Учебное пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских
технологий. — Саратов, 2013. — 128 с. : ил. — Электронное издание.
— ISBN 5-292-01986-0
Учебное пособие посвящено изложению физических основ
наноэлектроники. Описаны явления переноса носителей заряда в
гетероструктурах с селективным легированием. Рассмотрены квантовые
эффекты в структурах с пониженной размерностью, описаны новые типы
микро- и наноэлектронных и оптоэлектронных приборов. Изложены
физические принципы работы приборов наноэлектроники.
Для студентов университета, обучающихся по направлению: 210600 — «Электроника и наноэлектроника», специальностям: 010410 — «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 200100 — «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также научных сотрудников, аспирантов, инженеров, занимающихся исследованиями в области микро- и наноэлектроники. физики полупроводников, квантовой и оптоэлектроники. Содержание
Введение
Физика квантово-размерных структур
Особенности энергетического спектра электронов в системах пониженной размерности
Размерное квантование при надбарьерноы пролете
Квантовые состояния в системах пониженной размерности
Распределение плотности состояний в двумерных системах (квантовых ямах)
Оптические свойства квантово-размерных структур
Спектры фундаментального поглощения квантоворазмерных структур
Экситонный механизм погтощения оптического излучения в квантово-размерных гетероструктурах
Элементы и приборы наноэлектроники
Перенос носителей заряда в гетероструктурах с селективным легированием
Полевые транзисторы на гетероструктурах с селективным легированием
Гетеропереходы
Селективное легирование. Двумерный электронный газ
Принцип работы полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием
Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием
Транзисторы с инжекцией горячих электронов
Транзисторы на горячих электронах с переносом заряда в пространстве
Туннельный перенос носителей заряда в квантово-размерных структурах
Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру
Резонансное туннелирование через двухбарьерную квантовую структуру
Инерционность резонансного туннелирования и быстродействие приборов на основе ДБКС
Микроэлектронные приборы на основе ДБКС
Применение квантово-размерных структур в оптоэлектронике
Бистабильные оптические элементы оптического излучения в квантово-размерных гетероструктурах для создания бистабильных оптических устройств
Полупроводниковые лазеры на квантово-размерных структурах
Фотоприемники ИК-диапазона на основе квантоворазмерных структур
Список литературы
Физические константы
Параметры Ge, Si и GaAs при температуре 300 К
Свойства соединения АlxGa1-xAs
Свойства арсенида индия InAs
Свойства соединения InxGa1-xAs
Свойства фосфида индия InP
Свойства антимонида индия InSb
Свойства аморфного кремния
Греческий алфавит
Приставки кратных и дробных единиц
Зонная структура GaAs
Зонная структура Ge
Зонная структура Si
Основные обозначения
Для студентов университета, обучающихся по направлению: 210600 — «Электроника и наноэлектроника», специальностям: 010410 — «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 200100 — «Микроэлектроника и твердотельная электроника», а также научных сотрудников, аспирантов, инженеров, занимающихся исследованиями в области микро- и наноэлектроники. физики полупроводников, квантовой и оптоэлектроники. Содержание
Введение
Физика квантово-размерных структур
Особенности энергетического спектра электронов в системах пониженной размерности
Размерное квантование при надбарьерноы пролете
Квантовые состояния в системах пониженной размерности
Распределение плотности состояний в двумерных системах (квантовых ямах)
Оптические свойства квантово-размерных структур
Спектры фундаментального поглощения квантоворазмерных структур
Экситонный механизм погтощения оптического излучения в квантово-размерных гетероструктурах
Элементы и приборы наноэлектроники
Перенос носителей заряда в гетероструктурах с селективным легированием
Полевые транзисторы на гетероструктурах с селективным легированием
Гетеропереходы
Селективное легирование. Двумерный электронный газ
Принцип работы полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием
Горячие носители заряда в гетероструктурах с селективным легированием
Транзисторы с инжекцией горячих электронов
Транзисторы на горячих электронах с переносом заряда в пространстве
Туннельный перенос носителей заряда в квантово-размерных структурах
Туннелирование электронов через двухбарьерную квантовую структуру
Резонансное туннелирование через двухбарьерную квантовую структуру
Инерционность резонансного туннелирования и быстродействие приборов на основе ДБКС
Микроэлектронные приборы на основе ДБКС
Применение квантово-размерных структур в оптоэлектронике
Бистабильные оптические элементы оптического излучения в квантово-размерных гетероструктурах для создания бистабильных оптических устройств
Полупроводниковые лазеры на квантово-размерных структурах
Фотоприемники ИК-диапазона на основе квантоворазмерных структур
Список литературы
Физические константы
Параметры Ge, Si и GaAs при температуре 300 К
Свойства соединения АlxGa1-xAs
Свойства арсенида индия InAs
Свойства соединения InxGa1-xAs
Свойства фосфида индия InP
Свойства антимонида индия InSb
Свойства аморфного кремния
Греческий алфавит
Приставки кратных и дробных единиц
Зонная структура GaAs
Зонная структура Ge
Зонная структура Si
Основные обозначения