Издание Петербургского энергетического института повышения
квалификации руководящих работников и специалистов Минтопэнерго РФ
1996
Рассмотрены преимущества статических устройств РЗ и А, выполненных на полупроводниковой элементной базе. Приведены схемы и описания дискретных и интегральных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, операционных усилителей, цифровых интегральных схем. Рассмотрены принципы построения измерительных органов релейной защит ы с использованием этих приборов. Приведены сведения по обслуживанию полупроводниковых реле. В приложении изложены операторный метод и преобразования Лапласа.
Предназначены для специалистов по релейной защите, проходящих обучение в ПЭИпк Минтопэнерго на кафедре релейной защиты и автоматики электрических сетей, станций и энергосистем.
Рассмотрены преимущества статических устройств РЗ и А, выполненных на полупроводниковой элементной базе. Приведены схемы и описания дискретных и интегральных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, операционных усилителей, цифровых интегральных схем. Рассмотрены принципы построения измерительных органов релейной защит ы с использованием этих приборов. Приведены сведения по обслуживанию полупроводниковых реле. В приложении изложены операторный метод и преобразования Лапласа.
Предназначены для специалистов по релейной защите, проходящих обучение в ПЭИпк Минтопэнерго на кафедре релейной защиты и автоматики электрических сетей, станций и энергосистем.