Popov O.A. High Density Plasma Sources

формат pdf
размер 22.47 МБ
добавлен 21 января 2011 г.

High Density Plasma Sources - Design, Physics and Performance. (Materials Science and Process Technology Series). Popov O.A. , Editor. Park Ridge, NJ: Noyes Publications, 1997. - 465 pp. (На англ. яз. )

В книге описываются конструкции, физические основы функционирования и характеристики источников плазмы высокой плотности. Эти источники в последнее время находят все более широкое применение в различных процессах вакуумно-плазменной обработки в тонокпленочной технологии. К числу таких процессов относятся плазмохимическое травление и планаризация, стимулированное плазмой осаждение тонких пленок из газовой фазы (PECVD), катодное распыление, эпитаксиальное осаждение кремния и арсенида галлия, и множество других применений.
Книга дает исчерпывающий обзор и детальное описание современных источников плазмы высокой плотности, используемых в плазменной технологии, при этом в тексте достигнуто сбалансированное сочетание изложения теоретических вопросов и описания практических применений. Работа представляет значительный интерес для ученых и инженеров, специализирующихся в области конструирования источников плазмы и разработки технологических процессов.
ISBN-10: 0815513771, ISBN-13: 978-0815513773

Похожие разделы

Смотрите также

Iniewski Krzysztof Radiation Effects in Semiconductors (Радиационные эффекты в полупроводниках)

формат pdf
размер 10.79 МБ
добавлен 29 апреля 2011 г.

CRC : 2010, ISBN: 1439826943, 431 pages Space applications, nuclear physics, military operations, medical imaging, and especially electronics (modern silicon processing) are obvious fields in which radiation damage can have serious consequences, i.e. , degradation of MOS devices and circuits. Zeroing in on vital aspects of this broad and complex topic, Radiation Effects in Semiconductors addresses the ever-growing need for a clear understanding o...

Mukherjee M. (ed.) Silicon Carbide - Materials, Processing and Applications in Electronic Devices

формат pdf
размер 53.14 МБ
добавлен 28 октября 2011 г.

InTech. 2011. 558 p. Silicon Carbide (SiC) and its polytypes, used primarily for grinding and high temperature ceramics, have been a part of human civilization for a long time. The inherent ability of SiC devices to operate with higher efficiency and lower environmental footprint than silicon-based devices at high temperatures and under high voltages pushes SiC on the verge of becoming the material of choice for high power electronics and optoel...

Schroder D.K. Semiconductor Material and Device Characterization

формат pdf
размер 12.05 МБ
добавлен 11 марта 2011 г.

3rd edition. Wiley-Interscience, 2006. - xv, 781 p. Contents Resistivity Carrier and Doping Density Contact Resistance and Surface Barriers Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage Defects Oxide and Interface Trapped Charge, Oxide Thickness Carrier Lifetimes Mobility Charge-Based and Probe Characterization Optical Characterization Chemical and Physical Characterization Reliability and Failure Analysis Edito...