Светцов В.И., Смирнов С.А. Корпускулярно-фотонные процессы и технологии

формат pdf
размер 5.35 МБ
добавлен 11 марта 2011 г.

Ивановский государственный химико-технологический университет. - Иваново, 2002. - 192 с.
Рассмотрены физико-химические основы процессов корпускулярно-фотонных технологий, типовые установки, конкретные технологические процессы и примеры их реализации. Учебное пособие предназначено для студентов, обучающихся по специальностям "Материалы и компоненты твердотельной электроники" и "Химическая технология материалов и изделий электронной техники".

Смотрите также

Абакумов Б.Н., Перель В.И., Яссиевич И.Н. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках

формат djvu
размер 3.06 МБ
добавлен 16 января 2010 г.

Санкт - Петербург, Издательство "Петербургский институт ядерной физики им. Б. П. Контантинова РАН", 1997 год - 376 стр. ISBN 5-86763-111-7. В книге излагаются физические представления и основы теории процессов безызлучательной рекомбинации и термической ионизации электронов и дырок в полупроводниках. В частности рассмотрена феиоменологическая теория рекомбинации, теоретические модели мелких и глубоких центров, каскадная модель захвата на притяги...

Гаман В.И. Физика Полупроводниковых Приборов (2-е изд)

формат djvu
размер 5.74 МБ
добавлен 19 марта 2010 г.

2-е пер. испр. и доп. изд. - Томск, 2000. - 456 с. Очень хороший учебник по физике полупроводниковых приборов. Рассматриваются след. вопросы: контакты металл-полупроводник; электронно-дырочные переходы; пробой p-n-перхода; гетеропереходы; перех. процессы в п/п диодах; электронные процессы в МДП-структурах; ПЗС системы; туннельные МДП-диоды; аналоговые транзисторы; функциональные возможности п/п диодов; диоды для усиления и генерации СВЧ-мощности;...

Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе теллурида висмута (Bi2Te3)

формат djvu
размер 5.05 МБ
добавлен 09 февраля 2010 г.

Полупроводниковые термоэлектрические материалы на оенове Bi2Te3, Гольцман Б. М., Кудинов В. А., Смирнов И. А. Изд. -во «Наука», Главная редакция физико-математической литературы, 1972. В монографии подробно обсуждаются явления переноса, а также оптические и резонансные явления, которые в анизотропных материалах со сложной зонной структурой (каковыми являются Bi2Te3 и твердые растворы на его основе) имеют ряд существенных особенностей. Большое вн...

Ежовский Ю.К., Денисова О.В. Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов

формат pdf
размер 973.23 КБ
добавлен 24 января 2011 г.

СПб.: СЗТУ, 2005. - 80 с. Учебное пособие по дисциплине "Физико-химические основы технологии РЭС" соответствует требованиям государственных образовательных стандартов высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированного специалиста 654300 - "Проектирование и технология электронных средств" (специальность 200800 - "Проектирование и технология электронных средств") и направлению подготовки бакалавра 551100 - "Проектирова...

Светцов В.И., Вакуумная и плазменная электроника

формат pdf
размер 1.46 МБ
добавлен 01 февраля 2011 г.

Учебное пособие. Ивановский гос химико-технологический университет. Изд. ИГХТУ, 2003. 172 стр. Для студентов специальности 251000 "Химическая технология монокристаллов, материалов и изделий электронной техники" по дисциплине "Физическая электроника и электронные приборы" и 550700 "Электроника и микроэлектроника" по дисциплине "Вакуумная и плазменная электроника".

Смирнов В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств: учебное пособие

формат pdf
размер 1.06 МБ
добавлен 30 января 2012 г.

Ульяновск: УлГТУ, 2005.- 112 с. ISBN 5-89146-600-0 Рассмотрены основные технологические операции производства электронных средств с точки зрения физических явлений, сопутствующих или лежащих в основе той или иной операции. Основное внимание уделено технологии полупроводниковых микросхем, которые реализуются в приповерхностном слое полупроводниковой пластины. Рассмотрены также основные операции изготовления гибридных интегральных микросхем. Пособи...

Томилин В.И. Физико-химические основы технологии электронных средств

формат pdf
размер 4.18 МБ
добавлен 26 апреля 2011 г.

Учебное пособие - Красноярск: СФУ, 2007 - 468с. В учебном пособии изложены современные представления о физико-химических основах технологических процессов электроники, особенности термодинамики химических и фазовых равновесий, кинетические характеристики процессов. Рассмотрены процессы зародышеобразования, роста слоев новой фазы, методы проведения термодинамического анализа. Учебное пособие предназначено бакалавров и магистров направления 210200...

Фазы внедрения в технологии полупроводниковых приборов и СБИС / Агеев О.А., Беляев А.Е., Болтовец Н.С., Конакова Р.В., Миленин В.В., Пилипенко В.А

формат pdf
размер 11.54 МБ
добавлен 14 февраля 2011 г.

Настоящая коллективная монография содержит теоретические и экспериментальные результаты по использованию ряда силицидов, нитридов и боридов тугоплавких металлов в технологии формирования контактов для полупроводниковых приборов и СБИС. Авторы, опираясь на собственные исследования и литературные данные, на конкретных примерах показывают перспективность использования фаз внедрения (TiNx, TiBx, ZrBx, NbNx) для создания контактов к широкозонным полуп...

Шалаев А.М., Адаменко А.А. Радиационно-стимулированное изменение электронной структуры

формат djvu
размер 2.23 МБ
добавлен 17 августа 2011 г.

Рассмотрены процессы взаимодействия ионизирующего излучения с ионно-электронной системой металлических твердых тел, связь радиационного дефектообразования с локальными искажениями электронных состояний, процессы радиационно-стимулированной диффузии в гетерогенных системах, электронные свойства радиационных дефектов и изменение физических свойств на поверхности металлов в результате облучения. Книга рассчитана на специалистов в области физики' рад...

Шпоры по ФОЭ

pottee

формат doc
размер 539.83 КБ
добавлен 29 сентября 2006 г.

Атом. Корпускулярно-волновые свойства материи. Постулат Бора. Соотношение неопределённостей. Квантовые числа. Рентгеновские лучи. Закон Мозли. Рентгеноспектральный анализ. Рентгеноструктурный анализ. Понятие о квантовой механике. Классическая квантовая статистика. Распределение Больцмана. Опыт М. Борна по определению длины свободного пробега. Формула Сёзерленда. Длина свободного пробега электрона. Рассеивание электронного пучка. Квантовая статис...