Навчальний посібник - 3-тє вид., випр. та допов. — К.: Університет
«Україна», 2008. — 256 с.
ISBN 978-966-388-259-8. Зміст:
Феноменологічна математична модель системи газ — напівпровідник
Постановка задачі моделювання
Формалізація задачі
Система рівнянь матеріального балансу
Фундаментальна система рівнянь масопереносу та переносу заряду в напівпровідниковому матеріалі
Статика: статистика електронів та дірок у металоокисному напівпровіднику
Тотожності зонних діаграм напівпровідникових структур
Коефіцієнти інжекції та екстракції носіїв заряду об’ємними домішковими центрами
Узагальнена статистика багатозарядних домішкових об’ємних електронних станів
Статистика електронів та дірок на поверхні металоокисного напівпровідника
Коефіцієнти гетерогенної поверхневої реакції
Узагальнена статистика багатозарядних поверхневих електронних станів
Тотожності узагальненої статистики багатозарядних поверхневих електронних станів
Розв’язок одновимірної краєвої задачі для рівняння пуассона у випадку напівпровідника з багатозарядними домішковими центрами
Перший інтеграл краєвої задачі і напруженість електричного поля в елементах структури напівпровідникового шару
Розподіл потенціалу в напівпровідниковій пластині субмікронних розмірів
Провідність монокристалічного шару напівпровідника субмікронної товщини
Аналіз статичної характеристики напівпровідникових сенсорів газу:
ідеальні гази
Провідність полікристалічної структури
Ізотерми хемосорбції активних газів на поверхні напівпровідника
Чутливість напівпровідникових сенсорів
Селективність напівпровідникових сенсорів газу
Методики розрахунку основних електрофізичних характеристик матеріалу чутливого елементу
Організація обчислювального експерименту
Методика розрахунку рівня легування у простих окислах металів
Методика розрахунку поверхневого потенціального бар’єра у шарі напівпровідника субмікронних розмірів
Інформативні параметри масопереносу у системі плоских пластин — одновимірне наближення
Ізольована плоска пластина
Бінарна система плоских пластин
Частковий випадок масопереносу у бінарній системі плоских пластин
Дослідження асимптотичного поводження передаточних функцій
Постійні часу релаксації інформативного параметра вимірюваного сигналу при масопереносі у бінарній системі плоских пластин
Системно-структурний аналіз лінії вимірювального перетворення інформативного параметра вхідного сигналу
Хемосорбція простих ідеальних газів
Системно-структурний аналіз відгуку поверхні напівпровідника в умовах поперечного електричного поля
Аналіз і синтез сенсорів у наближенні до концепції хауффе
Хемосорбція простих ідеальних газів на атомарно чистій поверхні напівпровідника
Адсорбція акцепторного газу за наявності поверхневого легування
Адсорбція акцепторного газу за наявності жорсткого зворотного зв’язку по поверхневому потенціалу
Оптимальний синтез напівпровідникових сенсорів
Загальні питання оптимального проектування напівпровідникових сенсорів
Аналіз впливу типу макроструктури матеріалу чутливого елементу та її характеристичних розмірів на метрологічні характеристики сенсорів
Оптимізація параметрів металоокисного чутливого елементу за критерієм максимуму чутливості
Оптимізація метрологічних характеристик металоокисного чутливого елементу за критерієм максимуму селективності
Література
ISBN 978-966-388-259-8. Зміст:
Феноменологічна математична модель системи газ — напівпровідник
Постановка задачі моделювання
Формалізація задачі
Система рівнянь матеріального балансу
Фундаментальна система рівнянь масопереносу та переносу заряду в напівпровідниковому матеріалі
Статика: статистика електронів та дірок у металоокисному напівпровіднику
Тотожності зонних діаграм напівпровідникових структур
Коефіцієнти інжекції та екстракції носіїв заряду об’ємними домішковими центрами
Узагальнена статистика багатозарядних домішкових об’ємних електронних станів
Статистика електронів та дірок на поверхні металоокисного напівпровідника
Коефіцієнти гетерогенної поверхневої реакції
Узагальнена статистика багатозарядних поверхневих електронних станів
Тотожності узагальненої статистики багатозарядних поверхневих електронних станів
Розв’язок одновимірної краєвої задачі для рівняння пуассона у випадку напівпровідника з багатозарядними домішковими центрами
Перший інтеграл краєвої задачі і напруженість електричного поля в елементах структури напівпровідникового шару
Розподіл потенціалу в напівпровідниковій пластині субмікронних розмірів
Провідність монокристалічного шару напівпровідника субмікронної товщини
Аналіз статичної характеристики напівпровідникових сенсорів газу:
ідеальні гази
Провідність полікристалічної структури
Ізотерми хемосорбції активних газів на поверхні напівпровідника
Чутливість напівпровідникових сенсорів
Селективність напівпровідникових сенсорів газу
Методики розрахунку основних електрофізичних характеристик матеріалу чутливого елементу
Організація обчислювального експерименту
Методика розрахунку рівня легування у простих окислах металів
Методика розрахунку поверхневого потенціального бар’єра у шарі напівпровідника субмікронних розмірів
Інформативні параметри масопереносу у системі плоских пластин — одновимірне наближення
Ізольована плоска пластина
Бінарна система плоских пластин
Частковий випадок масопереносу у бінарній системі плоских пластин
Дослідження асимптотичного поводження передаточних функцій
Постійні часу релаксації інформативного параметра вимірюваного сигналу при масопереносі у бінарній системі плоских пластин
Системно-структурний аналіз лінії вимірювального перетворення інформативного параметра вхідного сигналу
Хемосорбція простих ідеальних газів
Системно-структурний аналіз відгуку поверхні напівпровідника в умовах поперечного електричного поля
Аналіз і синтез сенсорів у наближенні до концепції хауффе
Хемосорбція простих ідеальних газів на атомарно чистій поверхні напівпровідника
Адсорбція акцепторного газу за наявності поверхневого легування
Адсорбція акцепторного газу за наявності жорсткого зворотного зв’язку по поверхневому потенціалу
Оптимальний синтез напівпровідникових сенсорів
Загальні питання оптимального проектування напівпровідникових сенсорів
Аналіз впливу типу макроструктури матеріалу чутливого елементу та її характеристичних розмірів на метрологічні характеристики сенсорів
Оптимізація параметрів металоокисного чутливого елементу за критерієм максимуму чутливості
Оптимізація метрологічних характеристик металоокисного чутливого елементу за критерієм максимуму селективності
Література