Радиоэлектроника
  • формат doc
  • размер 21.96 МБ
  • добавлен 22 октября 2011 г.
Сенигов П.Н., Галишников Ю.П., Беглецов Н.Н. Руководство по выполнению базовых экспериментов Электронные приборы и устройства
Челябинск: Изд. ЮЦрГУ, 2004. - 104 с.

Описаны состав и отдельные компоненты учебного лабораторного комплекса «Электронные приборы и устройства». Представлены электрические схемы соединений и их описания, а также указания по проведению базовых экспериментов.
Руководство предназначено для использования при подготовке к проведению лабораторных занятий по дисциплинам «Теоретические основы электротехники», «Электротехника и основы электроники», «Основы электроники» в высших и средних профессиональных образовательных учреждениях.
Данное руководство используется в Ухтинском государственном техническом университете (УГТУ) для проведения лабораторных работ по курсу "Физические основы электроники" специальности Электропривод и автоматика промышленных установок и технологических комплексов (ЭАП).

Содержание:
Введение.
Выпрямительные диоды.
Эффект p-n перехода в диодах.
Полупроводниковый однополупериодный выпрямитель.
Полупроводниковый мостовой выпрямитель.
Неуправляемый выпрямитель трехфазного тока.
Стабилитроны (диоды Зенера).
Характеристики стабилитрона.
Исследование параметрического стабилизатора напряжения.
Сглаживание пульсаций выпрямленного напряжения.
Жиоды с особыми свойствами.
Светодиоды.
Диоды с переменной емкостью (варикапы).
Биполярные транзисторы.
Испытание слоев и выпрямительного действия биполярных транзисторов.
Распределение тока в транзисторе и управляющий эффект тока базы.
Характеристики транзистора.
Установка рабочей точки транзистора и исследование влияния резистора в цепи коллектора на коэффициент усиления по напряжению усилительного какскада с общим эмиттером.
Усилители на биполярных транзисторах.
Регулятор напряжения (линейный).
Регулятор тока.
Униполярные (полевые) транзисторы.
Испытание слоев и выпрямительного действия униполярных транзисторов.
Характеристика включения затвора полевого транзистора.
Управляющий эффект затвора полевого транзистора n-типа.
Выходные характеристики полевого транзистора.
Усилители на полевых транзисторах.
Тиристоры.
Диодный тиристор (симистор).
Триодный тиристор.
Фазовое управление тиристора.
Логические элементы.
Логический элемент AND (И).
Логический элемент OR (ИЛИ).
Логический элемент NOT (НЕ).
Логический элемент N0T AND (И - НЕ).
Логический элемент N0T OR (ИЛИ - НЕ).
Операционные усилители.
Введение.
Инвертирующий усилитель.
Неинвертирующий усилитель.
Операционный суммирующий усилитель.
Операционный дифференциальный усилитель.
Поведение операционного усилителя в динамике.
Литература.
Каждая лабораторная работа содержит в себе общие сведения и экспериментальную часть.
Руководство представлено в отсканированном виде в формате Word (по 2 стр. на листе). Рисунки не сжаты, поэтому при увеличении масштаба изображение не расплывается.
Смотрите также

Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников

  • формат pdf
  • размер 4.44 МБ
  • добавлен 17 декабря 2011 г.
Москва, Издательство Наука , 1978 год - 285 стр В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства проводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления, приводится сравнение теорий с экспериментов. В книге отражается результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится...

Гаман В.И. Физика Полупроводниковых Приборов (2-е изд)

  • формат djvu
  • размер 5.74 МБ
  • добавлен 19 марта 2010 г.
2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Контрольная работа №2

Лабораторная
  • формат doc
  • размер 109.31 КБ
  • добавлен 27 января 2007 г.
Электронные ключи на биполярных транзисторах .

Кравченко А.Ф., Овсюк В.Н. Электронные Процессы в Твердотельных Системах Пониженной Размерности

  • формат djvu
  • размер 5.24 МБ
  • добавлен 17 июня 2010 г.
Новосибирск, НГУ, НГТУ, ИФП СО РАН, 2000 г. 450 стр. В монографии последовательно рассмотрены наиболее важные электронные процессы, взаимодействия и явления, происходящие в твердом теле и на гpaнице двух тел, и их модификация при переходе к низкоразмерным системам; рассмотрены физические принципы работы наноэлектронных элементов и устройств для новых информационных систем; проанализированы наиболее перспективные направления развития наноэлектрони...

Лекции по курсу Физические основы полупроводниковых электронных приборов

Статья
  • формат doc
  • размер 3.23 МБ
  • добавлен 09 июля 2010 г.
Курс лекций. для студентов специальности 40 02 02. «Электронные вычислительные средства». Министерство образования Республики Беларусь. Учреждение образования. Минский государственный высший радиотехнический колледж. Кафедра общетехнических дисциплин. Содержание. Электрофизические свойства полупроводников. Контактные явления в полупроводниках. Полупроводниковые диоды. Биполярные транзисторы. Униполярные (полевые) транзисторы. Тиристоры.

Маругин А.П., Меженный Е.В. Физические основы электроники часть 2

Практикум
  • формат pdf
  • размер 919.74 КБ
  • добавлен 23 февраля 2011 г.
УГГУ Екатеринбург 2010 Методические указания по дисциплине «Физические основы электроники» составлены в соответствии с программой курса и включают справочные материалы к расчетным заданиям по разделам: «Полупроводниковые приборы», «Усилитель-ные устройства» и «Импульсная техника». Расчетные задания предназначены для развития у студентов специальности 140604 – «Электропривод и автоматика промышленных установок и технологиче-ских комплексов» (ЭГП)...

Митрофанов О.В., Симонов Б.М. и др. Физические основы функционирования изделий микроэлектроники

  • формат djvu
  • размер 7.99 МБ
  • добавлен 25 декабря 2009 г.
Митрофанов О.В., Симонов Б.М., Коледов Л.А. М.: Высшая школа, 1987, 168с. Учебное пособие из серии Микроэлектроника в 9 кн. под ред. Коледов Л.А. Книга 1. В пособии рассмотрены физические процессы, определяющие функционирование изделии полупроводниковой микроэлектроники. Изложены принципы работы базовых полупроводниковых приборов. P.S. Книга снабжена прекрасными иллюстрациями, которые значительно помогают усвоению материала. Материал изложен на...

Мозгова Г.В. Разработка стационарного метода и устройства для определения зависимостей теплопроводности и реологических характеристик неньютоновских жидкостей от скорости сдвига

Дисертация
  • формат doc
  • размер 98.88 КБ
  • добавлен 28 июня 2011 г.
Автореферат. диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук. -Тамбов. 2007. Работа выполнена на кафедре «Автоматизированные системы и приборы» ГОУ ВПО «Тамбовский государственный технический универ-ситет». Научный руководитель; Мищенко Сергей Владимирович. Цель работы заключается в разработке стационарного метода и уст-ройства, обеспечивающих повышение точности измерения теплопровод-ности (за счет учета в математической модел...

Светцов В.И., Вакуумная и плазменная электроника

  • формат pdf
  • размер 1.46 МБ
  • добавлен 01 февраля 2011 г.
Учебное пособие. Ивановский гос химико-технологический университет. Изд. ИГХТУ, 2003. 172 стр. Для студентов специальности 251000 "Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники" по дисциплине "Физическая электроника и электронные приборы" и 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Вакуумная и плазменная электроника".

Физические основы микроэлектроники (ФОМ)

  • формат pdf
  • размер 1.01 МБ
  • добавлен 19 января 2007 г.
Электроника и микроэлектроника, схемотехника. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые структуры. Электронные усилители и генераторы. Импульсная техника.