Учебное пособие. - М.: Институт проблем управления РАН, 1999, 63
с.
Рассматриваются запоминающие элементы с произвольной выборкой и
датчики мaгнит нoгo поля на основе тонкопленочных многослойных
структур с анизотропным, спин-вентильным и спин-туннельным
магниторезистивными эффектами. Проведен анализ способов управления
и областей работоспособности, предложены новые конструкции
запоминающих элементов с динамическим и статическим считыванием,
способы управления ими.
Предисловие.
Список сокращений.
Введение.
Обсуждаемые вопросы.
Тонкопленочные многослойные магниторезистивные элементы.
Запоминающие элементы на основе анизотропного МРЭ.
Запоминающие элементы на основе спин-вентильного и спин-туннельного
МРЭ.
Магниторезистивные преобразователи магнитного поля.
Литература.