
Причину возникновения явления Пельтье легко понять, если
обратиться к рис. 73, на котором изображена энергетическая кар-
тина контакта металла и полупроводника. Как известно, в металле
проводимость осуществляется электронами с энергией вблизи уровня
Ферми. В полупроводнике (в данном случае электронном) ток пере-
носится электронами зоны проводимости. Из рис. 73 видно, что
средняя энергия электронов проводимости в полупроводнике больше,
чем в металле, на величину не меньшую, чем E
c
—
F. Чтобы элект-
роны из металла могли перейти в полупроводник, они должны пре-
одолеть потенциальный барьер высотой по крайней мере E
c
—
F;
для этого они должны получить энергию от решетки, что. приводит
к охлаждению металла в области контакта. Ясно, что количество
необходимой энергии зависит от числа проходимых через контакт
1
электронов, т. е. от прошедшего заряда. Если изменить направле-
ние тока, то теперь электроны, переходя из
полупроводника в металл, будут иметь избыток
энергии по сравнению с электронами проводи-
мости металла. Приходя в равновесие с ними,
электроны, прошедшие через контакт, отдадут
избыток энергии (не менее E
c
—
F) решетке, что
и приведет к выделению тепла на контакте.
Из механизма возникновения эффекта Пельтье
следует, что для контакта металл
—
металл ко-
рис 73 Эне гетичес
эффициенты Пельтье должны иметь значительно
кС
х
е
ма
Не
ко
е
нтак
е
та
меньшую величину, чем на контакте металла металла с электрон-
и полупроводника или двух полупроводников, ним полупроводником
Можно подойти к пониманию явления Р
авк
™и работами
Пельтье несколько иначе. На контакте двух выхода;
веществ имеется внутреннее контактное поле.
Если через контакт идет ток, то контактное поле будет либо спо-
собствовать прохождению тока, либо препятствовать. Если ток идет
против контактного поля, то внешний источник должен затратить
дополнительную энергию, которая выделяется в контакте, что при-
ведет к его нагреву. Если же ток идет по направлению контактного
поля, то он может поддерживаться этим полем, которое и совер-
шает работу по перемещению зарядов. Необходимая для этого энер-
гия отбирается у вещества, что приводит к охлаждению его в месте
контакта.
Эффекты Зеебека и Пельтье являются не только контактными
явлениями, но и объемными. Они могут наблюдаться в объеме неод-
нородного полупроводника.
3. Явление Томсона, или электротермический
эффект Томсона. Если полупроводник нагрет неравномерно, то
концентрация носителей заряда в нем будет больше там, где выше
температура, поэтому градиент температуры приводит к градиенту
концентрации, вследствие чего возникает диффузионный поток носи-
телей заряда. Это нарушает электронейтральность. Разделение заря-
дов порождает электрическое поле, препятствующее разделению.
293