Месяц Г.А. Импульсная энергетика и электроника

Подождите немного. Документ загружается.

480

Глава 24. Электронные пучки большого сечения

Стремление реализовать диод с регулируемой плотностью тока при постоянном

зазоре стимулировало попытки создания плазменных катодов, в которых образова-

ние плазмы не зависит от ускоряющего напряжения. Для катодов большой площа-

ди можно применять разряд по поверхности диэлектрика, реализуемый с помощью

схемы поджига с емкостной связью. Впервые такой катод описан в [21]. Плазмен-

ный эмиттер этого типа для управления разрядом в газовых лазерах использован в

[27, 28]. Управляемый катод с пробоем на поверхности диэлектрика в вакууме

(рис. 10) состоит из множества круглых элементов, вытравленных на поверхности

фольгированного гетинакса. Большое число металлических островков, отделенных

кольцевыми изолирующими зазорами от металла пластины, имеют емкостную

связь через диэлектрик с металлическим слоем, нанесенным на другой стороне

диэлектрика. При подаче импульса на катод напряжение распределяется между

конденсаторами С\ и С

. Рост напряжения 1/

вызывает пробой на поверхности

диэлектрика, после чего разряжается С\. Нетрудно видеть, что при этом происхо-

дит параллельный пробой всех зазоров, поскольку пробой одного зазора не влияет

на пробой остальных. В [26] испытывались панели с плотностью шестнадцать

элементов на 1 см

. Изменяя время задержки между поджигом катода и подачей

ускоряющего напряжения, можно существенно изменить плотность тока в диоде.

Однако недостаточная стабильность работы таких катодов препятствует их широ-

кому применению.

Одна из серьезных проблем использования металлодиэлектрических катодов -

металлизация поверхности диэлектрика за счет жидкого металла, плазмы и пара,

испускаемых эктоном. Это затрудняет функционирование катода. Кроме того, про-

исходит разрушение диэлектрика при длительной работе. Для уменьшения влия-

ния этих эффектов в [31] предложено использовать в качестве катода вращающий-

ся керамический цилиндр, к которому плотно прижаты два электрода (рис. 11).

При подаче импульса напряжения на диод из-за емкостных связей между электро-

дами 2 и 4, а также электродом 4 и стенками диода возникает разность потенциа-

лов на поверхности диэлектрика и происходит разряд по диэлектрику по многим

каналам. Этот разряд создает на катодной кромке большое число центров ВЭЭ,

эмитирующих электроны. Такие катоды имеют большой срок службы (до 10

вклю-

чений и более) при частоте импульсов 10

—10

Гц и средней мощности 10-20 кВт.

Рис. 24.10. Управляемый плазменный катод с пробоем на поверхности диэлектрика: 1 -

фольга из металла; 2 - изолирующий зазор; 3 - металлический «островок»; 4 - диэлектрик

24.4 Металлодиэлектрические катоды

481

Рис.

24.11.

Металлодиэлектрический катод с вращающимся керамическим цилиндром: 1 -

катододержатель; 2 - основной электрод; 3 - керамический цилиндр; 4 - вспомогательный

электрод;

- изолятор

Миллер [30] описал работу диэлектрических волоконных катодов, которые ино-

гда называют вельветовыми. Конструкция их такова: много диэлектрических воло-

кон вставляются перпендикулярно в плоский катод (рис. 12, а). При приложении

электрического поля между катодом и анодом начинается разряд по поверхности

волокна (рис. 12, б). Плазма разряда, касаясь катода, вызывает взрывную эмиссию

электронов (см. § 5.2). Если диэлектрические волокна расположить на достаточно

близком расстоянии друг от друга, то можно получить на катоде сплошное плаз-

менное образование и однородный электронный пучок из-за горизонтального рас-

ширения плазмы поверхностного разряда (рис. 12, в).

Котов с сотрудниками в ИЭФ [31] разработали катод, состоящий из металлоди-

электрической керамики: катод содержит диэлектрические нанопорошки (А1

)

размером -20 нм и нанопорошки из стали размером 10+30 нм. Керамика получа-

лась путем магнитного прессования этих порошков. В местах касания частиц ди-

электрика и металла всегда имеются полости, вследствие чего образуется очень

много тройных точек. При приложении электрического поля ТТ инициируют раз-

ряд по поверхности диэлектрика и покрывают плазмой всю поверхность катода.

Поэтому генерируется электронный пучок с высокой однородностью плотности

Рис. 24.12. Схема работы волокно-диэлектрического (вельветового) катода: а - расположе-

ние диэлектрического волокна до начала эмиссии, б - эмиссия с одиночного волокна, в -

эмиссия с катода, содержащего много волокон

31. Месяц Г. А.

482 Глава

24.

Электронные пучки

большого

сечения

тока. При этом большую роль играет перераспределение потенциала на поверхно-

сти диэлектрика в результате перекрытия диэлектрических нанопорошков. Этот

эффект напоминает работу последовательных разрядников, описанных в § 11.6.

§ 24.5 Физические процессы в диодах для пучков

большого сечения

24.5.1 Наносекундные пучки

Пусть многоострийный катод состоит из большого числа тонких острий, рас-

положенных рядами, причем расстояние между рядами равно а, а расстояние меж-

ду остриями в одном ряду -

(рис. 13). Если размеры острий таковы, что при при-

ложении импульса напряжения время взрыва каждого много меньше длительности

фронта импульса, то можно считать, что острия взрываются одновременно. Если

а^>Ь, то время движения плазмы между соседними остриями в ряду, равное Ы2у

(V- скорость движения катодной плазмы) будет намного меньше времени движе-

ния между рядами, и многоострийный катод можно рассматривать как катод с эми-

тирующими нитями, находящимися на расстоянии а друг от друга. При условии,

что площадь катода 5 »

с1

а длительность импульса «

с11у,

ток электронов в

диоде можно представить соотношением [22]:

I = 9,33

•

10"

N(1/(1) \]

/(аШ\ (24.13)

где N - число рядов; / - длина ряда;

- расстояние катод-анод; II - напряжение.

Функция /(а/У) имеет вид:

аШ

/(а/с1)= | [(1

)

1/2

Их агс

зЬ я;]"

(24.14)

320

-г 240

со

^ 160

0 40 80 120 160 200 240 280

V [кВ]

Рис. 24.13. Обобщенная вольт-амперная характеристика диода с многоострийным катодом

при взрывной эмиссии электронов и схематическое устройство этого катода. Кривая рассчи-

тана по формуле (15). Токи получены при различных величинах /, й

5; они взяты из работ

разных авторов

24.5 Физические процессы

диодах для пучков большого сечения

483

При аШ « 1 функция /(аШ)«\1А(а1с1) и, принимая во внимание, что площадь

катода 5 = аШ, получаем обычное выражение для вольт-амперной характеристики

диода с плоскими электродами:

где е и т - заряд и масса электрона. Если принять, что длительность импульса /

сравнима с величиной

ШV,

то получим:

(24Л6)

Формулы (15) и (16) справедливы при е11« тис

. На рис. 13 приведена теоретиче-

ская зависимость /(С/) (15), соответствующая закону «степени 3/2», а эксперимен-

тальные точки заимствованы из работы [32] (диаметр катода 2 см, а = 0,8 мм,

= 0,3 мм, число игл 1500, длина зазора 1 см). В этих экспериментах соблюдалось

соотношение /

« с11у. Хорошее соответствие расчетной зависимости и результа-

тов эксперимента указывает на то, что многоострийный катод [33] работал не в

автоэмиссионном режиме, как предполагали авторы, а во взрывном. На рис. 13

также показаны экспериментальные точки, взятые из работы [22].

Отсутствие зависимости тока от размеров эмиссионных центров и их взаимно-

го расположения в формуле (15) позволяет предположить, что если соблюдаются

условия:

-«1, >/$»</, (24.17)

то закон «степени 3/2» соблюдается так же,

как

для диода с плоским катодом. Реляти-

вистский фактор у =

- У$/с

1/2

, где - скорость электронов. При

= и

/с 1

= 1+"~~т- (24.18)

Тогда из (16) и (18) получим при

(24.19)

/ = — 72(У-1)

3/2

-^— ДЛЯ у«3 (24.20)

е 9т/

/ =

—ТГЗГ Для у»1, (24.21)

е 2па

где

- скорость катодной плазмы в процессе ВЭЭ. Эти два выражения для пре-

дельной плотности тока электронов в плоском диоде можно записать единым обра-

зом, воспользовавшись интерполяцией [33]:

в 2л*/

2 4

Остановимся на других отклонениях вольт-амперных характеристик диодов от

закона «степени 3/2». Если предварительно за время /

до прихода импульса уско-

ряющего напряжения в диоде образуется плазма в результате взрыва острий, то

уже к моменту прихода импульса вместо величины

с1

в знаменателе необходимо

31*

484

Глава 24. Электронные пучки большого сечения

записать

(с1

- Ы). Это, а также компенсация электронного объемного заряда ионами

плазмы, приведет к росту тока в диоде по сравнению с тем случаем, когда плазма

КФ образуется самим ускоряющим импульсом [22].

В работе [29] показана возможность увеличения тока электронов с острийного

катода за счет предымпульса в 8 раз. Этот эффект наблюдался в [21] в диоде с

управляемым катодом. Предымпульсы при импульсном заряде накопителей в гене-

раторах электронных пучков могут возникать вследствие протекания тока смеще-

ния через собственную емкость коммутатора за время задержки его срабатывания.

Предымпульсы приводят к росту тока не только из-за изменения геометрии про-

межутка. Если плазма за время действия предымпульса успевает образоваться во

всем объеме диода из-за испарения стенок и анода, то ток, кроме того, будет воз-

растать из-за компенсации ионами поля объемного заряда электронов [34]. Рост

тока в диоде при действии предымпульсов наблюдался в [35, 36], причем в ряде

работ отмечается полезность этого эффекта для увеличения электронного тока.

Например, в [35] удалось увеличить ток в 10 раз и довести его до 10

А. Отклоне-

ние от закона «степени 3/2» при многоострийном катоде возможно также из-за не-

соблюдения условий (17).

Мы не учитывали, что в диоде может образоваться анодная плазма. В этом слу-

чае скорость сближения электродов равна суммарной скорости катодной и анодной

плазм. Наглядно это иллюстрируется в работе [37]. Измерения проводились для

диода с графитовыми электродами диаметром 5 см. По зависимости первеанса

электронного потока авторы могли судить о скорости сокращения вакуумной части

промежутка (рис. 14). Через 30 не после прихода импульса напряжения на проме-

жуток вся поверхность графитового катода покрывается плазмой. После этого из-

менения первеанса хорошо описываются расширением катодной плазмы в сторону

анода со скоростью 1,8-10

см/с. Однако примерно через 70 не первеанс начинает

расти быстрее, чем это следовало бы из предположения о неизменной скорости

Рис.

24.14.

Зависимость первеанса от времени: точки - эксперимент, сплошная

линия

- рас-

чет

при

у = 1,8-10

см/с

^ 24.5

Физические процессы

в диодах для пучков

большого

сечения 485

катодной плазмы. Необходимо допустить, что с этого момента появляется анодная

плазма, примерно с такой же скоростью движущаяся навстречу катодной. То, что

это действительно так, показано в главе 5 настоящей монографии. Этот вывод под-

тверждается и экспериментами [38].

Как мы уже упоминали, одно из главных применений ПБС - накачка газовых

лазеров. Например, для накачки КгР-эксимерного лазера [13] требуется плотность

тока порядка десятков А/см

. Тогда при апертуре пучка примерно 1 м

полный ток

может приближаться к 10

А. При таких токах собственное магнитное поле пучка

будет влиять на траектории электронов, вызывая сильное пинчевание пучка. Чтобы

предотвратить этот эффект, необходимо приложить к диоду внешнее продольное

магнитное поле, которое должно быть больше собственного поля.

Внешнее магнитное поле повышает эффективность выделения энергии в лазер-

ной среде. Подбирая магнитное поле, можно вывести электронный пучок только в

активную зону лазера, что увеличивает его кпд. Однако наличие внешнего магнитно-

го поля имеет и ряд недостатков. Во-первых, необходима дополнительная энергия

для питания магнитов. Во-вторых, магнитное поле мешает перекрытию плазмы от

отдельных эктонов и созданию сплошного плазменного слоя на катоде. Плотность

электронного пучка получается неоднородной, что ухудшает качество накачки газо-

вого лазера. И, в-третьих, продольное магнитное поле увеличивает скорость катод-

ной плазмы, что может уменьшить время накачки лазера. К вопросу о роли собст-

венного и внешнего магнитных полей мы еще вернемся в следующей главе.

24.5.2 Пучки большого сечения микросекундной и большей длительности

Первоначально после появления диодов с использованием ВЭЭ предполагалось,

что такие пучки электронов не могут иметь длительность более 10~

с. Предельная

длительность импульса электронного тока в таком ускорителе ограничивается вре-

менем, в течение которого происходит перемыкание промежутка катод-анод плаз-

мой, образованной на электродах. Если анодную плазму можно устранить, уменьшая

плотность тока или используя фольговый или сеточный анод, то катодная плазма

принципиально не устранима. В [6] впервые показана возможность получения мик-

росекундных пучков электронов при использовании длинного промежутка катод-

анод, равного 10-20 см при площади мношострийного катода 200 см

. Это позволи-

ло уменьшить плотность тока на аноде и влияние анодной плазмы, а также влияние

катодной плазмы из-за увеличения времени ее пробега. В этой работе получены пуч-

ки электронов с энергией более 1 МэВ, током до 5 кА и длительностью до 4 мкс.

Схема такого ускорителя электронов приведена на рис. 15 [6]. На установке У-2 в

ИЯФ [39] получен электронный пучок с энергией электронов около 1 МэВ, током

примерно 10

А и длительностью 5 мкс при средней плотности тока более 200 А/см

Для получения более длинных импульсов и перехода к квазистационарному

режиму необходимо было решить три задачи:

1. Установить условия, при которых плазменный катод с ВЭЭ работает в ре-

жиме насыщения и движение эмиссионной границы прекращается.

2. Разработать методы, позволяющие ограничить рост тока, а следовательно, и ге-

нерирование плазмы, поскольку основным отличием диода с ВЭЭ от диода со стацио-

нарной плазмой является отсутствие специальной цепи для генерирования плазмы.

3. Выяснить механизм пробоя, чтобы затруднить его формирование.

486 Глава

24.

Электронные пучки

большого

сечения

Рис. 24.15. Экспериментальная установка для получения микросекундных электронных

пучков:

- генератор Маркса; 2 - разрядник; 3 - вакуумная камера; 4 - катод; 5 - экстрактор

из алюминиевой фольги толщиной 70 мкм; 6 - коллектор;

- шунт для измерения тока; 8 -

делитель напряжения; 9 - окно; 10- фотоаппарат

Целенаправленные исследования [40] эмиссионной способности плазмы КФ в

различных фазах ее продвижения к аноду позволили установить, что в начальный

период фронт плазмы движется со скоростью большей, чем средняя скорость на-

правленного разлета частиц плазмы от катода {у « 2-10

см/с). По-видимому, это

связано с наличием виртуального катода перед фронтом КФ в начальной фазе.

В дальнейшем, по мере расширения плазмы, проводимость вакуумной части

диода растет, а эмиссионная способность плазмы падает из-за уменьшения ее кон-

центрации на границе эмиссии. При этом происходит «распыление» виртуального

катода перед фронтом КФ, прекращается экранировка плазмы полем объемного

заряда и уменьшается скорость катодной плазмы. Плазменный эмиттер переходит

из режима неограниченной эмиссионной способности к режиму насыщения, т.е. от

условия ]

> ]

к условию ]

= ]

, где ]

и ]

- плотность теплового тока элек-

тронов плазмы на границе эмиссии и плотность тока, ограниченная пространст-

венным зарядом пучка электронов.

Скорость движения границы падает до значения, меньшего скорости разлета

частиц плазмы V. Продолжающееся расширение последней в режиме насыщения

происходит в результате нарастания ее концентрации на эмиссионной границе из-

за притока от поверхности катода и отсутствия потерь на рекомбинацию. Напом-

ним, что протекание тока связано с непрерывным испарением и ионизацией мате-

риала катода. В то же время в распространяющейся плазме доминирует бесстолк-

новительный режим, и вследствие этого рекомбинация частиц мала.

Переход границы эмиссии в режим насыщения проявляется в виде уменьшения

скорости роста тока на начальном участке тока ВЭЭ. Поскольку граница эмиссии

движется со скоростью, меньшей и, а внутренние слои плазмы от вторичных экто-

нов, движущиеся с большей скоростью, могут ее догонять, становится понятен

механизм возникновения колебаний концентрации плазмы на границе эмиссии [3].

Если на поверхности катода возникают сгустки плазмы, например за счет новых

эктонов, то при выходе их на границу эмиссии условие насыщения нарушается и

граница может вновь ускориться, что неизбежно приведет к возрастанию тока.

^ 24.5

Физические процессы

диодах для пучков большого сечения

487

Зондовые исследования потенциала плазмы КФ показали, что если по мере

повышения тока плазма позади сгустка не способна пропустить этот ток, то сгу-

сток заряжается положительно и в этом месте образуется двойной электрический

слой. Диод превращается в триод с сеткой - плазменным сгустком. Падение на-

пряжения на двойном слое, сравнимое с приложенным, приводит к впрыскива-

нию электронов в вакуумную область с большой начальной скоростью, что обу-

словливает увеличение проводимости вакуумной области диода и резкое нарас-

тание тока. На осциллограммах электронного тока эта фаза проявляется резкими

всплесками. Всплески меньшей амплитуды могут возникать также без зарядки

плазменного сгустка, если он достаточно протяженный или его концентрация

слабо отличается от концентрации на границе эмиссии. В этом случае всплеск

тока образуется только за счет ускоренного смещения границы.

Сгусток плазмы неизбежно распадается под действием поля, приложенного

между ним и катодной плазмой. Спад тока в диоде после всплеска обусловлен рас-

сасыванием этого заряженного сгустка и ликвидацией двойного электрического

слоя. Эту ситуацию можно моделировать [3] подачей на диод двух последователь-

ных импульсов напряжения с паузой между ними. В течение первого импульса

тока происходит образование катодной плазмы. Измерения потенциала плазмы с

помощью плавающего зонда показали, что в этом случае при подаче на катод вто-

рого импульса вся плазма, образованная при первом импульсе, положительно за-

ряжается. Это происходит потому, что в период паузы плотная плазма «отрывает-

ся» от катода и между ней и катодом образуется область плазмы пониженной кон-

центраций. В пользу такой модели свидетельствуют обнаруженная возможность

намеренно вызвать всплески тока в диоде с ВЭЭ кратковременным искусственным

увеличением поступления металла в КФ [3], а также временная корреляция между

приходом импульса поджига на катод в период протекания тока и возникновением

всплесков на электронном токе.

В диодах со взрывной эмиссией плазма образуется в результате протекания

тока через зону ВЭЭ на катоде, поэтому любой всплеск тока вызывает всплеск

величины уноса металла с катода. Таким образом, случайный всплеск тока обу-

словливает серию связанных с ним бросков тока за счет положительной обратной

связи (ПОС) в системе ток-генерирование плазмы-ток. Если добиться ослабле-

ния этой ПОС, ограничивая рост тока любым способом, то возможен переход к

квазистационарному режиму, когда ток ВЭЭ постоянен и за счет этого поддержи-

вается стабильным генерирование плазмы, что в свою очередь поддерживает не-

изменным ток в диоде. Ограничить влияние ПОС можно включением в цепь ка-

ждого эмиттера сопротивлений. Падение напряжения на них изменяет потенциал

эмиттера по отношению к общей катодной плазме, уменьшает катодное падение

в данном эмиссионном центре и тем самым ограничивает ток через плазму от

лидирующего эктона [41].

Эксперименты показали два исхода квазистационарного режима: самопроиз-

вольный обрыв тока и повторный его рост, приводящий через 10-30 мкс к пробою.

При изучении самопроизвольных обрывов тока обнаружено, что такие параметры,

как пороговый ток, характерное время до обрыва тока и их зависимость от мате-

риала катода при взрывной эмиссии идентичны для соответствующих материалов

аналогичным параметрам для электрической дуги в вакууме [42]. Это говорит о

488

Глава 24. Электронные пучки большого сечения

единой природе катодных процессов как в период формирования вакуумного про-

боя - ВЭЭ, так и в конечной его стадии - переходе к низковольтному дуговому

разряду в вакууме.

§ 24.6 Схемы и конструкции ускорителей с пучками

большого сечения

В литературе описано большое количество ускорителей для получения пучков

большого сечения. Они отличаются типами диодов, источниками питания, приме-

нением, величиной тока и напряжения и т.д. В рамках этого раздела их описать

невозможно, поэтому ограничимся только рассмотрением некоторых принципи-

альных вопросов.

Рассматривая схемы электронных источников, применяемых в технике мощ-

ных газовых лазеров, можно выделить два типа конструкций: диодную и триод-

ную. Диодный источник наиболее целесообразно использовать, когда необходимы

высокая плотность тока и низкий импеданс. В этом случае источником энергии

служит низкоомная формирующая линия или генератор Маркса (ГМ). Примене-

ние триодной схемы оправдано, когда эквивалентное сопротивление диода доста-

точно высоко (10

Ом), а плотность тока мала (порядка Ю

-3

А/см

). Достоинства

этой схемы - облегчение равномерного поджига всей поверхности катода и воз-

можность регулировки импеданса источника. К недостаткам следует отнести

сложность цепей синхронизации и снижение электрической прочности уско-

ряющего промежутка.

Для уменьшения роли магнитного поля пучка электронов предложена концеп-

ция сегментированной электронной пушки [13], в которой большой катод делится

на несколько отдельных, вследствие чего уменьшается собственное магнитное по-

ле. В зависимости от величины объема накачка лазера может осуществляться с

одной, двух, четырех и шести сторон, а также коаксиально. Схема диода ускорите-

ля с односторонней накачкой импульсного СОг-лазера с энергией в импульсе до

7,5 кДж описана в [43]. Конструкция лазерной системы, в которой применяются

два диода с использованием ВЭЭ, показана на рис. 16 [44]. Пучки создаются с по-

мощью двустороннего лезвийного катода, укрепленного на алюминиевой пластине

размером 25x200 см. Танталовые полосы толщиной 7,6 мкм выступают на 2,7 см

над поверхностью катодной пластины. Катод расположен в прямоугольной ваку-

умной камере и подвешен с помощью катододержателя к вакуумному изолятору.

Электроны сквозь окно размером 35x200 см попадают в лазерные кюветы, где воз-

никает объемный разряд между электродом и защитной сеткой окна. Источником

импульсного напряжения служит четырехступенчатый ГМ с выходным напряже-

нием 320 кВ, фронтом импульса 50 не и ударной емкостью 1,25 мкФ. Напряжение

от генератора

диоду подводится с помощью высоковольтного кабеля.

Описание КгР-лазера с накачкой с четырех сторон дано в работе [45]. Накачка

производилась от четырех ускорителей, причем каждый имел диод с двумя катода-

ми. Следовательно, фактически можно говорить о восьмисторонней накачке. На-

пряжение на диоде подавалось от водяных линий, заряжаемых от ГМ с напряжени-

ем 1 МВ и накопленной энергией 40 кДж. Напряжение на диоде было 550 кВ, а

суммарная энергия электронного пучка всех диодов составляла 28 кДж.

$ 24.6 Схемы и конструкции ускорителей с

пучками большого

сечения 489

Рис. 24.16. Конструкция газового лазера с двухпучковым электронным источником: 1 - ва-

куумный изолятор; 2 - катододержатель; 3 - эмиттер из фольги; 4 - выходное окно; 5 - элек-

трод кюветы; 6 - ввод напряжения;

- лазерная кювета

Накачка эксимерного ХеС1-лазера в форме цилиндра объемом 600 л осуществ-

лялась с шести сторон от двенадцати отдельных ускорителей, причем на каждой

стороне было по два этажа ускорителей (рис. 17). Ускорители питались непосред-

ственно от генераторов Маркса, отличительная особенность которых состояла в

том, что они работали в условиях вакуумной изоляции. Таким образом, в лазере

отсутствовали промежуточные накопительные линии. Генераторы Маркса имели

напряжение 600 кВ, а суммарный ток электронов составлял 700 кА. Этот лазер из-

за применения малоиндуктивных вакуумных ГМ оказался наиболее компактным и

надежным в работе из всех известных ранее.

Шести- и восьмисторонняя накачка фактически приближается к коаксиальной

системе накачки. Целесообразность использования для возбуждения эксимерных

лазеров коаксиального диодного источника показана в [46]. При этом достигается

интенсивная и однородная накачка газовых лазеров и улучшаются оптические ха-

рактеристики светового пучка. Такой источник представляет собой цилиндриче-

ский коаксиальный диод с межэлектродным зазором 2,5 см, питаемый от малоин-

дуктивного ГМ, который состоит из пяти каскадов и позволяет получать импульс

амплитудой 250 кВ и длительностью 0,8 мкс. В качестве катодов использованы

ленты из титановой фольги, угольных волокон или графитового войлока, устанав-

ливаемые с внутренней стороны алюминиевого цилиндра длиной 55 см и внутрен-

ним диаметром 8,9 см. Катоды из титановой фольги толщиной 25 мкм имели высо-

ту 6 мм и длину 50 см. Анод в виде полого цилиндра длиной 100 см сваривали из

титановой фольги толщиной 25 мкм.

Коаксиальный диод оказался весьма эффективен для накачки лазеров, требую-

щих большой плотности тока пучка. В [47] для этих целей использован диод с