Препринт. - М.: Институт проблем управления РАН, 1998, 60 с.
В работе изложены принципы действия, построения и характеристики
тонкопленочных многослойных магниторезистивных (МР) элементов
памяти, в том числе новых предложенных анизотропных МР элементов
включая разработку технологии и исследование опытных образцов.
Приведены результаты теоретического исследования МР запоминающих
элементов, основанных на недавно открытом спин-вентильном
("гигантском") магниторезистивном эффекте. Авторами исследованы МР
структуры и предложены методы динамического и статического
считывания, улучшающие характеристики известных зарубежных
элементов.
Введение.
Принципы действия тонкопленочных многослойных магниторезистивных
элементов.
Запоминающие элементы, основанные на анизотропном
магниторезистивном эффекте.
Теоретическое исследование принципов построения запоминающих
элементов на основе спин-вентильного магниторезистивного
эффекта.
Перспективы применения спин-вентильных запоминающих элементов.
Литература.
Список используемых терминов.