Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

формат pdf
размер 16.47 МБ
добавлен 18 августа 2010 г.

Москва, Издательство "Наука", 1981 год - 368 стр.
В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов
образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы
получения информации о микромеханизмах атомных смещений в
неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе
принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое
внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно
небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных
данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано,
что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам
возникновения и миграции дефектов в полупроводниках.

Похожие разделы

Смотрите также

Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках

формат djv
размер 5.28 МБ
добавлен 19 января 2010 г.

Москва, Издательство "Наука", 1981 год - 368 стр. В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных эффектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов п...

Вологдин Э.Н., Лысенко А.П. Интегральное радиационное изменение параметров полупроводниковых материалов

формат pdf
размер 1.02 МБ
добавлен 15 марта 2011 г.

М.: Научно-образовательный центр Московского региона в области фундаментальных проблем радиационной физики твердого тела и радиационного материаловедения. Московский государственный институт электроники и математики, 1998. - 94 с. Основным содержанием учебного пособия является рассмотрение вопросов взаимодействия основных видов радиации с твердым телом. Рассматриваются структуры конкретных точечных и групповых радиационных дефектов в кремнии, гер...

Гаврилов Р.А., Скворцов А.М. Основы физики полупроводников

формат djvu
размер 4.41 МБ
добавлен 14 февраля 2011 г.

Настоящее учебное пособие написано в соответствии с утвержденной программой курса "Полупроводники и полупроводниковые приборы" для специальных средних технических учебных заведений. В книге рассказано о строении атомов и на этой основе дано описание строения твердых тел. Рассмотрены физические явления, происходящие в полупроводниках, и процессы, приводящие к возникновению тока в полупроводниковых кристаллах. Приведены физические процессы, происхо...

Конакова Р.В., Кордош П., Тхорик Ю.А. и др. Прогнозирование надежности полупроводниковых лавинных диодов

формат djv
размер 2.18 МБ
добавлен 17 января 2010 г.

Киев, Издательство "Наукова Думка", 1986 год - 180 стр. В книге систематизированы и обобщены результаты разработок методов прогнозирования надежности полупроводниковых лавинных диодов и исследование механизмов их деградации. Авторы опираются на собственные исследования и разработки в этой области. Проанализированные различные механизмы деградации полупроводниковых лавинных диодов с p - n переходом, гетеропереходом. Рассмотрены пути повышения их...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало

формат pdf
размер 1.87 МБ
добавлен 24 октября 2011 г.

Москатов Е. А. Электронная техника. Начало. – 3-е изд., перераб. и доп. – Таганрог, 204 с., ил. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы элек-тронной техники, его отличает компактное изложен...

Москатов Е.А. Электронная техника. Начало. 3-е изд

формат djvu
размер 2.88 МБ
добавлен 29 июня 2010 г.

Таганрог, 2010 г. - 204 с. В книгу входят сведения о полупроводниках, о созданных на их основе современных компонентах, например, плазменных панелях, дисплеях на углеродных нанотрубках, ионисторах, биполярных транзисторах с изолированными затворами, запираемых тиристорах и прочих. Материал содержит ответы на некоторые вопросы электронной техники, его отличает компактное изложение - в каждой теме дана минимально необходимая информация. Простым язы...

Нахалов В.А. Электронные твердотельные приборы

формат doc
размер 3.88 МБ
добавлен 24 апреля 2011 г.

Учебное пособие. В 2 ч. Ч. 1. Хабаровск: Изд-во ДВГУПС, 2006. – 68 с. : ил. Пособие соответствует дисциплине «Физические основы электроники» и «Электроника» по государственному образовательному стандарту направления 190400 «Системы обеспечения движения поездов» высшего профессионального образования специальности 190402 «Автоматика, телемеханика и связь на железнодорожном транс-порте». Рассмотрены физические процессы, контактные явления, характе...

Полупроводники (презентация)

формат ppt
размер 326 КБ
добавлен 11 февраля 2007 г.

Полупроводники. Полупроводниковый диод. Рекомбинация. Собственная проводимость. Проводники IV группы. Решетка германия. Примеси. Сильно легированные полупроводники. Фотопроводимость полупроводников. Прохождение быстрых частиц через полупроводники. Диффузия носителей. Термоэлектрические явления в полупроводниках. P-N переход.

Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов

формат djvu
размер 2.36 МБ
добавлен 15 августа 2011 г.

М.: Энергия, 1979г. - 168с. В книге изложены физические основы деформационных эффектов в однородных полупроводниках и полупроводниковых приборах. Даны формулы для расчета чувствительности этих приборов к давлению. Проведены расчеты зонной структуры деформированных полупроводников для разных видов деформаций.

Ржевкин. Пособие для студентов по полупроводниковым приборам

формат doc
размер 1.92 МБ
добавлен 03 января 2009 г.

Описан полный курс по ПП. Все описано подробно и понятно. Включает главы: Механизмы проводимости твердых тел; Контактные явления; биполярные и полевые транзисторы. Приведено много диаграмм и описаний.