Полупроводниковый лазер

Радиофизический факультет СПбГПУ, 2 курс, 3 семестр. 178 стр. Полупроводниковые приборы. Физические основы электронных приборов. Электронно-дырочный переход. Полупроводниковые диоды Транзисторы. Биполярный транзистор Полевые транзисторы. Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Лавинно-пролетный диод. Тиристоры. Диод Ганна. Светоизлучающие и фотоприемные приборы. Полупроводниковый лазер. Светоизлучающий диод. Фоторез...

Жуков. Инжекционный лазер. Феноменология усиления. Плотность состояний. Оптическое усиление. ДГС и РОДГС лазеры. Гетеропереходы. Уравнение Шредингера. Уровни в GaAs. Напряжнные квантовые ямы. Критическая толщина. КЯ лазеры. Модовый характер излучения. Мощные лазеры. Температурная зависимость. Идеальные КТ. Кристаллическая структура. Методы формирования КТ. Режим островкового роста. Упорядоченные массивы КТ. Электронный спектр КТ. Энергия локализа...

Определение полупроводниковых приборов и принцип действия (типы проводимостей). Электронно-дырочный переход. Полупроводниковый диод, принцип действия. Транзистор, принцип действия, схемы включения транзисторов.

Полупроводники. Полупроводниковый диод. Рекомбинация. Собственная проводимость. Проводники IV группы. Решетка германия. Примеси. Сильно легированные полупроводники. Фотопроводимость полупроводников. Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Диффузия носителей. Термоэлектрические явления в полупроводниках. P-N переход.

Многие типы лазеров проектируются так, чтобы дать возможность оператору перестраивать или изменять по требованию выходную длину волны в широком диапазоне спектра излучения: от ультрафиолетового (УФ) до инфракрасного (ИК). . содержание: введение. виды перестраиваемых лазеров. -Наносекундные импульсные лазеры на красителях. -Наносекундные оптические параметрические генераторы. -Перестраиваемые одночастотные лазеры с брэгговскими решетками. заключен...