16
переключения, который происходит путем скачкообразного пере-
носа дефекта упаковки вдоль стопки молекул PbPc.
Получены по лимерные микросетки с гек сагональной симмет-
рией ячеек из солей карбоксилированной нитроцеллюлозы. Пу-
тем их термиче ских твердофазных превращений в вакууме и на
воздухе изготовлены металлооксидные и углеродные структуры,
полностью воспроизводящие морфологию мета лл-полимерного
предшественника. Проведено изучение механизма транспорта за-
ряда в мет аллоуглеродных и мета ллооксидных микрос етчатых
материалах.
Получены кристаллы соединений CdSe, СdTe и их тве рдых
растворов CdSe
x
Te
1-x
при х = 0,6; 0,5; 0,2. Изучена их структура и
определены параметры элементарных ячеек. Синтезированы низ-
коразмерные структуры на основе стеклянной матрицы и твердо-
го раствора CdSeTe (x = 0,5). Исследовано влияние условий синте-
за на формирование нанокристаллов полупроводниковой фазы в
стекле и их оптические свойства.
Впервые экспериментально обнаружена возможность управ-
ления интенсивностью люминесценции и шириной линий лю-
минесценции ионов эрбия в присутствии железа в матрице окис-
ленного пористого кремния с различной ст руктурой. Сужение
линий люминесценции может быть обьяснено образованием упо-
рядоченных кластеров, содержащих эрбий, кремний, железо и
кислород.
Изучение температ урной зависимости сопротив ления волокон
C(Ag) и C(Co) в температурном интерале 2–300 К показало, что
введение кластеров металла приводит к изменению структуры уг-
леродной матрицы от аморфной до турбостратной , что сопрово ж-
дается повышением на неск олько порядков прово димости образцов.
Проведена модернизация измерительного устройства для ис-
следов ания эмиссионных свойств материалов. В результате по лу-
чена возможность о дновременного нагрев ания, фот овозб у ждения и
исследования силовой эмиссии электронов из образцов. Установле-
но определяющее влияние структуры алмаза и алмазоподобных
ма териалов на эффективность фо т оэ миссии из них. Сфор мирована
микроструктура оригинальной конструкции, с помощью которой
получена зависимость плотности тока силовой эмиссии электронов
из мелких кристаллов синтетическог о алмаза от напряженности
элек трического поля, подчиняющаяся закону Фо улера-Нордгейма.