Ростов-на-Дону: ЮНЦ РАН, 2010.- С. 32-49.
Содержание:
МОЛЕКУЛЯРНЫЙ ДИЗАЙН ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ (OLEDs) — И.Е. Михайлов, Г.А. Душенко, Д.А. Стариков, О.И. Михайлова, Минкин В.И.
В данной обзорной статье рассмотрены строение, принципы работы и практическое использование органических светоизлучающих диодов (OLEDs). Особое внимание в ней уделено недавним результатам и тенденциям в области молекулярного дизайна и синтеза электролюминесцентных материалов на основе сопряженных полимерных соединений, флуоресцентных s-, p- и d-металлокомплексов и люминесцентных координационных соединений редкоземельных элементов. Показано влияние электронных, структурных факторов, межмолекулярных взаимодействий и природы металлоцентра на спектральные и рабочие характеристики светоизлучающих соединений, описаны пути создания полноцветных OLEDs. Приведены данные по гибридным электролюминесцентным соединениям, позволяющим перейти от сложных в изготовлении и эксплуатации многослойных OLEDs к простым и надежным однослойным электролюминесцентным устройствам. ФОРМИРОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs НА ПОДЛОЖКАХ GaAs МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ — Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко
Экспериментально показана возможность формирования методом ионно-лучевого осаждения квантовых точек InAs на поверхности GaAs. Методами АСМ- и СЭМ-микроскопии исследована морфология квантовых точек InAs. Определен элементный состав и получены спектры фотолюминесценции выращенных наноструктур InAs/GaAs.
МОЛЕКУЛЯРНЫЙ ДИЗАЙН ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ МАТЕРИАЛОВ ДЛЯ ОРГАНИЧЕСКИХ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИХ ДИОДОВ (OLEDs) — И.Е. Михайлов, Г.А. Душенко, Д.А. Стариков, О.И. Михайлова, Минкин В.И.
В данной обзорной статье рассмотрены строение, принципы работы и практическое использование органических светоизлучающих диодов (OLEDs). Особое внимание в ней уделено недавним результатам и тенденциям в области молекулярного дизайна и синтеза электролюминесцентных материалов на основе сопряженных полимерных соединений, флуоресцентных s-, p- и d-металлокомплексов и люминесцентных координационных соединений редкоземельных элементов. Показано влияние электронных, структурных факторов, межмолекулярных взаимодействий и природы металлоцентра на спектральные и рабочие характеристики светоизлучающих соединений, описаны пути создания полноцветных OLEDs. Приведены данные по гибридным электролюминесцентным соединениям, позволяющим перейти от сложных в изготовлении и эксплуатации многослойных OLEDs к простым и надежным однослойным электролюминесцентным устройствам. ФОРМИРОВАНИЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs НА ПОДЛОЖКАХ GaAs МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ — Л.С. Лунин, И.А. Сысоев, С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко
Экспериментально показана возможность формирования методом ионно-лучевого осаждения квантовых точек InAs на поверхности GaAs. Методами АСМ- и СЭМ-микроскопии исследована морфология квантовых точек InAs. Определен элементный состав и получены спектры фотолюминесценции выращенных наноструктур InAs/GaAs.