М., Мир, 1973 г., 458 стр.
Монография известного американского специалиста Ж. Панкова
посвящена физическим процессам взаимодействия света с
полупроводниками, а также практическому использованию этих
процессов в полупроводниковых лазерах,
люминесцентных диодах, приемниках видимого и инфракрасного
излучения.
Книга снабжена большим количеством (около 400) иллюстраций — схем,
графиков, чертежей, что делает ее полезной для инженерных расчетов,
а также упражнениями и задачами, способствующими усвоению и
закреплению материала.
Книга принесет несомненную пользу самым широким кругам читателей:
физикам-теоретикам и экспериментаторам, инженерам,
специализирующимся в области радиоэлектроники,
полупроводниковой, лазерной и инфракрасной техники, студентам
старших курсов университетов и технических вузов.
Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках
Смотрите также
Абакумов Б.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках
Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...
Горбачев В.В. Спицына Л.Г. Физика полупроводников и металлов
Москва, "Металлургия", Цалкина Ф. Б. Гофштейн А. И. Сперанская Н. А. , 1982, 336 с. Учебник для студентов металлургических вузов по специальности "Технология материалов электронной техники"(первое издание 1976г). Может быть использовано научными работниками и инженерами, работающими в области металлургии, физики и химии полупроводников. Систематически изложены основные понятия физики полупроводников и металлов. На основе современных представлени...
Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках
Монография посвящена теории явлений переноса, распространения электромагнитных волн и шумов в полупроводниках с равновесными и неравновесными носителями тока. Для специалистов, работающих в области физики полупроводников, а также для студентов физических факультетов.rn
Контрольная работа - Физические основы микроэлектроники
РГАТА, Рыбинск, 3-й курс, Вариант 30. Задачи 1а, 7б, 11б, 20а, 23в + Ответы на теоретические вопросы. Решение задач на темы: "Основы зонной теории и статистика носителей заряда", "Неравновесные носители, процессы генерации и рекомбинации в полупроводниках", "Электропроводимость полупроводников", "Контактные явления", "Биполярный транзистор"
Лекции - Полупроводники
Лекции. Полупроводники. Содержание: полупроводники, контактные явления в полупроводниках p-n переход, p-n переход при прямом смещении, вольт-амперная характеристика p-n перехода при прямом смещении, уравнение Шокли, p-n переход при обратном смещении, пробой p-n перехода, переходные процессы в p-n переходе, полупроводниковые диоды, выпрямительные диоды, импульсные диоды, диоды Шоттки, стабилитроны, варикапы, туннельные диоды.
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках
Данная книга посвящена изучению влияний различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокации, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных схем. В основу книги легли лекции, читавшиеся автором в ведущих технических университетов США; тек...
Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках
Издательство: М.: Мир. Год: 1974. Первая в мировой литературе монография, специально посвященная влиянию различных отклонений от периодической структуры кристаллов (дислокаций, границ зерен и т. д. ) на неравновесные электронные процессы в полупроводниках. Эта проблема приобрела в последние годы особую актуальность в связи с использованием в полупроводниковой технике тонких пленок, сложных структур и интегральных микросхем. В основу книги легли л...
Савиных В.Л. Физические основы электроники
Учебное пособие. Новосибирск: СГУТиИ, 2003г. -76с Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов Содержание. Введение. Основы теории электропроводности полупроводников. Общие сведения о полупроводниках. Полупроводники с собственной проводимостью. Полупроводники с электронной проводимостью. Полупроводники с дырочной проводимостью. Токи в полупроводни...
Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках
Учебное пособие. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с. Рассматриваются нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках при воздействиях режимных (перепады токов и напряжений) и внешних (импульсные излучения оптического и гамма-рентгеновского диапазонов) факторов. На примерах решения краевых задач нестационарной электропроводности изучается методология получения расчетных оценок амплитудно-временных характеристик импульс...
Ю, Петер Ю, Кардона М. Основы физики полупроводников
3-е изд. М. Физматлит. 2002. 560 с. Настоящее, уже третье издание "Основ физики полупроводников" должно заполнить нишу между учебниками по физике твердого тела и научными статьями путем детального объяснения электронных, колебательных, транспортных и оптических свойств полупроводников. В книге применен скорее физический, чем строго формальный подход к рассматриваемым явлениям. Строгая теория дана лишь для объяснения экспериментальных результатов...