйвера на режим коммутации
-Структура драйвера и основные требования к драйверам
-Встроенные функции защиты и контроля в драйвере
-Временные константы и функции блокировки
-Передача управляющих сигналов и энергия управления
-Цепи драйвера для силовых MOSFET и IGBT
-SEMIDRIVER
Режимы неисправностей и защита
-Типы неисправностей
-Поведение IGBT и MOSFET при перегрузках и коротких замыканиях
-Обнаружение перегрузок и защита
Параллельное и последовательное включение MOSFET, IGBT и SKiiPPACK модулей
-Параллельное включение
-Последовательное включение
Мягкая коммутация в ZVS или ZCS режиме / схемы уменьшения потерь коммутации
-Требования и области применения
-Цепи уменьшения потерь коммутации
-Мягкая коммутация
Обращение с MOSFET, IGBT, MiniSKiiP и SKiiPPACK модулями
-Чувствительность к ESD (электростатическому разряду) и способы защиты
-Инструкции по монтажу
-SKiiPPACK: температурные испытания
Программное обеспечение для расчета схем
-Уровни математических моделей для описания схемы
-Программное обеспечение SEMIKRON
Похожие разделы
Смотрите также

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

  • формат djvu
  • размер 9.61 МБ
  • добавлен 03 декабря 2010 г.
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников

  • формат djvu
  • размер 4.41 МБ
  • добавлен 14 февраля 2011 г.
Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...

Замятин В.Я., Кондратьев Б.В., Петухов В.М. Мощные полупроводниковые приборы. Тиристоры: Справочник

  • формат djvu
  • размер 8.05 МБ
  • добавлен 12 мая 2009 г.
М.: Радио и связь, 1987. - 576с.: ил. Содержит данные по электрическим параметрам, габаритным размерам, предельным эксплуатационным характеристикам, сведения по основному функциональному назначению отечественных тиристоров. Приводятся динамические, импульсные, частотные, температурные зависимости параметров, а также описываются особенности применения тиристоров в радиоэлектронной аппаратуре. Для инженерно-технических работников, занимающихся раз...

Зарядовые явления в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) в составе IGBT

degree
  • формат doc
  • размер 2.46 МБ
  • добавлен 20 сентября 2010 г.
Магистерская выпускная работа "Зарядовые явления в МДП-структурах в составе IGBT". МЭИ ТУ, 2007г., Кафедра "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", направление "Силовые полупроводниковые приборы". Работа содержит 102 стр. Идеальная МДП-структура. Приповерхностная область пространственного заряда. Ёмкость ОПЗ. Характеристики идеальной МДП-структуры. Реальная Si-SiO2 – МОП-структура. Дефекты в термических плёнках SiO2 на кремнии. Собственн...

Колосницын В.С., Стешенко П.П., Шульгов В.В. Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы

  • формат pdf
  • размер 8.57 МБ
  • добавлен 05 марта 2010 г.
Минск, Амалфея, 2002, 272 с. Учебное пособие написано в соответствии с учебной программой курса «Полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы». Рассматриваются основы физики полупроводников, принципы действия и особенности полупроводниковых приборов, общие вопросы терминологии ИМС. Дано описание материалов, из которых изготовлены элементы микросхем и конструкций транзисторов. Для учащихся ПТУ приборостроения, электротехники и электроники.

Лекции - Полупроводниковые приборы

Статья
  • формат doc
  • размер 722.76 КБ
  • добавлен 01 апреля 2007 г.
Целью изучения дисциплины является формирование у студентов знаний о конструкциях, принципах действия, характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов, о физических основах функционирования полупроводниковых приборов, о режимах их работы и влиянии режимов на параметры и характеристики приборов. Материал дисциплины базируется на знаниях, полученных при изучении курсов: "физика", "ТОЭ", "ФОЭТ". Физика полупроводников. Теория p-n перехода...

Николаевский И.Ф. Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Выпуск 15

  • формат djvu, txt
  • размер 5.6 МБ
  • добавлен 18 марта 2011 г.
Полупроводниковые приборы в технике электросвязи. Сб. статей под ред. И. Ф. Николаевского, вып. 15. М., «Связь», 1975. 216 с. с ил. В сборник включены статьи, посвященные практическому использованию транзисторов в широкополосных и дифференциальных линейных усилителях, эмиттерных повторителях, генераторах и усилителях радиопередатчиков и в стабилизированных источниках питания. Ряд статей содержит материалы по применению тиристоров и однопереходн...

Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов

  • формат djvu
  • размер 3.46 МБ
  • добавлен 24 октября 2010 г.
Учебник для вузов по специальности "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". - 2-е издание, переработанное и дополненное - Москва: - Высшая школа, 1987. - 239 с. В книге изложены основы методов измерения электрофизических параметров полупроводниковых материалов, рассматриваются вопросы их практической реализации; даны условия и границы применения методов измерения; проведён анализ причин возникновения погрешностей

Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

  • формат djvu
  • размер 6.23 МБ
  • добавлен 03 апреля 2010 г.
М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр. Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для кажд...

Черепанов В.П. Аналоги отечественных и зарубежных диодов и тиристоров. Справочник

Справочник
  • формат djvu
  • размер 1.59 МБ
  • добавлен 02 марта 2011 г.
Издательство: КУбК-а (Москва). Год издания: 1997. ISBN: 5-85554-156-8. Страниц: 224. Справочник построен в виде таблицы, в которой приведены типо-номиналы отечественных диодов и тиристоров в соответствии с действующим рубрикатором на полупроводниковые приборы и их зарубежные аналоги с указанием различных фирм изготовителей США, Японии и Западной Европы. Для удобства работы книга разделена на две части. В первой части приведены зарубежные аналоги...