• формат djvu
  • размер 8.28 МБ
  • добавлен 05 декабря 2009 г.
Пауль Р. (Paul R.) Транзисторы. Физические основы и свойства
Перевод с немецкого В. С. Заседа.
Под редакцией И. А. Палекова.
Издательство "Совесткое Радио" - 1973 МОСКВА.
505 страниц.

Более подробно, чем уже в изданных книгах, рассматриваются принципы действия и параметры биполярных транзисторов, а также физика происходящих в них процессов. БОльшое влияние уделяется методам изготовления транзисторов. Подробно излагается планарная технология. Рассматриваются комбинированные мощные высокочастотные транзисторы. Приводятся новые конструкции корпусов транзисторов. Нашли отражение и новые эффекты, возникающие в транзисторах, исследованием которых заниматься стали в последние годы.
Книга рассчитана на широкий круг специалистов, занимающихся исследованием, разработкой и применением транзисторов. Она также может быть полезна научным работникам, аспирантам и студентам вузов соответствующих специальностей.
Смотрите также

Барсуков С.Н., Кравчук А.С. Элементная база радиоэлектроники. Часть 2. Биполярные транзисторы. Тиристоры. Учеб. пособие

  • формат pdf
  • размер 897.45 КБ
  • добавлен 27 мая 2010 г.
Рассмотрены физические основы работы биполярных транзисторов и тиристоров. Приведены основные параметры, характеристики и описаны особенности применения электронных приборов. Для студентов факультета радиотехнических систем летательных аппаратов.

Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник

  • формат djvu
  • размер 14.38 МБ
  • добавлен 24 октября 2011 г.
Бессарабов Б.Ф., Федюк В.Д., Федюк Д.В. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения. Справочник. Воронеж: ИПФ "Воронеж", 1994г. ISBN5-89981-030-0 В справочнике приведены электрические параметры, предельные эксплуатационные данные, габаритные размеры и другие характеристики отечественных серийно выпускаемых диодов, тиристоров, транзисторов и микросхем, применяемых в бытовой радиоаппаратуре и радиолюбительской практике. Приведены...

Борисов В.Л. Лекции по электронным приборам

  • формат djvu
  • размер 9.61 МБ
  • добавлен 03 декабря 2010 г.
Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Корольков В.И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур

  • формат djv
  • размер 1.2 МБ
  • добавлен 17 января 2010 г.
Ташкент: Фан, 1968. - 152 с.: ил. В книге рассмотрены принципы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа А3В5 в силовых диодах, транзисторах и тиристорах. Изложены физические основы и конструктивные особенности транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принципа действия, основанного на электронно-фотонном переносе неравновесных...

Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 8.67 МБ
  • добавлен 19 марта 2010 г.
2001 г. 5-е переработанное и иправленное издание известной книги по полупроводниковым приборам. Приведены физические свойства, конструкции, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей приборов.

Реферат - Биполярные транзисторы

Реферат
  • формат rtf, doc, docx
  • размер 416.79 КБ
  • добавлен 30 марта 2009 г.
Содержание. Введение. Электронно-дырочный p- n- переход. Классификация биполярных транзисторов. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Схемы включения биполярных транзисторов. Полевые транзисторы. Принцип действия и устройство полевого транзистора. Схемы включения полевых транзисторов. Усиление тока. Частотные свойства транзисторов. Шумовые характеристики транзисторов. Система обозначений биполярных и полевых транзисторов. Заключе...

Реферат - Структуры интегральных схем

Реферат
  • формат doc
  • размер 287.85 КБ
  • добавлен 15 ноября 2010 г.
Введение. Классификация интегральных микросхем. Структуры интегральных схем. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. Транзисторы типа n–p–n. Транзисторы типа p–n–p. Многоэмиттерные транзисторы (МЭТ). Многоколлекторные транзисторы (МКТ). Составные транзисторы. Интегральные диоды и стабилитроны. Диод Шотки и транзистор с диодом Шотки. Конструкции активных элементов полупроводниковых микросхем. МНОП–транзисторы. МОАП–транзисторы....

Светцов В.И., Холодков И.В. Физическая Электроника и Электронные Приборы

  • формат pdf
  • размер 11.07 МБ
  • добавлен 07 июля 2010 г.
М., ИГХТУ им. Менделеева, 2008 г. , 500 стр. В монографии рассмотрены практически все разделы современной электроники: физические основы электроники, микроэлектроники и наноэлектроники, вакуумная и эмиссионная электроника (автоэмиссионные катоды, фотокатоды, ФЭУ, ЭОП, ЭЛТ и т. д. ), газоразрядная электроника (клистроны, ЛОВ, индикаторы, разрядники, газовые лазеры и т. д. ), твердотельная электроника (диоды, биполярные транзисторы, полевые транзис...

Тихомиров В.А. Курс лекции по Основам информационной электроники

  • формат doc
  • размер 63.69 КБ
  • добавлен 16 января 2010 г.
Нижний Новгород, 2004, НГТУ. 62 стр. Содержание. Введение. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Полевые транзисторы. Тиристоры. Интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы. Элементы оптоэлектроники. Практические занятия.

Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы

  • формат djvu
  • размер 14.32 МБ
  • добавлен 05 января 2010 г.
Издательство М: Энергоатомиздат, 1990 576 страниц Приведены физические свойства, характеристики и режимы работы полупроводниковых приборов, применяемых в устройствах промышленной электроники. Рассмотрены особенности применения приборов. Изложены физические основы построения моделей предельных режимов эксплуатации, методов управления и защиты полупроводниковых приборов. Для студентов вузов, обучающихся по специальности «Промышленная электроника...