Рамбиди Н.Г., Берёзкин А.В. Физические и химические основы нанотехнологий

Подождите немного. Документ загружается.

Однослой

большую ДЛР

и механичес!

одни из наиб

Прочность н

как для высс

но Джейм \

продемонстр:

путем их по1

Материа.

Кремний

Сталь

Углерода

нанотруб

мерены

С82, ScN@C80

шт к себе внимание

арственных веществ

'яженные цилиндри-

(есятков нанометров

'НИ состоят из одной

|)итовых плоскостей

)ВКОЙ.

50-х гг. прошлого

щные образования.

:ий инженер Сумио

юйные нанотрубки.

эсей, относительно

)му и однослойные,

туру.

(так называемого

(ежит в интервале

огослойными. Раз-

жазались свойства

Углеродные

этому дисплеи

ностью.

Известно Hi

нове нанотрубс

Нанотрубк!

создания нано;

на схема нано;

ультратонкую

ная нанотрубк.

Трубки

имеют безде-

ерен, как в обычных

[ределяется по всем

ыть разорваны прак-

ютрубок, составляет

= 0,21 ТПа.

[ нанотрубок заклю-

)ая может достигать

ва плавится уже при

обусловлены чрезвы-

:окой теплопроводно-

чем у алмаза, и в 15

иных характеристик,

отрубок. Так, много-

эочности 7 ГПа (в 9

I (в 2-3 раза ниже).

I выше, чем у стали,

большая химическая

мпонентов катализа-

средах.

зличные методы син-

продуктов испарения

действия. К сожале-

, а их переплетенные

применения в прак-

удоемким и дорогим)

льный рост нанотру-

)жении органических

нанесенных заранее

на подложку. В этом

нанотрубки правиль-

(туры (рис. 3.53).

свойств нанотрубок

ривалось множество

их в различных тех-

ногда предлагаемые

1ЫМИ, как, например,

;ния прочности стро-

ли реализованы как

эмно-силовом микро-

;обность при силовом

половине прош

к ним принадл

Полупрово/

ющихся слоев

слои различай

ют гетеропере:

и характерист!

второй полови

двойные (по >

слой узкозонн

зонного. Петр]

гетерострукту!

которой onpej

никают допол

возникающегс

в яму попада:

двойных гете]

уникальные с

среднего сло!

волны электр

квантовые эф

Как извес

трехмерном т

где Ее — эне

Ситуация

кова, что хот

ли

зре

НМ

TI/A)

00 НМ ALD/AI2O3

)00 МКМ SI(LOO)

атчике ДАВЛЕНИЯ

1еняется электрическое

зботка методов синтеза

(БОЛИТ

во

многом изме-

ременных устройств.

роводниках

lee полупроводниковое

оваться как выпрямля-

полупроводниковый ди-

зающим выпрямляющие

эряда. Однако полупро-

шки р- и п-типа, далеко

на их основе во второй

го тела, квантовой

ы, когда длина

и у) достаточно

Тогда движение

яем Шредингера

(ме:

- масса и энергия

размерностей си-

. В этой системе,

авлениям (х и у)

f {z) оно приобре-

зона проводимости

уровням по оси Z.

ых состояний (см.

трем размерностям

собой частицу на-

дны со свойствами

,ж»$й¥.с™ировано

которое приво-

шического состава

эсти от их размера

И зрения областью

ллого века лазеры

уникальные свой-

шоконно-оптичесих

кая академия наук

I фундаментальные

онных технологий»

;ский институт им.

J Герберту Кремеру

ра, США). Именно

еходах, но и довели

ы, полной надежд

ения.

тероструктуре был

:имо друг от друга

«. Эта идея и ее

гвах двойных гете-

X лазеров.

•