
516
 Глава 25. Трубчатые электронные пучки 
выполнены на ускорителе «Гамма» при напряжении на диоде II = 0,8-2,5 МВ и 
/
и
 = 1-15 мкс и на ускорителе РЭМ при
 II
 = 120-150 кВ и /
и
 < 40 мкс по подобным 
(рис. 10) схемам. Во всех экспериментах использовались графитовые трубчатые 
катоды. Скорость и
±
 определялась по расширению электронного пучка, а щ - по 
пробою промежутка катод-коллектор (с учетом скорости движения коллекторной 
плазмы вдоль магнитного поля около 510
5
 см/с) [17], а также по емкостному дели-
телю напряжения, установленному в начале трубы дрейфа. 
Первоначально проследим динамику разлета катодной плазмы при сравни-
тельно низком напряжении на диоде - примерно 100 кВ [3]. По результатам из-
мерений пробоя промежутка катод-коллектор строятся зависимости скорости 
движения плазмы вдоль силовых линий магнитного поля щ от расстояния до 
катода (рис. 11, а). Стрелками указано место перехода неоднородного магнитного 
поля в однородное. Видно, что скорость плазмы на выходе из пробки зависит от 
пробочного отношения, уменьшаясь с ростом к. В однородном магнитном поле 
плазма движется с ускорением и достигает ц, ®Ь10
7
 см/с. Средняя скорость 
прохождения плазмой участка неоднородного поля уменьшается с ростом к и 
равна 2,1 10
6
, 1,6-10
6
 и 1,110
6
 см/с для к = 2,34; 3,47 и 11 соответственно. В не-
однородном поле плазма расширяется с почти постоянной скоростью, а после 
входа в однороднее поле - ускоренно (рис. 12, б), что указывает на развитие не-
устойчивости. Расширение катодной плазмы в однородном поле до стенки трубы 
дрейфа приводит к пробою диода. Отметим, что в этих экспериментах расстоя-
ние между катодом и трубой дрейфа = 14 см оставалось постоянным, т.е. на-
пряженность электрического поля на катоде была одинакова. 
С увеличением напряжения на диоде (примерно 1 МВ) изменяются некоторые 
закономерности пробоя и динамики разлета катодной плазмы [19]. При пробоч-
ном отношении к = 1,5-6 она не выходила из области неоднородного магнитного 
поля и <410
6
 см/с. Пробой диода происходил именно в этой области. При 
к
 < 1,1 плазма проходила область пробки и в однородном магнитном поле быстро 
набирала предельную скорость около 1-Ю
8
 см/с. Зависимости скорости разлета 
катодной плазмы 1>
±
 от расстояния 8 до катода поперек силовых линий неодно-
родного магнитного поля (рис. 12) [19] измерялись для двух геометрий диода при 
одинаковом напряжении 11= 1 МВ. Вблизи катода скорость плазмы « 2
 •
 10
6
 см/с. 
С увеличением 8 она уменьшается в зависимости от напряженности электриче-
ского поля на катоде (величина зазора 7^) до и
±
 «(0,5-1) 10
6
 см/с и некоторое 
время остается постоянной. Одновременно с зазором
 1
Ш
 изменялось и пробочное 
отношение к, но, как оказалось [3] (рис. 11, б), и
±
 слабо зависит от него. На 
больших расстояниях от катода 8 > 5 см начинает расти и тем сильнее, чем 
больше магнитное поле. Такой вид зависимости от магнитного поля характе-
рен для центробежной неустойчивости. При близких значениях и к (см. 
рис. 11, б; 12, б) повышение напряжения на диоде на порядок (от 0,1 до 1 МВ) 
приводит к увеличению в неоднородном магнитном поле также на порядок 
(от 10
5
 до 10
6
 см/с). Зависимости времени коммутации 1
К
 от напряжения для 
двух геометрий диода (рис. 13) также свидетельствуют об увеличении у
±
 с по-
вышением напряжения на диоде. Необходимо отметить, что /
к
 при этом практи-
чески не зависело от магнитного поля В = 14-31,5 кГс при к=  1,5-2,6.