Наноматериалы и нанотехнологии
Академическая и специальная литература
  • формат pdf
  • размер 3,18 МБ
  • добавлен 1 апреля 2015 г.
Шашурин В.Д., Ветрова Н.А., Иванов Ю.А. и др. Нанотехнология и микромеханика. Часть 5. Надежность наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2012. — 84 с.
Авторский коллектив: В.Д. Шашурин, Н.А. Ветрова, Ю.А. Иванов, С.А. Мешков, О.С. Нарайкин, Н.В. Федоркова, В.О. Москаленко
Проанализированы вопросы обеспечения надежности радиоэлектронных средств нового поколения – на базе приборов, функционирующих на квантоворазмерных эффектах в наноразмерных слоях составляющих их полупроводниковых гетероструктур. В качестве примера рассмотрено обеспечение надежности смесителя радиосигналов СВЧ-диапазона на базе резонансно-туннельных диодов.
Для студентов старших курсов.
Содержание
Список сокращений
Список основных обозначений
Введение
Проблемы обеспечения качества производства наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
Тенденции развития радиоэлектронных систем связи
Конструкторско-технологические аспекты изготовления радиоэлектронных устройств на базе наноприборов
Формирование показателей надежности радиоэлектронных устройств на базе наноприборов
Проблемы обеспечения качества производства радиоэлектронных устройств на базе наноприборов на примере смесителей радиосигналов СВЧ-диапазона на основе резонансно-туннельных диодов
Закономерности формирования постепенных отказов наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
Структурная схема формирования и изменения эксплуатационных параметров наноприборов и радиоэлектронных устройств на их основе
Влияние изменения в процессе деградации параметров резонансно-туннельной структуры на электрические характеристики смесителей радиосигналов СВЧ-диапазона на основе резонансно-туннельных диодов
Исследование чувствительности электрических параметров балансного СМ РТД СВЧ к ширине Nb барьеров РТС
Исследование чувствительности электрических параметров балансного СМ РТД СВЧ к высоте Vb
барьеров РТС
Исследование чувствительности электрических параметров балансного СМ РТД СВЧ к ширине
ямы Nw РТС
Анализ влияния технологических погрешностей на выходные электрические параметры радиоэлектронных устройств на основе наноприборов
Конструкторско-технологическая оптимизация радиоэлектронных устройств на основе наноприборов
Конструкторско-технологическая оптимизация радиоэлектронных устройств на основе наноприборов по критерию максимальной гамма-процентной наработки до отказа
Конструкторско-технологическая оптимизация радио-электронных устройств на основе наноприборов с учетом экспертных оценок поля допустимых значений его выходных параметров
Инженерная методика выполнения конструкторско-технологической оптимизации радиоэлектронных устройств на основе наноприборов
Заключение
Литература
Возможность скачивания данного файла заблокирована по требованию правообладателя.
Похожие разделы