
35 
 
Если объеденить вещества А и В в КМ и подействовать на него свойством Х , 
то свойство У, выходя из вещества А, действует на вещество В, а на выходе 
из КМ получается свойство Z. Внутри КМ мы не видим проявления свойства 
У. Поэтому можем представить, что на КМ действует свойство Х, а выходит
 
свойство Z. Пример  такого  КМ.  Вещество  А  сцинтиллирует (светится)  под 
действием  потока  корпускул (частиц).  Вещество  В  увеличивает  свою 
электропроводность  под  действием  освещения (фотопроводник).  В  целом 
такой КМ будет увеличивать свою электропроводность под действием потока 
корпускул.  Подбирая  пары  веществ  А  и  В  с  разными  свойствами  Х,  У  и Z, 
можно получить искусственный КМ 
с такой парой свойств Х- Z, которой нет 
у природных веществ. Все это открывает большие возможности по созданию 
и применению принципиально новых КМ. 
Если  свойства  компонентов  значительно  отличаются,  то  изменение 
свойства  может  быть  другим  и  более  сложным.  Изменение  зависит  еще  от 
структуры  КМ:  дисперсные,  волокнистые, 1 -, 2 – или 3-х  мерное 
расположение  включений.  Это  наглядно
  можно  представить  по 
электропроводности  КМ,  состоящего  из  диэлектрика  и  металла.  Для 
дисперсного  КМ  электропроводность  будет  определяться 
электропроводностью  матрицы.  Электропроводность  волокнистого  КМ  
будет зависеть от электропроводности включения и схемы его расположения. 
Существенны  две  задачи:  найти  способ  усреднения  и  определить 
зависимость  параметров  композита  от  геометрической  структуры. 
Усреднение  не  арифметическое,  а  некое  функциональное.  То  есть , задача 
теории  состоит  в  предсказании  связи  свойств  композита  со  свойствами  его 
составляющих  по  известным  параметрам  матрицы,  наполнителя  и  их 
компоновке,  размеру  и  форме  изделия,  удовлетворяющим  требуемым 
условиям  работы.  Под  параметрами  понимают  прочность  и  жесткость, 
теплопроводность,  коэффициент  теплового  расширения,  коэффициент 
Пуассона  и  др.,  формирование  которых  преследуется  при  разработке 
композита. 
Ряд  электрических,  оптических,  магнитных  свойств  композитов, 
которые  основаны  на  периодичности,  анизотропности  структуры,  влиянии 
размера  фаз  и  межфазных  эффектах,  например,  анизотропия 
электропроводности  композита,  состоящего  из  изолирующей  или 
полупроводниковой матрицы и однонаправленных металлических проволок. 
Электропроводность в направлении осей проволок в десятки раз выше, чем в 
поперечном  направлении.  В  композите  такого  типа  анизотропия  возникает 
из-за  того,  что  напряжение  Холла,  или  термоЭДС  короткозамкнута  в 
направлении проводящих проволок и не замкнута в перпендикулярных к ним 
направлениям.  На  основе  полученного  направленной  кристаллизацией 
эвтектического  композита InSb-NiSb разработаны  уникальные  магнито-
резисторные устройства.