СФУ, Красноярск/Россия, Кафедра приборостроения и наноэлектроники,
Семенова О. В., 2015, 42 стр., 4 курс.
Дисциплина "Основы технологии электронной компонентной базы"
Тема задания "Разработать конструкцию полупроводниковой
интегральной микросхемы, в соответствии со схемой электрической
принципиальной"
Содержание:
Анализ технического задания.
Анализ режима работы схемы по постоянному току.
Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства.
Выбор вертикальной структуры.
Выбор конструкции транзисторов в составе ИС.
Расчет электрофизических параметров диффузионных структур.
Расчет параметров обедненных слоев.
Расчет удельного и поверхностного сопротивления слоев
транзисторов.
Расчет параметров ВАХ.
Определение параметров диффузионных процессов.
Проверочный расчет.
Выбор конструкции резисторов.
Выбор конструкции конденсаторов.
Заключение.
Список использованных источников.
Приложение А Схема электрическая принципиальная.
Приложение Б Перечень элементов.
Приложение В Характеристики транзисторов.
Приложение Г Чертеж корпуса 2148.10-1. Лист 1 - Схема электрическая принципиальная (ф. А4, png)
Лист 2 - Перечень элементов (ф. А4, docx)
Анализ технического задания.
Анализ режима работы схемы по постоянному току.
Последовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства.
Выбор вертикальной структуры.
Выбор конструкции транзисторов в составе ИС.
Расчет электрофизических параметров диффузионных структур.
Расчет параметров обедненных слоев.
Расчет удельного и поверхностного сопротивления слоев
транзисторов.
Расчет параметров ВАХ.
Определение параметров диффузионных процессов.
Проверочный расчет.
Выбор конструкции резисторов.
Выбор конструкции конденсаторов.
Заключение.
Список использованных источников.
Приложение А Схема электрическая принципиальная.
Приложение Б Перечень элементов.
Приложение В Характеристики транзисторов.
Приложение Г Чертеж корпуса 2148.10-1. Лист 1 - Схема электрическая принципиальная (ф. А4, png)
Лист 2 - Перечень элементов (ф. А4, docx)